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公开(公告)号：CN115584484A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211066451.6
申请日：2022-09-01
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供了一种清洗气体双管道输送模块以及薄膜沉积设备。清洗气体双管道输送模块包括清洗气体输入模块、清洗气体输送管道及清洗气体分气块。清洗气体输入模块具有进气管路和从该进气管路下端分支的多个分气端口。每个分气端口的轴向与该进气管路的轴向垂直，每个分气端口具有上下设置且互相平行的第一和第二支路，将从进气管路通入的清洗气体分为两路输送至该清洗气体输送管道。清洗气体输送管道具有第一和第二支路管道，分别与第一和第二支路连接。清洗气体分气块具有第一和第二导流通道，第一导流通道与第一支路管道连通，第二导流通道与第二支路管道连通，用于将第一和第二支路管道送来的清洁气体进行转向。
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公开(公告)号：CN116180047B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202310200061.1
申请日：2023-03-03
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开了一种晶圆加工装置及其控制方法，以及一种晶圆加工方法。该晶圆加工装置包括：反应腔室，其上覆盖腔室盖板，其中，该腔室盖板的中心区域设有中心观察窗，该中心观察窗的上表面设有第一刻度，而其下表面设有第二刻度，该第一刻度和该第二刻度垂直对应；以及晶圆托盘，设于该反应腔室内部，并配置有托盘调节机构，其中，该晶圆托盘的上表面设有第三刻度，该晶圆托盘在真空状态下被该托盘调节机构调节到目标位置时，该第三刻度垂直对应该第一刻度及该第二刻度。本发明能够在更加匹配晶圆加工工艺环境的真空状态下，对晶圆托盘进行可视化精确定位，从而规避晶圆在大气状态下和工艺环境下调节位置存在的偏差，提高晶圆镀膜的均匀性。
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公开(公告)号：CN116180046A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310199979.9
申请日：2023-03-03
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/52 , C23C16/458 , H01L21/68 , H01L23/544 , H01L21/673 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种晶圆加工装置及其加工方法。该晶圆加工装置包括：反应腔室，其上覆盖腔室盖板，该腔室盖板的中心区域设有中心观察窗，该中心观察窗的上表面设有第一刻度，而其下表面设有第二刻度，其中，该第一刻度和该第二刻度垂直对应；以及晶圆托盘，设于该反应腔室内部，用于放置待加工晶圆，其中，该待加工晶圆的上表面设有第三刻度，该第三刻度在该待加工晶圆位于该晶圆托盘上的目标位置时，垂直对应该第一刻度及该第二刻度。采用上述晶圆加工装置及其加工方法，能够对晶圆调片过程进行可视化的精确定位，从而保证机械手传送晶圆进入反应腔体后与晶圆托盘尽可能地保持同心，进而提高半导体薄膜设备镀膜的均匀性。
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公开(公告)号：CN116180053A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310199971.2
申请日：2023-03-03
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种抽气环及其加工方法，以及一种薄膜沉积设备。该抽气环设置于反应腔体内的晶圆托盘的外围，其至少一侧设有该反应腔体的抽气口，用于经由该抽气环的环体上分布的多个抽气孔，从该抽气环内部抽气，至少一部分该抽气孔包括设于该抽气环的内侧的第一孔径的第一槽孔，以及设于该第一槽孔外侧的第二孔径的第二槽孔，其中，该第二孔径大于该第一孔径，以构成阶梯孔，该第二槽孔的槽孔深度随该抽气孔到该抽气口的距离的递增而递增。通过上述结构，能够解决抽气环上各抽气孔到抽气口的距离不同，所产生的抽气环环内区域抽气不均匀问题，从而避免生成的晶圆薄膜沉积厚度不均匀问题。
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公开(公告)号：CN116180047A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310200061.1
申请日：2023-03-03
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开了一种晶圆加工装置及其控制方法，以及一种晶圆加工方法。该晶圆加工装置包括：反应腔室，其上覆盖腔室盖板，其中，该腔室盖板的中心区域设有中心观察窗，该中心观察窗的上表面设有第一刻度，而其下表面设有第二刻度，该第一刻度和该第二刻度垂直对应；以及晶圆托盘，设于该反应腔室内部，并配置有托盘调节机构，其中，该晶圆托盘的上表面设有第三刻度，该晶圆托盘在真空状态下被该托盘调节机构调节到目标位置时，该第三刻度垂直对应该第一刻度及该第二刻度。本发明能够在更加匹配晶圆加工工艺环境的真空状态下，对晶圆托盘进行可视化精确定位，从而规避晶圆在大气状态下和工艺环境下调节位置存在的偏差，提高晶圆镀膜的均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115585397A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211203791.9
申请日：2022-09-29
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: F17D1/02 , F17D1/04 , F17D3/01 , F17D5/00 , H01L21/02 , H01L21/67 , C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/52 , B08B9/032
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，更具体的说，涉及一种气体传输管路系统。本发明提供了一种气体传输管路系统，包括化学源传输管路、化学源吹扫管路和连接管路：所述化学源传输管路，包括化学源输入管路和化学源输出管路；所述化学源输入管路，可通断地与化学源吹扫管路连接；所述化学源输出管路，可通断地与连接管路连接，设置有至少一个ALD阀；所述化学源吹扫管路，可通断地分别与化学源输入管路、化学源输出管路和连接管路连接；其中，所述化学源输出管路，设置有喷口；所述喷口，设置在所述至少一个ALD阀的上游位置。本发明提供的气体传输管路系统，既可以实现化学源流入量的精准控制，又可以大大提高吹扫效率，减少工艺时间，提高产量。
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公开(公告)号：CN115125514A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210916580.3
申请日：2022-08-01
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供了一种腔内抽气结构及半导体沉积设备，涉及半导体沉积设备的技术领域。腔内抽气结构包括腔体总成、喷淋面板总成、衬套总成和用于承载晶圆的加热件；腔体总成上开设有抽气口；衬套总成设置在腔体总成内，加热件设置在腔体总成内；喷淋面板总成设置在腔体总成的顶部，喷淋面板总成与加热件之间形成反应室；喷淋面板总成的底部与衬套总成之间密封，且喷淋面板总成与衬套总成之间形成待抽室；喷淋面板总成的底部设置有抽气通道，且抽气通道的位于反应室内的一端的高度低于位于待抽室内的一端的高度。半导体沉积设备包括腔内抽气结构。达到了无需抬高喷淋面板总成高度的技术效果。
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公开(公告)号：CN115125514B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202210916580.3
申请日：2022-08-01
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供了一种腔内抽气结构及半导体沉积设备，涉及半导体沉积设备的技术领域。腔内抽气结构包括腔体总成、喷淋面板总成、衬套总成和用于承载晶圆的加热件；腔体总成上开设有抽气口；衬套总成设置在腔体总成内，加热件设置在腔体总成内；喷淋面板总成设置在腔体总成的顶部，喷淋面板总成与加热件之间形成反应室；喷淋面板总成的底部与衬套总成之间密封，且喷淋面板总成与衬套总成之间形成待抽室；喷淋面板总成的底部设置有抽气通道，且抽气通道的位于反应室内的一端的高度低于位于待抽室内的一端的高度。半导体沉积设备包括腔内抽气结构。达到了无需抬高喷淋面板总成高度的技术效果。
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公开(公告)号：CN115692269A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211436746.8
申请日：2022-11-16
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体制造设备技术领域，更具体的说，涉及一种半导体设备腔体盖板自对中装置。本发明提供的半导体设备腔体盖板自对中装置，包括公头部件和母头部件：所述公头部件，固定在盖板上；所述母头部件，固定在腔体上，安装位置与公头部件相对应；盖板关闭过程中，公头部件对准母头部件，盖板在公头部件、母头部件的导向限制作用下与腔体对中扣合。本发明提供的半导体设备腔体盖板自对中装置，通过在盖板和腔体增加自对中的公头部件和母头部件，限制了腔体和盖板之间的对中偏差，完成盖板与腔体之间的盖合，实现盖板和腔体之间长期稳定的对中效果。
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公开(公告)号：CN116031197A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211288470.3
申请日：2022-10-20
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/205 , C23C16/458
Abstract: 本发明公开了一种晶圆支撑结构、一种晶圆加工装置及其加工方法。该晶圆支撑结构设置于气相沉积设备的反应腔内，包括：金属顶针，经由设置于晶圆托盘的顶针过孔穿过该晶圆托盘，以支撑放置于该晶圆托盘上的晶圆，其中，该顶针过孔与该金属顶针之间保持间隙，该间隙的宽度是根据该金属顶针的金属材料的热膨胀率确定；以及托板，设置于该金属顶针的下方，在需要顶起该晶圆时抬起，向上推动该金属顶针的下部，以顶起该晶圆。上述晶圆支撑结构、晶圆加工装置及其加工方法，不仅能够免去额外的外部加重零件，便可加重顶针的重量以使其快速降落，并且能够缩小顶针过孔，以提高顶针支撑晶圆重复放置的精度，且增强顶针的强度以提高其使用寿命。
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