公开(公告)号：CN113802111B

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202010538700.1

申请日：2020-06-13

Applicant: 拓荆科技股份有限公司

Inventor： 林轩宇 ,  柳雪 ,  王琳琳 ,  叶五毛

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/513 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明公开了一种使用等离子体处理衬底的设备及改善晶圆薄膜表面形貌的方法，其中，设备由一个衬底支撑件和多个陶瓷件构成，且各个陶瓷件具有不同高度的侧壁，每个陶瓷件均可活动套装在衬底支撑件的外周，通过上述的结构设计，可通过更换套装在衬底支撑件外周的陶瓷件，以实现衬底支撑件侧壁面积的调整，使用时，实现等离子体分布的改变，使得沉积速率和均匀性也随之改变，从而改变薄膜边缘的形貌，即通过设备硬件的结构调整可实现制备的晶圆薄膜形貌的改变；所述改善晶圆薄膜表面形貌的方法，是基于上述设备获得的；上述使用等离子体处理衬底的设备，具有结构简单、设计合理、简单易行等优点。

公开(公告)号：CN113802111A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202010538700.1

申请日：2020-06-13

Applicant: 拓荆科技股份有限公司

Inventor： 林轩宇 ,  柳雪 ,  王琳琳 ,  叶五毛

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/513 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明公开了一种使用等离子体处理衬底的设备及改善晶圆薄膜表面形貌的方法，其中，设备由一个衬底支撑件和多个陶瓷件构成，且各个陶瓷件具有不同高度的侧壁，每个陶瓷件均可活动套装在衬底支撑件的外周，通过上述的结构设计，可通过更换套装在衬底支撑件外周的陶瓷件，以实现衬底支撑件侧壁面积的调整，使用时，实现等离子体分布的改变，使得沉积速率和均匀性也随之改变，从而改变薄膜边缘的形貌，即通过设备硬件的结构调整可实现制备的晶圆薄膜形貌的改变；所述改善晶圆薄膜表面形貌的方法，是基于上述设备获得的；上述使用等离子体处理衬底的设备，具有结构简单、设计合理、简单易行等优点。

公开(公告)号：CN113818005A

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202010565007.3

申请日：2020-06-19

Applicant: 拓荆科技股份有限公司

Inventor： 蔡新晨 ,  林轩宇 ,  张亚梅 ,  苏欣

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明提供一种薄膜制备设备及方法，包括腔体、盖板、给气装置和衬底支撑装置；腔体和盖板密封偶接，衬底支撑装置固定于腔体底部，衬底支撑装置上表面有用于支撑衬底的可移除支件；给气装置偶接于盖板上且与衬底支撑装置彼此相对，给气装置包括气体混合腔和孔板调整装置，孔板调整装置由固定的气体筛板和可替换的孔板配合构成，气体筛板固定于气体混合腔体内。这样，通过固定的气体筛板和可替换的孔板调节气体混合腔内的气体流向晶圆的气体流量，进而在晶圆上对应不同喷气孔的位置形成不同厚度的薄膜，弥补晶圆表面薄膜厚度较薄位置的薄膜，调整晶圆表面薄膜的厚度分布，提高晶圆表面薄膜的均匀性。

公开(公告)号：CN113818003A

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202010565010.5

申请日：2020-06-19

Applicant: 拓荆科技股份有限公司

Inventor： 蔡新晨 ,  林轩宇 ,  张亚梅 ,  柴智

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/505 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 本申请实施例提供了一种薄膜制备方法及设备，薄膜制备设备可以包括位于反应腔室中的衬底支撑件，以及位于衬底支撑件上表面凹槽中的绝缘柱，在绝缘柱置入凹槽中时，绝缘柱的上表面突出衬底支撑件的上表面，绝缘柱为多个，用于固定衬底，绝缘柱突出衬底支撑件上表面的高度根据待测膜层的折射率和/或消光系数的分布确定，待测膜层为预先在反应腔中形成于测试衬底表面上的膜层，也就是说，本申请实施例中，可以通过调整绝缘柱的高度，来调整绝缘柱上固定的衬底和衬底支撑件之间的距离，从而调控在衬底上形成的膜层的特性，可以通过调整绝缘柱的高度来均衡衬底上形成的膜层不同位置的折射率和/或消光系数，提高膜层的均匀性，提高成膜质量。

公开(公告)号：CN113802110A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202010538699.2

申请日：2020-06-13

Applicant: 拓荆科技股份有限公司

Inventor： 林轩宇 ,  柳雪 ,  柴智 ,  王琳琳

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/44 ,  C23C16/50

Abstract: 本发明公开了一种提高清洗效率的等离子腔室，包括喷淋板、抽气环、加热盘以及陶瓷套；其中，所述喷淋板与抽气环的间隙尺寸小于1mm。该结构中喷淋板与抽气环采用新的配合方式，从而应用该结构达到了降低PECVD腔内的清洗时间、气体用量及颗粒度，提高产能，节约成本，降低硬件损伤的目的。