公开(公告)号：CN102362337A

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN201080013695.7

申请日：2010-03-15

申请人： 东丽株式会社

发明人： 坂本桂太郎 ,  野村文保 ,  小森常范

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L31/04

CPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32871 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L31/03767 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及一种等离子体处理装置，其中，等离子体生成电极具有多个气体排出孔，所述气体排出孔从与基板相对的面贯通上述等离子体生成电极至气体排出室，所述基板被基板保持机构保持，与气体导入管连接设置的气体供给管具有气体供给口，所述气体供给口朝向所述多个气体排出孔的内部，排出原料气体，所述气体供给管及所述气体供给口如下设置，即，使从该气体供给口排出的上述原料气体的流动方向的延长线与位于所述气体排出孔与所述气体排出室的边界面处的端面开口区域交叉。本发明还涉及一种使用该等离子体处理装置的非晶硅薄膜的制造方法。

公开(公告)号：CN101752463A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910249867.X

申请日：2009-11-27

申请人： 周星工程股份有限公司

发明人： 李昌浩 ,  康萤同 ,  李炫灏 ,  李龙炫 ,  金善明

IPC分类号： H01L31/20

CPC分类号： H01L31/075 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03767 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 公开一种薄膜型太阳能电池的制造方法，因其在通过等离子体CVD方法沉积非晶硅的I型半导体层的过程期间的优化的成分气体含量比、优化的腔室压强或优化的衬底温度，所以能够通过减少存在于非晶硅中的悬键位或Si-H2键位的数量来降低太阳能电池的降解，，所述方法包括：在衬底上形成前电极层；在前电极层上顺序地沉积P型半导体层、I型半导体层和N型半导体层；以及在N型半导体层上形成后电极层，其中，形成I型半导体层的过程包括在满足上述条件中的至少一个的情形下通过等离子体CVD方法形成非晶硅层，所述条件如，含硅气体和含氢气体的含量比在1∶7到1∶10的范围内；腔室压强保持在2.0托到2.4托的范围内；以及衬底温度保持在225℃到250℃的范围内。

公开(公告)号：CN1135635C

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN95192288.2

申请日：1995-03-09

申请人： 阿莫科/恩龙太阳公司

发明人： 李耀民 ,  默里S·贝内特 ,  杨立友

IPC分类号： H01L31/06 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L31/076 ,  H01L31/03767 ,  H01L31/075 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  Y02B10/12 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 通过独特的等离子淀积工艺，生产可有效防止光诱发退化和电流诱发退化的高品质、高稳定的光电器件和电子器件。通过该独特的等离子淀积工艺，可制造具有高开路电压和高负荷系数及具有较宽带隙的大功率、高效单结和多结太阳能电池。优选的工艺是较低的温度、较高的压力和由有高浓度氢气的硅烷辉光放电。

公开(公告)号：CN107148680A

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201580061522.5

申请日：2015-10-14

申请人： 信越化学工业株式会社

发明人： 大塚宽之

IPC分类号： H01L31/068

CPC分类号： H01L31/022441 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/03767 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种太阳能电池，其具备P型硅基板，该P型硅基板以一个主表面为受光面并以另一个主表面为背面，在该背面上具备部分地形成的多个背面电极，前述P型硅基板在前述受光面的至少一部分具有N型层，前述P型硅基板具有与前述背面电极接触的接触区域，前述太阳能电池的特征在于，前述P型硅基板是掺有镓的硅基板，前述P型硅基板的电阻率为2.5Ω·cm以下，前述多个背面电极的背面电极间距Prm[mm]与前述P型硅基板的电阻率Rsub[Ω·cm]满足由下式(1)表示的关系。由此，本发明提供一种太阳能电池及太阳能电池模组，所述太阳能电池使用光劣化得到抑制的基板，在所述太阳能电池中，抑制电阻损失，转换效率优异，log(Rsub)≦‑log(Prm)+1.0…(1)。

公开(公告)号：CN102834933B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201080051987.X

申请日：2010-09-17

申请人： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司

发明人： M·戴维斯 ,  J·洪 ,  G·雅库博夫斯卡-奥孔涅夫斯基 ,  S·纳瓦拉 ,  X·杨 ,  A·罗哈吉 ,  M·H·康 ,  A·U·埃邦 ,  B·C·朗萨维尔

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/03767 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本申请公开了光致衰退特性明显改善的硅太阳能电池。本申请还公开了具有包括硼、氧和碳的硅基衬底以及包括邻近衬底的至少一个含碳层的抗反射涂层（ARC）的太阳能电池。还公开了用于制备太阳能电池的方法。

公开(公告)号：CN102959720B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201180032232.X

申请日：2011-02-17

申请人： 夏普株式会社

发明人： 西村和仁 ,  奈须野善之 ,  中野孝纪

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/076 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L31/076 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/03767 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明的光电转换装置，其具有衬底（1）和设置在衬底（1）的表面上的pin型光电转换层（11、12），pin型光电转换层（11、12）包括p型半导体层（3）、非晶半导体层即i型半导体层（4）、与n型半导体层（5）层叠的第一pin型光电转换层（11），第一pin型光电转换层（11）具有位于衬底（1）的一部分的表面上的第一部分和位于衬底（1）的另一部分的表面上的第二部分，第一部分的从氧、氮及碳中选择的至少一个杂质元素的浓度比第二部分的杂质元素的浓度高，第一部分的厚度比第二部分的厚度薄。

公开(公告)号：CN103972331A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410040488.0

申请日：2014-01-27

申请人： 国际商业机器公司

发明人： A·J·宏 ,  M·J·霍普斯塔肯 ,  金志焕 ,  J·A·奥特 ,  D·K·萨达那

IPC分类号： H01L31/20 ,  H01L31/075 ,  H01L31/0352

CPC分类号： H01L31/03921 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03767 ,  H01L31/07 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1884 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及用于高性能和低光劣化的太阳能电池的缓冲层及其形成方法。一种用于形成光伏器件的方法包括在透明电极和p-型层之间形成缓冲层。缓冲层包括掺杂的无锗的硅基材料。缓冲层具有落入在透明电极和p-型层的势垒能量内的功函数。在p-型层上形成本征层和n-型层。还提供了器件。

公开(公告)号：CN102959720A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180032232.X

申请日：2011-02-17

申请人： 夏普株式会社

发明人： 西村和仁 ,  奈须野善之 ,  中野孝纪

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： H01L31/076 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/03767 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明的光电转换装置，其具有衬底（1）和设置在衬底（1）的表面上的pin型光电转换层（11、12），pin型光电转换层（11、12）包括p型半导体层（3）、非晶半导体层即i型半导体层（4）、与n型半导体层（5）层叠的第一pin型光电转换层（11），第一pin型光电转换层（11）具有位于衬底（1）的一部分的表面上的第一部分和位于衬底（1）的另一部分的表面上的第二部分，第一部分的从氧、氮及碳中选择的至少一个杂质元素的浓度比第二部分的杂质元素的浓度高，第一部分的厚度比第二部分的厚度薄。

公开(公告)号：CN102201462A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110067371.8

申请日：2011-03-21

申请人： 韩国铁钢株式会社

发明人： 明承烨

IPC分类号： H01L31/0376 ,  H01L31/042 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/03765 ,  H01L31/03767 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明的光电装置包括：第一电极；第二电极；第一电极和第二电极之间依次层压的p型窗层、缓冲层、吸光层以及n型层。当所述p型窗层由氢化非晶氧化硅构成时，所述缓冲层则由氢化非晶碳化硅或氢化非晶氧化硅构成；当所述p型窗层由氢化非晶碳化硅构成时，所述缓冲层则由氢化非晶氧化硅构成。

公开(公告)号：CN100578818C

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200610078178.3

申请日：2006-04-28

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 岛正树

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： H01L31/076 ,  H01L31/03767 ,  Y02E10/548

摘要： 本发明提供一种叠层型光电动势装置，其包括：包含作为光电转换层起作用的第一半导体层的第一发电单元；和在上述第一发电单元上形成，包含作为光电转换层起作用的、实质上的本征非晶半导体的第二半导体层的第二发电单元，其特征在于：构成上述第一发电单元的第一半导体层的主要元素的第一密度，比构成上述第二发电单元的第二半导体层的主要元素的第二密度小。