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公开(公告)号：CN118695600A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410330568.3
申请日：2024-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种具有极性相关阈值电压偏移特性的自选择存储器件和/或包括该自选择存储器件的存储装置。该存储器件包括第一电极、远离并面对第一电极的第二电极、以及在第一电极和第二电极之间的存储层。存储层具有双向阈值开关特性，并且被配置为使得存储层的阈值电压随着存储层中的活性陷阱的密度改变而改变，阈值电压根据施加到存储层的偏压的极性和强度而改变。此外，元素成分分布被配置为响应于存储层的阈值电压改变而在存储层中保持恒定。
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公开(公告)号：CN107665947B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201710631798.3
申请日：2017-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及可变电阻存储器件。一种可变电阻存储器件可以包括：第一电极层；在第一电极层上的选择器件层，该选择器件层包括基本上由锗(Ge)、硒(Se)和锑(Sb)组成的硫属元素化物开关材料，其中基于原子百分比，Ge的含量小于Se的含量；在选择器件层上的第二电极层；在第二电极层上的可变电阻层，可变电阻层包括硫属元素化物材料；以及在可变电阻层上的第三电极层。
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公开(公告)号：CN114566591A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202110935795.5
申请日：2021-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种包括多个半导体单元器件的半导体装置。每个半导体单元器件可以布置于在垂直于衬底的方向上彼此分开的第一绝缘层和第二绝缘层之间。每个半导体单元器件可以包括在平行于衬底的方向上并排延伸的选择器件层和相变材料层。相变材料层可以具有类超晶格结构。相变材料层可以沿着由第一绝缘层、第二绝缘层和选择器件层形成的凹陷部分布置。
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公开(公告)号：CN114464731A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202110775864.0
申请日：2021-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供硫属元素化合物、半导体器件、和半导体装置。所述硫属元素化合物包括五种或更多种元素并且可具有稳定的开关特性和低的关断电流值(泄漏电流值)。所述硫属元素化合物包括：硒(Se)和碲(Te)；包括铟(In)、铝(Al)、锶(Sr)、和钙(Ca)的至少一种的第一元素；以及包括锗(Ge)和/或锡(Sn)的第二元素，并且可进一步包括砷(As)、锑(Sb)、和铋(Bi)的至少一种。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN107732007A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710679593.2
申请日：2017-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1683 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L45/065 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/16
Abstract: 本发明公开了一种可变电阻存储器件及其制造方法，其中该可变电阻存储器件包括位于基板之上的第一导电线。每个第一导电线在第一方向上延伸并且第一导电线设置在第二方向上。每个第二导电线在第二方向上延伸并且第二导电线在第一方向上设置。第二导电线位于第一导电线之上。存储单元位于第一导电线和第二导电线之间。存储单元在第三方向上交叠第一导电线和第二导电线。存储单元包括第一电极、位于第一电极上的可变电阻图案以及位于可变电阻图案上的第二电极。选择图案位于每个存储单元上。第三电极位于选择图案之上。第三电极与每个第二导电线的下表面直接接触。
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公开(公告)号：CN101393965B
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN200810135808.5
申请日：2008-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供用于形成具有底电极的相变存储器件的方法。相变存储器件可以具有在基底上的底部图案。线形状或者L形状的底电极可以被形成为与基底上的相应底部图案接触，并且具有由在基底上的x和y轴方向上的尺度限定的上表面。沿着底电极的上表面的x轴的尺度具有比用于制造相变存储器件的光刻处理的分辨极限小的宽度。相变图案可以被形成为与底电极的上表面接触，以具有比在底电极的上表面的x和y轴方向上的每个尺度更大的宽度，并且上电极可以被形成在所述相变图案上，其中，所述线形状或者L形状表示在x轴方向上的底电极的剖面线形状或者剖面L形状。
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公开(公告)号：CN101221970B
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN200710160199.4
申请日：2007-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/144 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1675
Abstract: 本发明公开一种具有在相邻单元之间共用的相变材料图案的相变存储器件和包括该相变存储器的电子产品。提供一种包括相变材料图案的相变存储器件，其中相变材料图案的条带被邻近的单元共用。该相变存储器件包括多个以矩阵排列的底电极。该相变材料图案形成在底电极上，并且相变材料图案的条带电连接到底电极。相变材料图案的每个条带连接到底电极中的至少两个对角邻近的底电极。
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公开(公告)号：CN101221970A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710160199.4
申请日：2007-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/144 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1675
Abstract: 本发明公开一种具有在相邻单元之间共用的相变材料图案的相变存储器件和包括该相变存储器的电子产品。提供一种包括相变材料图案的相变存储器件，其中相变材料图案的条带被邻近的单元共用。该相变存储器件包括多个以矩阵排列的底电极。该相变材料图案形成在底电极上，并且相变材料图案的条带电连接到底电极。相变材料图案的每个条带连接到底电极中的至少两个对角邻近的底电极。
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