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公开(公告)号：CN117099184A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202280024660.6
申请日：2022-03-16
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明是一种氮化物半导体晶圆的制造方法，所述氮化物半导体晶圆在单晶硅基板上形成氮化物半导体膜，该方法包括：在所述单晶硅基板上形成所述氮化物半导体膜的工序；以及将1×1014/cm2以上的照射量的电子束照射至所述单晶硅基板的工序。由此，提供一种氮化物半导体晶圆的制造方法，其在使氮化物半导体膜形成在单晶硅基板上而获得的氮化物半导体晶圆中，改善了由基板所造成的损失及第2高次谐波的特性。
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公开(公告)号：CN111033696B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201880052419.8
申请日：2018-07-31
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明为一种硅晶圆的清洗方法，其依次包含下述工序：边以第一转速使所述硅晶圆旋转，边对所述硅晶圆的表面供给氢氟酸而进行处理的工序；停止供给所述氢氟酸，且同时不对所述硅晶圆的表面供给纯水，而是边以与所述第一转速相同或较之更快的第二转速使所述硅晶圆旋转，边将存在于所述硅晶圆表面的氢氟酸甩尽的工序；以及边以比所述第二转速更快的第三转速使所述表面的氢氟酸被甩尽后的所述硅晶圆旋转，边对所述硅晶圆的表面供给臭氧水而进行处理的工序。由此可提供一种能够抑制水痕或颗粒的附着而提升晶圆品质的硅晶圆的清洗方法。
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公开(公告)号：CN116888309A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202280014498.X
申请日：2022-01-26
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 北川胜之
IPC: C30B29/06
Abstract: 本发明为一种原料熔液的表面状态的检测方法，其在利用CZ法从坩埚内的原料熔液提拉单晶的单晶制造过程中，检测坩埚内的原料熔液的表面状态，其中，使用两台CCD照相机从不同方向同时拍摄坩埚内的原料熔液表面的任意相同检查区域，而获得检查区域的测量图像，使用两台CCD照相机的测量图像的视差数据，自动地检测从原料完全熔融的状态成为在原料熔液的表面形成有固化的状态的固化时机、及从在原料熔液的表面形成有固化的状态成为完全熔融的状态的熔融完毕时机中的一个以上。由此，提供原料熔液的表面状态的检测方法、单晶的制造方法及CZ单晶制造装置，其在利用CZ法进行单晶制造时，能够高精确度地检测原料熔液的固化及熔融完毕的时机，并能够减轻作业员负担。
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公开(公告)号：CN111033709B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201880053627.X
申请日：2018-08-08
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 竹野博
IPC: H01L21/66 , C30B13/10 , C30B29/06 , H01L21/322
Abstract: 本发明为一种复合寿命的控制方法，其通过进行准备控制载流子的复合寿命的硅基板的准备工序；粒子束照射工序；及热处理工序，控制所述硅基板的载流子的复合寿命，所述控制方法的特征在于，在进行所述准备工序之前，预先取得测定的复合寿命与氮浓度的相互关系，基于该相互关系，以使所述硅基板的所述热处理工序后的复合寿命成为目标值的方式，在所述准备工序中调节氮浓度。由此提供一种在控制载流子的复合寿命的的制造工序中，能够减小复合寿命的偏差，能够以高精度控制复合寿命的复合寿命的控制方法。
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公开(公告)号：CN111602231B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201980007004.3
申请日：2019-01-16
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种晶圆清洗处理装置，其将晶圆保持于配置在腔体内且能够旋转的台座之上，一边使所述晶圆旋转一边通过药液对所述晶圆进行清洗处理，其特征在于，所述腔体具备向腔体内供给气体的供气部及将气体排出的排气部；所述晶圆清洗处理装置包括：杯部，能够上下移动，配置为围绕保持所述晶圆的台座，且捕捉从旋转的晶圆甩飞的清洗后的药液；以及遮蔽板，配置于该杯部的外侧，从所述腔体的内壁向内侧延伸且为具有中央孔的形状。由此，提供一种在杯部上升及下降时使气体的流路不大幅变化且将腔体内的压力维持于固定的晶圆清洗处理装置及晶圆清洗方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111418045B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201880077941.1
申请日：2018-11-01
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B27/06 , B28D5/04
Abstract: 本发明提供一种线锯装置，其具备：多个金属线引导部；金属线列，由卷绕于所述多个金属线引导部并沿轴向往返移动的金属线形成；喷嘴，向所述金属线供给冷却剂或浆料；工件保持部，将经由梁而粘接有工件的工件板悬挂并保持；以及工件进给机构，将所述工件按压至所述金属线列，其特征在于，还具备对形成所述金属线列的所述多个金属线引导部的轴的平行度进行调整的机构。由此，提供对切断后的工件的金属线移动方向的翘曲进行控制，并能够制造具有任意的翘曲形状的晶圆的线锯装置及晶圆的制造方法。
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公开(公告)号：CN109564887B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201780047185.3
申请日：2017-04-24
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种装载埠以及晶圆搬送方法，该装载埠设有：构成晶圆搬送室的壁面的一部分且具有使该晶圆搬送室内开放的开口的板状部、载置晶圆收纳容器的载置台、使该开口得以开闭的扉部、得以吸着支承盖的吸着具、得以进行容器本体与盖的固定及固定解除的闩、以及收纳有闩驱动机构的闩驱动机构收纳部。该装载埠配置成能够使闩驱动机构收纳部的内部的气压较无尘室的气压为同压，或较无尘室的气压更为低压。由此提供能防止于自晶圆收纳容器进行晶圆出入时，在装载埠及晶圆收纳容器的盖内部的可动部等发生的尘埃附着于晶圆的装载埠及晶圆的搬送方法。
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公开(公告)号：CN116210073A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202180053731.0
申请日：2021-05-31
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种研磨用组合物，其特征在于，包含：研磨粒；与水溶性高分子及表面活性剂中的至少1种，所述研磨用组合物中的所述研磨粒的浓度(ppmw)相对于总有机碳的浓度(ppmw)的比为30以下。由此，能够提供：可提供结晶缺陷及研磨缺陷的显现得以抑制的晶圆的研磨用组合物；可提供结晶缺陷及研磨缺陷的显现得以抑制的晶圆的晶圆的加工方法；及即使受到蚀刻，结晶缺陷及研磨缺陷显现也得以抑制的硅晶圆。
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公开(公告)号：CN113272101B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202080008473.X
申请日：2020-01-15
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B27/06 , B28D5/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种工件的切断方法，其通过线锯进行，导线器在外表面具有沿着旋转方向以预定间距形成的多个沟，未使用的所述导线器中的所述沟的横截面形状至少具有：沟上部，位于导线器外表面侧且相对的沟壁具有第1开口角度(θ1)；沟下部，位于该沟上部的下方且相对的沟壁具有第2开口角度(θ2)；以及沟底部，位于所述沟的下端，所述第1开口角度(θ1)与所述第2开口角度(θ2)满足θ1>θ2的关系，使用满足以下关系的所述未使用的金属线与所述未使用的导线器：所述未使用的导线器的所述沟下部的沟宽度的最大值(W0,max)为未使用的金属线的线径(φ0)以上，所述未使用的导线器的所述沟下部的沟宽度的最小值(W0,min)小于所述未使用的金属线的线径(φ0)，将所述未使用的金属线设置为与所述未使用的导线器的所述沟下部的所述沟壁接触，且不与所述沟底部接触的状态，在所述金属线不与所述沟底部接触的状态下，开始所述工件的切断。由此，提供能够抑制生产能力的降低并且能够获得从导线器的使用初期起便良好且稳定的Warp值的工件的切断方法。
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公开(公告)号：CN109643669B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201780050016.5
申请日：2017-07-28
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 久米史高
Abstract: 本发明提供一种电阻率标准样本的制造方法，包含第一导电型单晶硅基板的准备步骤、使用有对国家标准的追溯性的厚度测定机器测定单晶硅基板的厚度的步骤、将第二导电型硅磊晶层于第一导电型单晶硅基板上成长而制作具有p‑n接面的磊晶晶圆的步骤、使用有对国家标准的追溯性的厚度测定机器测定磊晶晶圆的厚度的步骤、自磊晶晶圆的厚度与单晶硅基板的厚度求得硅磊晶层的厚度的步骤、以及使用有对电阻率标准物质的追溯性的电阻率测定机器的磊晶层的电阻率测定步骤。该电阻率标准样本的制造方法能够制造对电阻率标准物质(例如NIST)有追溯性的电阻率标准样本。
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