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公开(公告)号：CN115478262B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202211135005.6
申请日：2022-09-19
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供了晶圆承载结构、热力学原子层沉积设备及薄膜制备方法。所述晶圆承载结构包括边缘环。所述边缘环支撑并封闭晶圆的外边缘，以防止反应气体进入所述晶圆的背部空间。通过配置该边缘环，所述晶圆承载结构能够减少化学源气体在晶圆背面的扩散，以避免晶圆背面长膜的情况，从而提升制备的晶圆及芯片的电气参数及可靠性。
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公开(公告)号：CN118223004A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202211640074.2
申请日：2022-12-20
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供了一种多级气体混合装置，所述装置包括：多级混合器，其中，每级混合器具有第一进气管道、第二进气管道以及混气输出管道；其中，多级混合器中的第一级混合器的第一进气管道流入第一气体，第二进气管道流入第二气体；第一气体和第二气体在第一级混合器中进行混合，得到混气；每级混合器的混气输出管道与下一级混合器的第一进气管道连接，该下一级混合器的第二进气管道流入不同于第一气体和第二气体的其他气体；其中，每级混合器设置有压力检测装置，每级混合器中的混气在一预设温度中达到一预设压力时，该混气进入下一级混合器；每级混合器的预设温度呈梯度上升。
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公开(公告)号：CN115449779B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211116932.3
申请日：2022-09-14
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供了一种连续性沉积薄膜时片间均一性的改善方法及其应用，涉及薄膜沉积的技术领域，本发明的改善方法包括：在利用鼓泡法或者热蒸发法输运反应源蒸汽进行连续性沉积薄膜的过程中，控制反应源蒸汽供给系统的温度恒定以改善片间均一性。本发明解决了反应源蒸汽供给不足所导致的管线压力产生波动和所沉积薄膜厚度不稳定的技术问题，达到了反应源蒸汽浓度稳定且供给足够、管线压力稳定以及薄膜沉积稳定性高的技术效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116356285A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202111574186.8
申请日：2021-12-21
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/67
Abstract: 本申请涉及一种半导体处理装置及方法。在本申请的一个实施例中，半导体处理装置包括：工艺腔；气体源；以及气体管线，其耦接在所述气体源与所述工艺腔之间；其中所述气体管线上设置有流通能力可调的限流部件，所述限流部件用以控制所述气体管线中的气体流速。
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公开(公告)号：CN117004923A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210472705.8
申请日：2022-04-29
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
Inventor： 张阁
IPC: C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本申请涉及一种半导体处理装置。在本申请的一个实施例中，半导体处理装置包括工艺腔、汽化装置和气体管线。所述汽化装置用以使经由第一管线进入所述汽化装置的液态反应源物质汽化。所述气体管线耦接在所述汽化装置与所述工艺腔之间，用以向所述工艺腔输送所述汽化装置产生的经汽化的反应源物质。
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公开(公告)号：CN116875959A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310848601.7
申请日：2023-07-11
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种薄膜沉积的辅助装置、薄膜沉积设备以及一种薄膜沉积排出物的处理方法。辅助装置包括：第一阀门，与反应腔室连接，用以调整反应腔室内的气压；以及捕集部，设置于反应腔室和该第一阀门之间，用于收集在反应腔内进行一次薄膜沉积反应完成后的反应腔室中未反应完的一次气液态排出物，并使其在捕集部内进行二次薄膜沉积反应；以及结构，设置于捕集部内，用于过滤进行二次薄膜沉积反应后的二次气液态排出物，以排出干净的气体。通过上述薄膜沉积的辅助装置结构简单，并能有效避免从反应腔室排出的气液态物质在阀门内部进行沉积堵塞阀门，从而延长阀门的生命周期，降低设备故障率，提高机台的运行时间，减少维护成本。
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公开(公告)号：CN115478262A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211135005.6
申请日：2022-09-19
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供了晶圆承载结构、热力学原子层沉积设备及薄膜制备方法。所述晶圆承载结构包括边缘环。所述边缘环支撑并封闭晶圆的外边缘，以防止反应气体进入所述晶圆的背部空间。通过配置该边缘环，所述晶圆承载结构能够减少化学源气体在晶圆背面的扩散，以避免晶圆背面长膜的情况，从而提升制备的晶圆及芯片的电气参数及可靠性。
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公开(公告)号：CN115449779A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211116932.3
申请日：2022-09-14
Applicant: 拓荆科技股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供了一种连续性沉积薄膜时片间均一性的改善方法及其应用，涉及薄膜沉积的技术领域，本发明的改善方法包括：在利用鼓泡法或者热蒸发法输运反应源蒸汽进行连续性沉积薄膜的过程中，控制反应源蒸汽供给系统的温度恒定以改善片间均一性。本发明解决了反应源蒸汽供给不足所导致的管线压力产生波动和所沉积薄膜厚度不稳定的技术问题，达到了反应源蒸汽浓度稳定且供给足够、管线压力稳定以及薄膜沉积稳定性高的技术效果。
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