公开(公告)号：CN111418045B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN201880077941.1

申请日：2018-11-01

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 水岛一寿 ,  大高敏昭 ,  榎本辰男 ,  清水裕一

IPC: H01L21/304 ,  B24B27/06 ,  B28D5/04

Abstract: 本发明提供一种线锯装置，其具备：多个金属线引导部；金属线列，由卷绕于所述多个金属线引导部并沿轴向往返移动的金属线形成；喷嘴，向所述金属线供给冷却剂或浆料；工件保持部，将经由梁而粘接有工件的工件板悬挂并保持；以及工件进给机构，将所述工件按压至所述金属线列，其特征在于，还具备对形成所述金属线列的所述多个金属线引导部的轴的平行度进行调整的机构。由此，提供对切断后的工件的金属线移动方向的翘曲进行控制，并能够制造具有任意的翘曲形状的晶圆的线锯装置及晶圆的制造方法。

公开(公告)号：CN100346926C

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN01800519.5

申请日：2001-02-21

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 水岛一寿 ,  三浦仲寿 ,  关根靖弘 ,  铃木诚 ,  冨井和弥

IPC: B24B9/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02021 ,  B24B9/065 ,  B24B51/00 ,  B24D5/14 ,  B24D9/04

Abstract: 在本发明的这种使用抛光布和抛光膏对晶片的周面倒角部分进行镜面精加工的抛光方法中，为了通过减少抛光时间而提高抛光作业的生产率，采用了依次进行的至少包括两个抛光工序的多个工序。该抛光方法包括对晶片周面倒角部分上与晶体平面(110)相应的部分进行抛光的第一抛光工序，以及对晶片的整个周面倒角部分进行抛光的第二抛光工序。在第二抛光工序中使用的抛光布其硬度低于第一抛光工序的抛光布硬度，并在第二抛光工序中使用的抛光膏其所含颗粒的尺寸，小于第一抛光工序的抛光膏的颗粒尺寸。通过改变抛光布的硬度值和/或抛光膏的颗粒尺寸，使抛光度得以改变。

公开(公告)号：CN1364107A

公开(公告)日：2002-08-14

申请号：CN01800519.5

申请日：2001-02-21

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 水岛一寿 ,  三浦仲寿 ,  关根靖弘 ,  铃木诚 ,  冨井和弥

IPC: B24B9/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02021 ,  B24B9/065 ,  B24B51/00 ,  B24D5/14 ,  B24D9/04

Abstract: 在本发明的这种使用抛光布和抛光膏对晶片的周面倒角部分进行镜面精加工的抛光方法中,为了通过减少抛光时间而提高抛光作业的生产率,采用了依次进行的至少包括两个抛光工序的多个工序。该抛光方法包括对晶片周面倒角部分上与晶体平面(110)相应的部分进行抛光的第一抛光工序,以及对晶片的整个周面倒角部分进行抛光的第二抛光工序。在第二抛光工序中使用的抛光布其硬度低于第一抛光工序的抛光布硬度,并在第二抛光工序中使用的抛光膏其所含颗粒的尺寸,小于第一抛光工序的抛光膏的颗粒尺寸。通过改变抛光布的硬度值和/或抛光膏的颗粒尺寸,使抛光度得以改变。

公开(公告)号：CN111418045A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201880077941.1

申请日：2018-11-01

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 水岛一寿 ,  大高敏昭 ,  榎本辰男 ,  清水裕一

IPC: H01L21/304 ,  B24B27/06 ,  B28D5/04

Abstract: 本发明提供一种线锯装置，其具备：多个金属线引导部；金属线列，由卷绕于所述多个金属线引导部并沿轴向往返移动的金属线形成；喷嘴，向所述金属线供给冷却剂或浆料；工件保持部，将经由梁而粘接有工件的工件板悬挂并保持；以及工件进给机构，将所述工件按压至所述金属线列，其特征在于，还具备对形成所述金属线列的所述多个金属线引导部的轴的平行度进行调整的机构。由此，提供对切断后的工件的金属线移动方向的翘曲进行控制，并能够制造具有任意的翘曲形状的晶圆的线锯装置及晶圆的制造方法。