公开(公告)号：CN102034861B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201010292444.9

申请日：2010-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟燮 ,  洪起夏 ,  吴在浚 ,  崔赫洵 ,  黄仁俊 ,  申在光

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/207 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种包括2-维电子气(2DEG)沟道的电力电子器件、其制造方法以及包括该电力电子器件的集成电路模块。电力电子器件包括用于形成2DEG沟道的下材料层和上材料层，以及接触上材料层的上表面的栅极。在2DEG沟道的栅极下方的区域是2DEG的密度减小或为零的关区域。整个上材料层可以是连续的且可具有均匀的厚度。上材料层的在栅极下面的区域包括用于减小或消除下材料层与上材料层之间的晶格常数差的杂质。

公开(公告)号：CN103730491A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201310168042.1

申请日：2013-05-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全佑彻 ,  金钟燮 ,  朴基烈 ,  朴永焕 ,  吴在浚 ,  河种奉 ,  申在光

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7781 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7786 ,  H03K3/012

Abstract: 一种高电子迁移率晶体管（HEMT）和驱动该HEMT的方法。HEMT包括：用于在沟道层内部感应出二维电子气（2DEG）的沟道提供层；在沟道提供层上形成的耗尽形成层；在耗尽形成层上并且在源极电极和漏极电极之间形成的第一栅极电极；以及在耗尽形成层上并且在源极电极和漏极电极之间形成的至少一个第二栅极电极。

公开(公告)号：CN103066121A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210211463.3

申请日：2012-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄仁俊 ,  吴在浚 ,  李在垣 ,  崔孝枝

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7789

Abstract: 根据示例实施方式，一种晶体管包括形成在基板上的沟道层、沟道上的第一沟道供应层、耗尽层、第二沟道供应层、第一沟道供应层上的源电极和漏电极、以及耗尽层上的栅电极。沟道层包括2DEG沟道以及耗尽区，2DEG沟道配置为产生二维电子气；第一沟道供应层对应于所述2DEG沟道，并限定暴露所述耗尽区的开口。耗尽层在沟道层的所述耗尽区上。第二沟道供应层在所述耗尽层和所述耗尽区之间。

公开(公告)号：CN101286522A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200710093282.4

申请日：2007-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔赫洵 ,  许智贤 ,  姜闰浩 ,  李孝锡 ,  申在光 ,  吴在浚

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/82 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/1246 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675 ,  Y10T29/49002

Abstract: 本发明提供了一种相变存储装置、其制造方法和操作方法。该相变存储装置包括开关装置和与该开关装置连接的存储节点。存储节点包括底部叠层、设置在底部叠层上的相变层和设置在相变层上的顶部叠层。相变层包括用于增加流经相变层的电流通路和减少相变存储区域体积的单元。和底部叠层相对设置的单元的表面面积大于或等于与相变层接触的底部叠层的表面面积。

公开(公告)号：CN112687732B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202010337504.8

申请日：2020-04-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永焕 ,  金钟燮 ,  金俊溶 ,  朴俊赫 ,  申东澈 ,  吴在浚 ,  丁秀真 ,  黄瑄珪 ,  黄仁俊

IPC: H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/778

Abstract: 一种半导体薄膜结构以及包括其的电子器件，该半导体薄膜结构可以包括衬底、在衬底上的缓冲层以及在缓冲层上的半导体层，使得缓冲层在半导体层和衬底之间。缓冲层可以包括多个单元层。所述多个单元层中的每个单元层可以包括具有第一带隙能量和第一厚度的第一层、具有第二带隙能量和第二厚度的第二层以及具有第三带隙能量和第三厚度的第三层。单元层的第一层、第二层和第三层中的具有最低的带隙能量的一个层可以在该单元层的第一层、第二层和第三层中的另外两个层之间。

公开(公告)号：CN115377182A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210047021.3

申请日：2022-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄瑄珪 ,  吴在浚 ,  金钟燮

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778

Abstract: 一种高电子迁移率晶体管(HEMT)包括在其中形成沟道的有源区和围绕有源区的场区。HEMT可以包括：沟道层；阻挡层，在沟道层上并被配置为在沟道层中感应二维电子气(2DEG)；在有源区中在阻挡层上的源极和漏极；以及在阻挡层上的栅极。栅极可以在阻挡层上从有源区突出到场区。栅极可以包括第一栅极和第二栅极。第一栅极可以在有源区中，第二栅极可以在有源区和场区之间的边界区中。第二栅极的功函数可以不同于第一栅极的功函数。

公开(公告)号：CN115346981A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202210285504.7

申请日：2022-03-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄瑄珪 ,  金钟燮 ,  金俊溶 ,  朴永焕 ,  朴俊赫 ,  吴在浚 ,  黄仁俊

IPC: H01L27/085 ,  H01L21/8232 ,  H01L29/10 ,  H01L29/778

Abstract: 一种半导体集成电路器件，包括：沟道层、势垒层、在势垒层上彼此间隔开的第一p型半导体层和第二p型半导体层；以及在第一p型半导体层和第二p型半导体层上的钝化层。钝化层可以使第一p型半导体层和第二p型半导体层中的至少一个的掺杂剂部分地失活。

公开(公告)号：CN103066121B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201210211463.3

申请日：2012-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄仁俊 ,  吴在浚 ,  李在垣 ,  崔孝枝

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7789

Abstract: 根据示例实施方式，一种晶体管包括形成在基板上的沟道层、沟道上的第一沟道供应层、耗尽层、第二沟道供应层、第一沟道供应层上的源电极和漏电极、以及耗尽层上的栅电极。沟道层包括2DEG沟道以及耗尽区，2DEG沟道配置为产生二维电子气；第一沟道供应层对应于所述2DEG沟道，并限定暴露所述耗尽区的开口。耗尽层在沟道层的所述耗尽区上。第二沟道供应层在所述耗尽层和所述耗尽区之间。

公开(公告)号：CN102237401B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201110113377.4

申请日：2011-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄仁俊 ,  申在光 ,  吴在浚 ,  金钟燮 ,  崔赫洵 ,  洪起夏

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L21/28008 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供了具有轻掺杂漏极(LDD)区的高电子迁移率晶体管(HEMT)及其制造方法。该HEMT包括：源极；漏极；栅极；沟道提供层，用于形成至少二维电子气(2DEG)沟道；以及沟道形成层，至少该2DEG沟道将要形成在沟道形成层中，其中沟道提供层包括具有不同极化率的多个半导体层，沟道提供层的部分是凹陷，多个半导体层中的位于最上层之下的一个层是蚀刻缓冲层，也是用于提供沟道的层。

公开(公告)号：CN102280992B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201110113535.6

申请日：2011-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镐正 ,  申在光 ,  吴在浚 ,  金钟燮 ,  崔赫洵 ,  黄仁俊 ,  洪起夏

IPC: H02M1/32 ,  H02M1/088

CPC classification number: H03K17/163 ,  H03K17/284

Abstract: 一种电源设备，包括：开关设备，具有控制端和输出端；以及驱动电路，配置为向该控制端提供驱动电压以使得该控制端与该输出端之间的电压维持小于或等于临界电压。根据该开关设备的电流-电压特性确定该驱动电压达到目标电平所需的上升时间。而且，当该控制端与该输出端之间的电压超过该临界电压时，在该控制端与该输出端之间产生泄漏电流。