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公开(公告)号：CN113802111B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202010538700.1
申请日：2020-06-13
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/513 , H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种使用等离子体处理衬底的设备及改善晶圆薄膜表面形貌的方法，其中，设备由一个衬底支撑件和多个陶瓷件构成，且各个陶瓷件具有不同高度的侧壁，每个陶瓷件均可活动套装在衬底支撑件的外周，通过上述的结构设计，可通过更换套装在衬底支撑件外周的陶瓷件，以实现衬底支撑件侧壁面积的调整，使用时，实现等离子体分布的改变，使得沉积速率和均匀性也随之改变，从而改变薄膜边缘的形貌，即通过设备硬件的结构调整可实现制备的晶圆薄膜形貌的改变；所述改善晶圆薄膜表面形貌的方法，是基于上述设备获得的；上述使用等离子体处理衬底的设备，具有结构简单、设计合理、简单易行等优点。
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公开(公告)号：CN114323263B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202111662085.6
申请日：2021-12-30
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: G01J1/00
Abstract: 本发明公开了一种UV光检测结构及UV处理设备，所述UV光检测结构包括机体和设于所述机体内部的UV光源和光反射器，所述光反射器用于反射所述UV光源发出的UV光，以使所述UV光照射由所述光发射器所限定的工作区域，所述机体内部具有位于所述工作区域外侧的间隙空间，并具有用于将UV光源的部分余光从边侧漏出至所述间隙空间的透光结构；所述机体设有光传感器，所述光传感器的检测端位于所述间隙空间内，以检测所述UV光源从所述透光结构漏出至所述间隙空间的余光。该检测结构在不干扰UV光处理效果以及不影响UV处理设备内部空间布局的前提下，可以实时监测UV灯的光照情况，获得光学相关参数，而且，结构简单、易于安装，便于进行后期维护。
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公开(公告)号：CN113832449B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202010584724.0
申请日：2020-06-24
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/455 , C23C16/46
Abstract: 本发明是关于一种半导体薄膜的沉积设备和沉积方法，包括腔体和盖板，加热盘，加热盘通过支撑杆支撑，还包括：晶圆升降机构设置于腔体内；水平调节机构设置于腔体外；晶圆升降机构包括：同心定位盘设置于腔体内，位于加热盘的下方；同心调整手，通过板簧设置于同心定位盘的边缘上，与同心定位盘活动连接，同心调整手包括平行设置的第一横板第二横板和竖板；顶针支板，设置于加热盘和第二横板之间，均匀设有多个顶针；蓝宝石玻璃，设置于顶针支板的下方；动力单元，通过支杆与顶针支板连接，支杆贯穿腔体。保证晶圆与加热盘和喷淋板的同心设置，以及三者平行度，从而提高晶圆的薄膜沉积质量，提高产品的成品率，进而提高企业的经济性。
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公开(公告)号：CN116875959A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310848601.7
申请日：2023-07-11
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种薄膜沉积的辅助装置、薄膜沉积设备以及一种薄膜沉积排出物的处理方法。辅助装置包括：第一阀门，与反应腔室连接，用以调整反应腔室内的气压；以及捕集部，设置于反应腔室和该第一阀门之间，用于收集在反应腔内进行一次薄膜沉积反应完成后的反应腔室中未反应完的一次气液态排出物，并使其在捕集部内进行二次薄膜沉积反应；以及结构，设置于捕集部内，用于过滤进行二次薄膜沉积反应后的二次气液态排出物，以排出干净的气体。通过上述薄膜沉积的辅助装置结构简单，并能有效避免从反应腔室排出的气液态物质在阀门内部进行沉积堵塞阀门，从而延长阀门的生命周期，降低设备故障率，提高机台的运行时间，减少维护成本。
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公开(公告)号：CN115354307B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202211164987.1
申请日：2022-09-23
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/458
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，更具体的说，涉及一种真空加热衬底设备。本发明提供了一种真空加热衬底设备，包括衬底处理腔室、真空吸附式加热装置和压力控制系统；所述真空吸附式加热装置，设置在衬底处理腔室的内部，用于放置衬底并进行加热；所述压力控制系统包括吸附子系统、解吸附子系统、清洁子系统和压力调节子系统；所述解吸附子系统，可通断地与吸附子系统相连接，用于对衬底实现解吸附，所述解吸附子系统设置有颗粒收集器，对工艺过程中累积的颗粒进行收集。本发明提供的真空加热衬底设备，在提高衬底薄膜均匀性的同时避免了压力控制系统频繁更换的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116403880A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202111616380.8
申请日：2021-12-27
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种等离子体设备。所述等离子体设备包括基座、金属环以及可移动介质环。所述基座经配置以承载待加工工件。所述金属环设置于所述基座之上。所述金属环经配置以环绕所述待加工工件。可移动介质环设置于所述基座之上。所述可移动介质环的正投影覆盖所述金属环。
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公开(公告)号：CN116313714A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202111523469.X
申请日：2021-12-13
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
Inventor： 张赛谦
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置，包含：一支撑盘，具有用于支撑基板的一第一承载面及形成于所述第一承载面外围的一第二承载面；及一调节环，配置成以可拆卸的方式坐落于所述支撑盘的第二承载面上，使所述调节环围绕所述第一承载面，且所述调节环具有相互连接的一第一层、一第二层和一第三层，其中所述第二层位于所述第一层与所述第二层之间。所述调节环的设置用于调节等离子曲线。此外本发明还提供了一种等离子处理装置的使用方法。
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公开(公告)号：CN116288262A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202111531442.5
申请日：2021-12-14
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/455 , H01L21/205
Abstract: 本揭露涉及一种气体切换系统及其相关半导体制程方法。在本揭露的一实施例中，一种气体切换系统，其适用于向半导体制程装置提供气体切换功能，所述半导体制程装置至少包含设置于上游的制程气体源、设置于下游的制程腔室以及真空泵，所述气体切换系统设置在所述制程气体源与所述制程腔室之间，其特征在于，所述气体切换系统包括：实质上居中设置的第一反应气体入口和第二反应气体入口，所述第一反应气体入口和所述第二反应气体入口分别经配置以接收来自所述制程气体源的反应气体；分别设置于所述第一反应气体入口两侧的第一阀体单元和第二阀体单元；及分别设置于所述第二反应气体入口两侧的第三阀体单元和第四阀体单元。
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公开(公告)号：CN116031197A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211288470.3
申请日：2022-10-20
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/205 , C23C16/458
Abstract: 本发明公开了一种晶圆支撑结构、一种晶圆加工装置及其加工方法。该晶圆支撑结构设置于气相沉积设备的反应腔内，包括：金属顶针，经由设置于晶圆托盘的顶针过孔穿过该晶圆托盘，以支撑放置于该晶圆托盘上的晶圆，其中，该顶针过孔与该金属顶针之间保持间隙，该间隙的宽度是根据该金属顶针的金属材料的热膨胀率确定；以及托板，设置于该金属顶针的下方，在需要顶起该晶圆时抬起，向上推动该金属顶针的下部，以顶起该晶圆。上述晶圆支撑结构、晶圆加工装置及其加工方法，不仅能够免去额外的外部加重零件，便可加重顶针的重量以使其快速降落，并且能够缩小顶针过孔，以提高顶针支撑晶圆重复放置的精度，且增强顶针的强度以提高其使用寿命。
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公开(公告)号：CN116013811A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211599717.3
申请日：2022-12-12
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明涉及半导体制造设备技术领域，更具体的说，涉及一种针对异形孔喷淋板的工艺间隙校正工装及校正方法。本发明提供了一种针对喷淋板的工艺间隙校正工装，包括上方校准基准板、量块和下托板；所述上方校准基准板，通过量块与下托板连接；所述下托板，用于放置晶圆间隙量测系统；所述上方校准基准板，用于提供校准面，所述校准面与待测喷淋板面形状相同；所述量块高度与所需校准的工艺间隙高度相同。本发明提出的针对喷淋板的工艺间隙校正工装及校正方法，通过将AGS上方校准基准板的校准面设计成实际的异形孔喷淋板面，实现对异形孔喷淋板的无误差间隙校准。
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