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公开(公告)号：CN114686853A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011643092.7
申请日：2020-12-31
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 一种可控气流分布的气体喷头，其设置于薄膜沉积装置的腔体内，且包括：第一层面板，其具有多个按第一规律分布的第一气体供给孔；第二层面板，其座靠于第一层面板上，且具有多个按第二规律分布的第二气体供给孔。其中第一规律不同于第二规律，且第一层面板和第二层面板中的一者能够相对于另一者旋转至少一定角度，使得二者可相对于彼此具有不同的第一位置和第二位置。在第一位置，所有的第一气体供给孔均未被第二层面板遮盖；在第二位置，第一气体供给孔中的一部分与相应的第二气体供给孔对准，另一部分被第二层面板遮盖。该气体喷头可调节气流分布和气流量，有助于满足不同的薄膜沉积工艺的喷射需要和提高沉积的薄膜的均匀性。
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公开(公告)号：CN115354307B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202211164987.1
申请日：2022-09-23
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/458
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，更具体的说，涉及一种真空加热衬底设备。本发明提供了一种真空加热衬底设备，包括衬底处理腔室、真空吸附式加热装置和压力控制系统；所述真空吸附式加热装置，设置在衬底处理腔室的内部，用于放置衬底并进行加热；所述压力控制系统包括吸附子系统、解吸附子系统、清洁子系统和压力调节子系统；所述解吸附子系统，可通断地与吸附子系统相连接，用于对衬底实现解吸附，所述解吸附子系统设置有颗粒收集器，对工艺过程中累积的颗粒进行收集。本发明提供的真空加热衬底设备，在提高衬底薄膜均匀性的同时避免了压力控制系统频繁更换的问题。
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公开(公告)号：CN113136567A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110269674.1
申请日：2021-03-12
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明是关于一种改善腔体气流均匀性的薄膜沉积装置及方法，该薄膜沉积装置包括腔体包括第一室和第二室，设置于第一室和第二室上方的进气口，设置于腔体下部中心处的泵抽气口，泵抽气口连通第一室和第二室，并与泵连接，第一室内的结构和第二室内的结构相同，薄膜沉积装置还包括：加热盘上承载基板，加热盘背离基板的一侧设有支撑柱，支撑柱位于加热盘的中心处；陶瓷环设置于第一室和第二室的侧壁上；第一隔板，设置于加热盘背离基板的一侧，第一隔板上设有第一穿过孔，支撑柱穿过第一穿过孔，第一隔板与加热盘之间设有间隔。该薄膜沉积装置使泵排气流速可控，使腔体内压力和气流均匀，优化薄膜的均匀性，提高泵排气流速减少残留物。
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公开(公告)号：CN115354307A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211164987.1
申请日：2022-09-23
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/458
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，更具体的说，涉及一种真空加热衬底设备。本发明提供了一种真空加热衬底设备，包括衬底处理腔室、真空吸附式加热装置和压力控制系统；所述真空吸附式加热装置，设置在衬底处理腔室的内部，用于放置衬底并进行加热；所述压力控制系统包括吸附子系统、解吸附子系统、清洁子系统和压力调节子系统；所述解吸附子系统，可通断地与吸附子系统相连接，用于对衬底实现解吸附，所述解吸附子系统设置有颗粒收集器，对工艺过程中累积的颗粒进行收集。本发明提供的真空加热衬底设备，在提高衬底薄膜均匀性的同时避免了压力控制系统频繁更换的问题。
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公开(公告)号：CN114717538A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210425819.7
申请日：2022-04-21
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/44
Abstract: 本申请提供了一种薄膜沉积装置及其沉积方法，涉及半导体技术领域；该装置包括壳体，所述壳体内设置有反应室和环形抽气室；所述反应室与所述环形抽气室之间设置有环形抽气通道；其中，所述壳体上设置有用于向所述环形抽气室注入第二气体的第二气体进气口，所述环形抽气室上设置有抽气口。本申请公开了一种薄膜沉积方法。本申请提供的薄膜沉积装置及其沉积方法可以减少薄膜沉积过程中的沉积在装置内的薄膜材料，减少装置清洗，提高产能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113237997A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110320294.6
申请日：2021-03-25
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明公开了一种臭氧浓度检测装置、检测系统及检测方法，其中臭氧浓度检测装置包括臭氧进气管路、臭氧出气管路、臭氧浓度计和控制盒，所述臭氧浓度计两端分别和臭氧进气管路、臭氧出气管路连接，所述控制盒安装于臭氧浓度计上；其中所述控制盒包括用于给所述臭氧浓度计供电的电源模块及数字显示器、臭氧浓度采集、检测单元。本发明提供的一种臭氧浓度检测装置，可以作为一个独立的工装应用于同一机台或者不同机台，检测不同设备的臭氧浓度；将该装置置于检测系统中，能够精确检测臭氧进入腔体前的浓度，检测时间快，应用一种臭氧浓度检测方法可以实现现场检测，成本低，具有生产经济价值，可以帮助解决不同腔体之间的工艺差异性。
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公开(公告)号：CN114717538B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202210425819.7
申请日：2022-04-21
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/44
Abstract: 本申请提供了一种薄膜沉积装置及其沉积方法，涉及半导体技术领域；该装置包括壳体，所述壳体内设置有反应室和环形抽气室；所述反应室与所述环形抽气室之间设置有环形抽气通道；其中，所述壳体上设置有用于向所述环形抽气室注入第二气体的第二气体进气口，所述环形抽气室上设置有抽气口。本申请公开了一种薄膜沉积方法。本申请提供的薄膜沉积装置及其沉积方法可以减少薄膜沉积过程中的沉积在装置内的薄膜材料，减少装置清洗，提高产能。
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公开(公告)号：CN114686853B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202011643092.7
申请日：2020-12-31
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 一种可控气流分布的气体喷头，其设置于薄膜沉积装置的腔体内，且包括：第一层面板，其具有多个按第一规律分布的第一气体供给孔；第二层面板，其座靠于第一层面板上，且具有多个按第二规律分布的第二气体供给孔。其中第一规律不同于第二规律，且第一层面板和第二层面板中的一者能够相对于另一者旋转至少一定角度，使得二者可相对于彼此具有不同的第一位置和第二位置。在第一位置，所有的第一气体供给孔均未被第二层面板遮盖；在第二位置，第一气体供给孔中的一部分与相应的第二气体供给孔对准，另一部分被第二层面板遮盖。该气体喷头可调节气流分布和气流量，有助于满足不同的薄膜沉积工艺的喷射需要和提高沉积的薄膜的均匀性。
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公开(公告)号：CN113136567B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110269674.1
申请日：2021-03-12
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明是关于一种改善腔体气流均匀性的薄膜沉积装置及方法，该薄膜沉积装置包括腔体包括第一室和第二室，设置于第一室和第二室上方的进气口，设置于腔体下部中心处的泵抽气口，泵抽气口连通第一室和第二室，并与泵连接，第一室内的结构和第二室内的结构相同，薄膜沉积装置还包括：加热盘上承载基板，加热盘背离基板的一侧设有支撑柱，支撑柱位于加热盘的中心处；陶瓷环设置于第一室和第二室的侧壁上；第一隔板，设置于加热盘背离基板的一侧，第一隔板上设有第一穿过孔，支撑柱穿过第一穿过孔，第一隔板与加热盘之间设有间隔。该薄膜沉积装置使泵排气流速可控，使腔体内压力和气流均匀，优化薄膜的均匀性，提高泵排气流速减少残留物。
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公开(公告)号：CN113249707A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110428360.1
申请日：2021-04-21
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/44
Abstract: 本发明公开了一种薄膜沉积装置和薄膜沉积方法，其中一种薄膜沉积装置包括：反应腔室、承载座，所述承载座设置于反应腔室中，用于承载基板；所述反应腔室上部设有第一进气口，反应腔室下部设有第二气体进气口和泵抽气口，所述反应腔室内的两侧设有环形侧壁，所述反应腔室内还设有分隔板和第二气体出气环；本发明提供的一种薄膜沉积装置，可与薄膜沉积工艺同步进行，减少清洗时间提高产能，并改善腔体及薄膜颗粒度；本发明提供的薄膜沉积方法，通过腔体侧壁形成气环降低腔体侧壁的温度，通过惰性气体稀释腔体底部的反应源浓度，防止薄膜累积过多及清除不彻底而产生的颗粒，改善了腔体及薄膜颗粒度。
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