公开(公告)号：CN1318207A

公开(公告)日：2001-10-17

申请号：CN99808421.2

申请日：1999-07-08

Applicant: ACM研究公司

Inventor： 辉·王

IPC: H01L21/321 ,  C25F3/22

CPC classification number: H01L21/32115 ,  C25F3/22 ,  C25F7/00 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/7684

Abstract: 用于抛光晶片(31)上制作的金属层的电抛光装置包括电解液(34)、抛光槽(100)、晶片吸盘(29)、流体入口(5,7,9)和至少一个阴极(1,2,3)。晶片吸盘(29)吸住晶片(31)并将其置于抛光槽(100)内。电解液(34)通过流体入口(5,7,9)送入抛光槽(100)。然后，阴极(1,2,3)将电解电流施加于电解液来电抛光晶片(31)。根据本发明的一个方面，可以电抛光晶片(31)的分立部分来提高电抛光后的晶片的均匀性。

公开(公告)号：CN1306572C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200410004837.X

申请日：1999-07-08

Applicant: ACM研究公司

Inventor： 辉·王

IPC: H01L21/321 ,  C25F3/16

CPC classification number: H01L21/32115 ,  C25F3/22 ,  C25F7/00 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/7684

Abstract: 用于抛光晶片(31)上制作的金属层的电抛光装置包括电解液(34)、抛光槽(100)、晶片吸盘(29)、流体入口(5，7，9)和至少一个阴极(1，2，3)。晶片吸盘(29)吸住晶片(31)并将其置于抛光槽(100)内。电解液(34)通过流体入口(5，7，9)送入抛光槽(100)。然后，阴极(1，2，3)将电解电流施加于电解液来电抛光晶片(31)。根据本发明的一个方面，可以电抛光晶片(31)的分立部分来提高电抛光后的晶片的均匀性。

公开(公告)号：CN1523647A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN200410004837.X

申请日：1999-07-08

Applicant: ACM研究公司

Inventor： 辉·王

IPC: H01L21/321 ,  C25F3/16

CPC classification number: H01L21/32115 ,  C25F3/22 ,  C25F7/00 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/7684

Abstract: 用于抛光晶片(31)上制作的金属层的电抛光装置包括电解液(34)、抛光槽(100)、晶片吸盘(29)、流体入口(5，7，9)和至少一个阴极(1，2，3)。晶片吸盘(29)吸住晶片(31)并将其置于抛光槽(100)内。电解液(34)通过流体入口(5，7，9)送入抛光槽(100)。然后，阴极(1，2，3)将电解电流施加于电解液来电抛光晶片(31)。根据本发明的一个方面，可以电抛光晶片(31)的分立部分来提高电抛光后的晶片的均匀性。

公开(公告)号：CN1146966C

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN99808421.2

申请日：1999-07-08

Applicant: ACM研究公司

Inventor： 辉·王

IPC: H01L21/321 ,  C25F3/22

CPC classification number: H01L21/32115 ,  C25F3/22 ,  C25F7/00 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/7684

Abstract: 用于抛光晶片(31)上制作的金属层的电抛光装置包括电解液(34)、抛光槽(100)、晶片吸盘(29)、流体入口(5，7，9)和至少一个阴极(1，2，3)。晶片吸盘(29)吸住晶片(31)并将其置于抛光槽(100)内。电解液(34)通过流体入口(5，7，9)送入抛光槽(100)。然后，阴极(1，2，3)将电解电流施加于电解液来电抛光晶片(31)。根据本发明的一个方面，可以电抛光晶片(31)的分立部分来提高电抛光后的晶片的均匀性。