公开(公告)号：CN115354307B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202211164987.1

申请日：2022-09-23

Applicant: 拓荆科技股份有限公司

Inventor： 刘镇颉 ,  柳雪 ,  宋宇 ,  魏佳楠 ,  韩影 ,  殷皓

IPC: C23C16/458

Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，更具体的说，涉及一种真空加热衬底设备。本发明提供了一种真空加热衬底设备，包括衬底处理腔室、真空吸附式加热装置和压力控制系统；所述真空吸附式加热装置，设置在衬底处理腔室的内部，用于放置衬底并进行加热；所述压力控制系统包括吸附子系统、解吸附子系统、清洁子系统和压力调节子系统；所述解吸附子系统，可通断地与吸附子系统相连接，用于对衬底实现解吸附，所述解吸附子系统设置有颗粒收集器，对工艺过程中累积的颗粒进行收集。本发明提供的真空加热衬底设备，在提高衬底薄膜均匀性的同时避免了压力控制系统频繁更换的问题。

公开(公告)号：CN115763352A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211420787.8

申请日：2022-11-11

Applicant: 拓荆科技股份有限公司

Inventor： 阮大鹏 ,  高级 ,  柳雪 ,  魏佳楠

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置及半导体加工工艺方法，涉及半导体加工技术领域，所述半导体装置包括：反应腔室；加热盘，设于所述反应腔室内；所述加热盘上开设有吸附孔；前级管道，顶端与所述反应腔室连通，底端与真空泵连接；真空吸附管路，包括第一至第三连接管路；所述第一至第三连接管路分别连通所述加热盘、所述前级管道的顶端和底端。这样，通过对所述第一至第三阀门的逻辑控制，使所述第一至第三阀门在时序控制下转动，以切换所述第一至第三连接管路导通或阻断状态，从而将真空吸附管路中的残留气体完全排空，提升真空吸附效果、降低晶圆吸附不牢靠而掉落的现象、减少产品错误率和能源浪费。

公开(公告)号：CN115354307A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202211164987.1

申请日：2022-09-23

Applicant: 拓荆科技股份有限公司

Inventor： 刘镇颉 ,  柳雪 ,  宋宇 ,  魏佳楠 ,  韩影 ,  殷皓

IPC: C23C16/458

Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，更具体的说，涉及一种真空加热衬底设备。本发明提供了一种真空加热衬底设备，包括衬底处理腔室、真空吸附式加热装置和压力控制系统；所述真空吸附式加热装置，设置在衬底处理腔室的内部，用于放置衬底并进行加热；所述压力控制系统包括吸附子系统、解吸附子系统、清洁子系统和压力调节子系统；所述解吸附子系统，可通断地与吸附子系统相连接，用于对衬底实现解吸附，所述解吸附子系统设置有颗粒收集器，对工艺过程中累积的颗粒进行收集。本发明提供的真空加热衬底设备，在提高衬底薄膜均匀性的同时避免了压力控制系统频繁更换的问题。

公开(公告)号：CN218918830U

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202223047596.X

申请日：2022-11-16

Applicant: 拓荆科技股份有限公司

Inventor： 阮大鹏 ,  阚金卓 ,  柳雪 ,  魏佳楠 ,  殷皓

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/06 ,  H01J37/32

Abstract: 本实用新型涉及半导体加工技术领域，具体提供了一种半导体装置及半导体设备，所述半导体装置包括：反应腔室，所述反应腔室内设有加热盘；真空夹持组件，与所述反应腔室内的所述加热盘连接；其中，所述真空夹持组件的数量与所述反应腔室数量相对应，在所述真空夹持组件为偶数个的情况下，偶数个所述真空夹持组件对称设置。这样，每一个反应腔室配备一个独立的真空夹持组件，各自工作、互不影响，还可以减小工艺副产物抽出速度，减小副产物积累造成的管路堵塞、阀门内漏的现象，进而提高晶圆吸附效果、减少异常工艺表现。