-
公开(公告)号：CN109716479A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780057110.3
申请日：2017-09-27
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/32862 , C23C14/48 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/022 , H01J2237/08 , H01J2237/18 , H01J2237/31705
Abstract: 本发明提供一种用于改善离子注入性能的离子源组件和方法。该离子源组件具有离子源腔室，并且源气体供应源向离子源腔室提供分子碳源气体。激发源激发分子碳源气体，形成碳离子和原子碳。引出电极从离子源腔室中引出碳离子，形成离子束。过氧化氢共伴气体供应源向离子源腔室提供过氧化氢共伴气体。过氧化氢共伴气体分解并与原子碳反应，在离子源腔室内形成碳氢化合物。进一步引入惰性气体并使其离子化，以抵消因过氧化氢分解所致的阴极氧化。真空泵除去碳氢化合物，其中减少原子碳的沉积并且延长离子源腔室的使用寿命。
-
公开(公告)号：CN107256819A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710456645.X
申请日：2017-06-16
Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司
IPC: H01J37/07 , H01J37/20 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/20 , H01J37/07 , H01J37/3171 , H01J2237/31705
Abstract: 本发明公开了一种离子注入机的靶盘装置，包括靶盘平台和支撑架，支撑架的上端安装靶盘平台，用于放置待加工晶圆，高能离子束进入所述靶盘装置，入射在待加工晶圆上，实现离子注入工艺，其中，还包括石墨电极单元和供电单元，所述支撑架的下端安装石墨电极单元，所述石墨电极单元为中空结构，包括石墨电极和中空区域Ⅰ，所述石墨电极和所述供电单元连接。本发明提供的一种离子注入机的靶盘装置，放置硅片的靶盘面积小于硅片面积，同时在靶台后面放置石墨电极，并在其上施加一定电压，对轰击在其上的束流进行减速，从而避免高能离子束轰击靶盘装置的其他部件，产生二次污染离子和轰击产生的颗粒。
-
公开(公告)号：CN105900208A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201480068636.8
申请日：2014-12-19
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/0213 , H01J2237/0268 , H01J2237/082 , H01J2237/31705
Abstract: 一种针对离子注入系统的离子源室(120)包括：外壳，至少部分地界定离子化区域，高能电子会从阴极(124)移动穿过所述离子化区域，以对注入所述外壳内部的气体分子进行离子化；衬垫区段(133、135、137、139)，限定所述外壳内部的一个或更多个内壁，其中每个衬垫区段包括面向内部表面，所述面向内部表面在所述离子注入系统的操作期间暴露于所述离子化区域；阴极屏蔽(153)，布置在所述阴极周围；排斥极(180)，与所述阴极相分离；板(128)，包括用于从离子源室释放离子的源孔(126)；其中，所述排斥极、所述衬垫区段、所述阴极屏蔽、所述板或在限定源孔的板中的插入件中的至少一个包括碳化硅，其中，碳化硅具有超额碳的非化学计量烧结材料。
-
公开(公告)号：CN104091767A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410289586.8
申请日：2014-06-25
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Inventor： 田慧
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01J37/3005 , H01J37/3171 , H01J2237/2445 , H01J2237/31703 , H01J2237/31705 , H01J2237/31711 , H01L21/67253
Abstract: 本发明公开了一种离子注入的监控方法，涉及半导体领域，能够准确地监控离子注入的剂量是否达到预定要求，有效避免衬底的本征电阻波动造成监测结果超限的缺陷，提高监测准确性，改善了器件的性能和良品率。所述离子注入的监控方法包括：a、提供监控片，并在监控片上形成部分覆盖的掩膜层；b、进行离子注入制程，对监控片进行预定剂量的杂质离子注入，监控片上未被掩膜层覆盖区域为杂质注入区域，被掩膜层覆盖区域为杂质未注入区域；c、剥离监控片上的掩膜层；d、对监控片进行氧化处理；e、分别测试监控片上杂质注入区域和杂质未注入区域的氧化层厚度，根据杂质注入区域和杂质未注入区域的氧化层厚度比值，监测离子注入的杂质剂量。
-
公开(公告)号：CN102067268B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200980123998.1
申请日：2009-06-23
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/05 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/05 , H01J2237/0492 , H01J2237/103 , H01J2237/1405 , H01J2237/1501 , H01J2237/1523 , H01J2237/153 , H01J2237/21 , H01J2237/24528 , H01J2237/31705
Abstract: 本发明公开了一种用于在离子注入工件(228)期间磁性过滤离子束(210)的系统(200)及方法，其中从离子源(212)发射离子且加速离子使其远离离子源以形成离子束。离子束由质谱仪(214)进行质量分析，其中离子是选定的。一旦离子束进行质量分析，离子束接着通过减速器(242)被减速，且在减速的下游进一步磁性过滤离子束。磁性过滤由四极磁性能量过滤器(250)提供，其中形成磁场，用于截取离开减速器的离子束中的离子，以选择性地过滤不想要的离子和快速中性粒子(264)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101438368B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200680047932.5
申请日：2006-12-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 拉塞尔·J·罗 , 乔纳森·G·英格兰 , 史蒂夫·E·克劳斯 , 艾立克·D·赫尔曼森
IPC: H01J3/14
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/09 , H01J37/15 , H01J37/18 , H01J37/302 , H01J37/3023 , H01J2237/0455 , H01J2237/0458 , H01J2237/1503 , H01J2237/182 , H01J2237/188 , H01J2237/30488 , H01J2237/31705 , H01L21/266
Abstract: 本发明揭示用于防止寄生的子波束影响离子植入的技术。在一个特定的示范性实施例中，所述技术可实现为一种用于防止寄生的子波束影响离子植入的设备。所述设备可包括经配置以来回地扫描点波束进而形成横跨预定宽度的离子波束的控制器。所述设备还可包括小孔机构，其在保持固定时允许点波束穿过。所述设备可进一步包括同步机构，其耦合到控制器和小孔机构，且经配置以致使小孔机构与经扫描的点波束同步地移动，从而允许经扫描的点波束穿过，但阻挡与点波束相关联的一个或一个以上寄生的子波束。
-
公开(公告)号：CN102203914A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980143988.4
申请日：2009-11-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 维克多·M·本夫尼斯特 , 詹姆士·S·贝福 , 法兰克·辛克莱 , 约瑟·C·欧尔森
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/05 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J49/30 , H01J2237/022 , H01J2237/055 , H01J2237/057 , H01J2237/083 , H01J2237/31705
Abstract: 一种带状离子束质量分析器，具有第一螺线管线圈、第二螺线管线圈以及钢质磁轭配置。每个螺线管线圈具有大致的“轨道”组态，界定了一个可供带状离子束从中穿行的空间。这两个螺线管线圈沿着带状离子束的穿行方向而分开。每个螺线管线圈产生均匀的磁场，供较宽的带状离子束进行质量解析，以产生想要的离子图像，其中离子是由离子源产生的。
-
公开(公告)号：CN101310360B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200680042530.6
申请日：2006-11-10
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/022 , H01J2237/31705 , H01L21/26513
Abstract: 在离子注入工艺中通过引入气体而减轻污染和改变表面特性的方法和系统。一种用于离子注入工艺的污染减轻或表面改变系统，包含：气体源(209)、控制器(204)、阀(210)以及处理室(111)。该气体源传送气体给该阀，该气体为大气气体或反应气体而且受控于该控制器。该阀设置在该处理室的上或附近，并且以可控制的方式来调整被传送至该处理室的气体的流速和/或组成。该处理室固定目标装置例如目标晶片，并且使该气体与离子束反应而减轻该目标晶片的污染，和/或改变该处理环境或该目标装置的既有性质以变更其物理或化学状态或特性。该控制器根据存在于该离子束内的污染物、或是不存在该污染物的情形、以及总压或分压分析来选择与调整该气体的组成以及流速。
-
公开(公告)号：CN101346803B
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200680049162.8
申请日：2006-12-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 拉塞尔·J·罗 , 乔纳森·G·英格兰 , 史蒂夫·E·克劳斯 , 艾立克·D·赫尔曼森
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/09 , H01J37/15 , H01J37/18 , H01J37/302 , H01J37/3023 , H01J2237/0455 , H01J2237/0458 , H01J2237/1503 , H01J2237/182 , H01J2237/188 , H01J2237/30488 , H01J2237/31705 , H01L21/266
Abstract: 本发明揭示用于减少光致抗蚀剂释气效应的技术。在一个特定示范性实施例中，所述技术可实行为一种用于在离子注入机中减少光致抗蚀剂释气效应的设备。所述设备可包括位于终端站与上游束线组件之间的漂移管。所述设备还可包括位于漂移管与终端站之间的第一可变孔径。所述设备可进一步包括位于漂移管与上游束线组件之间的第二可变孔径。可调节第一可变孔径和第二可变孔径以促进差动抽吸。
-
公开(公告)号：CN101346803A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200680049162.8
申请日：2006-12-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 拉塞尔·J·罗 , 乔纳森·G·英格兰 , 史蒂夫·E·克劳斯 , 艾立克·D·赫尔曼森
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/09 , H01J37/15 , H01J37/18 , H01J37/302 , H01J37/3023 , H01J2237/0455 , H01J2237/0458 , H01J2237/1503 , H01J2237/182 , H01J2237/188 , H01J2237/30488 , H01J2237/31705 , H01L21/266
Abstract: 本发明揭示用于减少光致抗蚀剂释气效应的技术。在一个特定示范性实施例中，所述技术可实行为一种用于在离子注入机中减少光致抗蚀剂释气效应的设备。所述设备可包括位于终端站与上游束线组件之间的漂移管。所述设备还可包括位于漂移管与终端站之间的第一可变孔径。所述设备可进一步包括位于漂移管与上游束线组件之间的第二可变孔径。可调节第一可变孔径和第二可变孔径以促进差动抽吸。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
59
records
(took 0.021 seconds)
