公开(公告)号：CN1222641C

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN99802920.3

申请日：1999-01-15

Applicant: ACM研究公司

Inventor： 王晖

IPC: C25D5/02 ,  C25D5/08 ,  C25D5/18 ,  C25D21/12 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/48

CPC classification number: C25D5/18 ,  C25D5/026 ,  C25D5/08 ,  C25D21/12 ,  H01L21/4846

Abstract: 提供一种电镀设备及方法。该设备在其上有阻挡层的基片上直接电镀导电膜，包括：置于圆柱壁(109)内的阳极棒(1)、分别放在圆柱壁(107，105)、(103，101)之间的阳极环(2和3)。阳极(1，2，3)分别由电源(13，12，11)供电。电解液(34)由泵(33)抽出通过过滤器(32)并到达液体质量流量控制器(LMFC)(21，22，23)的入口。然后LMFC(21，22，23)分别以设定的流量输送电解液到包含阳极(3，2，1)的子电镀槽。在流过晶片(31)和圆柱壁(101，103，105，107和109)顶部之间的间隙之后，电解液分别通过圆柱壁(100，101)、(103，105)、(107，109)之间的空间流回容器(36)。压力泄漏阀(38)置于泵(33)出口和电解液池(36)之间，当LMFC(21，22，23)关闭时使电解液排回电解液池(36)。由晶片夹盘(29)固定的晶片(31)连接到电源(11，12，13)。驱动机构(30)用于绕z轴旋转晶片(31)并在所示x、y、z方向振荡晶片。过滤器(32)过滤大于0.1或0.2μm的颗粒以便获得低颗粒填充的电镀工艺。

公开(公告)号：CN1547763A

公开(公告)日：2004-11-17

申请号：CN02816509.8

申请日：2002-08-16

Applicant: ACM研究公司

Inventor： 王晖 ,  易培豪

IPC: H01L21/311 ,  H01L23/52 ,  C25F3/14

CPC classification number: C25D5/02 ,  C25D5/022 ,  C25D7/123 ,  C25F3/00 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/7684 ,  H01L23/528 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种提供金属互连(140)的半导体结构以及电解抛光半导体结构上的金属层的方法。所述半导体结构包括具有凹槽区(151r)和非凹槽区(151n)的介质层(151)。形成在结构上的金属层填充了凹槽区以形成互连线和多个设置在互连线之间的虚拟结构(130)。所述方法包括在半导体晶片上形成具有凹槽和非凹槽区的介质层。形成与凹槽区相邻的虚拟结构。形成金属层以覆盖介质层和虚拟结构。然后对金属层电解抛光以露出非凹槽区。

公开(公告)号：CN1146966C

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN99808421.2

申请日：1999-07-08

Applicant: ACM研究公司

Inventor： 辉·王

IPC: H01L21/321 ,  C25F3/22

CPC classification number: H01L21/32115 ,  C25F3/22 ,  C25F7/00 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/7684

Abstract: 用于抛光晶片(31)上制作的金属层的电抛光装置包括电解液(34)、抛光槽(100)、晶片吸盘(29)、流体入口(5，7，9)和至少一个阴极(1，2，3)。晶片吸盘(29)吸住晶片(31)并将其置于抛光槽(100)内。电解液(34)通过流体入口(5，7，9)送入抛光槽(100)。然后，阴极(1，2，3)将电解电流施加于电解液来电抛光晶片(31)。根据本发明的一个方面，可以电抛光晶片(31)的分立部分来提高电抛光后的晶片的均匀性。

公开(公告)号：CN101577247B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200910149102.9

申请日：2001-09-18

Applicant: ACM研究公司

Inventor： 王晖

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/321 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76835 ,  C25F3/02 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/7684 ,  H01L2221/1036

Abstract: 形成一种半导体晶片(100)的层，一电介质层淀积在该半导体晶片上。电介质层(204)包括具有低介电常数的材料。凹区(210)和非凹区(211)形成在电介质层中覆盖非凹区。然后金属层被电抛光以除去覆盖在非凹区上的金属层，留下凹区中的金属层。

公开(公告)号：CN101427351A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN03817419.7

申请日：2003-07-22

Applicant: ACM研究公司

Inventor： 王晖 ,  穆罕莫德·阿法恩 ,  佩哈尔·耶海 ,  戴蒙·L·科勒尔 ,  于朝智(音译)

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/32138 ,  B23H5/08 ,  C25F3/02 ,  C25F7/00 ,  H01L21/32125 ,  H01L21/7684

Abstract: 形成在半导体晶片上的金属层被抛光，其中金属层被形成在屏障层上，所述屏障层形成在具有凹进区域和非凹进区域的介电层上，并且其中金属层覆盖介电层的凹进区域和非凹进区域。金属层被抛光以便于移除覆盖非凹进区域的金属层。凹进区域的金属层被抛光到非凹进区域以下的高度，其中所述高度等于或大于所述屏障层的厚度。

公开(公告)号：CN101353810A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810212837.7

申请日：2003-04-08

Applicant: ACM研究公司

Inventor： 王晖 ,  沃哈·纳持 ,  费利克斯·古特曼 ,  穆罕默德·阿夫南 ,  希曼舒·J·乔克什 ,  马克·J·范柯克威科 ,  戴蒙·L·克勒 ,  佩奥尔·伊 ,  麦·H·源 ,  张如皋 ,  弗雷德里克·霍

IPC: C25D5/48 ,  C25D17/00 ,  C25D7/12 ,  C25F3/30 ,  C25F7/00

CPC classification number: H01L21/6708 ,  C25D7/12 ,  C25D17/001 ,  C25F7/00 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67769 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68707

Abstract: 本发明一方面提供一种用于对半导体晶片执行电解抛光或电镀处理的设备和方法。该设备包括一清洗模块，该清洗模块具有一边缘清洗组件(930)，用于去除位于晶片(901)的斜角或边缘部上的金属残留物。边缘清洗设备包括一喷嘴头(1030)，其往晶片主表面上供给液体和气体，以及在供给液体、径向向内位置处供给气体，从而减小液体沿径向向内方向流到晶片上形成的金属薄膜的可能性。

公开(公告)号：CN100430526C

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN03810206.4

申请日：2003-04-08

Applicant: ACM研究公司

Inventor： 王晖 ,  沃哈·纳持 ,  费利克斯·古特曼 ,  穆罕默德·阿夫南 ,  希曼舒·J·乔克什 ,  马克·J·范柯克威科 ,  戴蒙·L·克勒 ,  佩奥尔·伊 ,  麦·H·源 ,  张如皋 ,  弗雷德里克·霍

IPC: C25D5/48 ,  C25D17/00 ,  C25D7/12 ,  C25F3/30 ,  C25F7/00

CPC classification number: H01L21/6708 ,  C25D7/12 ,  C25D17/001 ,  C25F7/00 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67769 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68707

Abstract: 本发明一方面提供一种用于对半导体晶片执行电解抛光或电镀处理的设备和方法。该设备包括一清洗模块，该清洗模块具有一边缘清洗组件(930)，用于去除位于晶片(901)的斜角或边缘部上的金属残留物。边缘清洗设备包括一喷嘴头(1030)，其往晶片主表面上供给液体和气体，以及在供给液体、径向向内位置处供给气体，从而减小液体沿径向向内方向流到晶片上形成的金属薄膜的可能性。

公开(公告)号：CN1732561A

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN01815862.5

申请日：2001-09-18

Applicant: ACM研究公司

Inventor： 王晖

IPC: H01L21/44 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC classification number: H01L21/76835 ,  C25F3/02 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/7684 ,  H01L2221/1036

Abstract: 形成一种半导体晶片(100)的层，一电介质层淀积在该半导体晶片上。电介质层(204)包括具有低介电常数的材料。凹区(210)和非凹区(211)形成在电介质层中覆盖非凹区。然后金属层被电抛光以除去覆盖在非凹区上的金属层，留下凹区中的金属层。

公开(公告)号：CN1663036A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN02808834.4

申请日：2002-04-04

Applicant: ACM研究公司

Inventor： 王晖 ,  易培豪

IPC: H01L21/4763 ,  H01L23/48 ,  C25D5/02

CPC classification number: C25D5/48 ,  C25D5/02 ,  C25D7/123 ,  H01L21/32125 ,  H01L21/7684

Abstract: 在电抛光半导体晶片上的金属层中，在半导体晶片(未示出)上形成电介质(100)。该电介质(100)形成有凹进区(102)和非凹进区(103)。多个虚设结构(200)是构成的非活动区，以便增加后来形成在电介质(100)上的金属层(106)的平整度。然后形成金属层(106)以便填充凹进区(102)并且覆盖非凹进区(103)和多个虚设结构(200)。然后电抛光该金属层(106)以便露出非凹进区(102)。

公开(公告)号：CN1632914A

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：CN200510003773.6

申请日：1999-11-24

Applicant: ACM研究公司

Inventor： 王辉 ,  费利克斯·故特曼 ,  沃哈·努克

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/68 ,  C25D7/12

CPC classification number: H01L21/68721 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明涉及一种用于电镀和/或电抛光晶片的电镀和/或电抛光台和方法，该电镀和/或电抛光台包含：一个机架；至少一个装在机架上的电镀和/或电抛光槽，所述电镀和/或电抛光槽具有电解液容器以及适当形成的用以盖在所述电解液容器上的盖板；以及盖板提升组件，被构造成使所述盖板在第一位置和第二位置间移动，其中所述盖板在所述第一位置时盖在所述电解液容器上，而当在所述第二位置时，所述盖板从所述电解液容器上被提起。