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公开(公告)号：CN112563292B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202011464304.5
申请日：2020-12-11
Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司
Abstract: 本发明属于半导体的技术领域，公开了一种新型多层红外探测器，包括设置在带读取电路的衬底上的多层阵列排布的像元集合，每个像元均包括含微桥桥面、梁结构、支撑及电连接孔在内的微桥谐振腔结构，相邻两层的像元集合中对应的高层像元与低层像元均相互错开排布，且高层像元中微桥桥面的投影面与低层像元中的梁结构、支撑及电连接孔、相邻像元的间隙的投影面重叠。本发明的多层红外探测器借助错开排布，使高层像元中微桥桥面将低层像元中微桥的梁结构、支撑及电连接孔、相邻像元的间隙覆盖，增加了对红外线的吸收面积，提高红外吸收效率，并在成本可控的前提下提升了产品性能。
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公开(公告)号：CN112133714B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202010856280.1
申请日：2020-08-24
Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种图像传感器结构，自下而上包括：衬底和介质层；所述衬底上设有第一光敏感器件，所述介质层上设有金属互连层和第二光敏感器件，所述第二光敏感器件设于一沟槽中，所述沟槽位于所述第一光敏感器件上方的所述介质层中，所述第二光敏感器件通过所述沟槽耦合所述第一光敏感器件，并通过所述金属互连层引出；其中，所述第一光敏感器件和第二光敏感器件中分别含有多个沿水平分布且相耦合的pn结。本发明能有效提高光吸收的效率，以及满阱容量等传感器性能，并能够大幅度提升对近红外光的吸收效率。
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公开(公告)号：CN112687522B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202011551208.4
申请日：2020-12-24
Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司
Inventor： 康晓旭
IPC: H01L21/02 , H01L21/3205 , H01L21/3213
Abstract: 本发明公开了一种非晶锗硅薄膜结构、集成结构以及制造方法，其中，非晶锗硅薄膜结构，包括：U型非晶锗硅薄膜结构，在该U型非晶锗硅薄膜结构的下方、外侧和内侧均设置有高阻非晶硅层。在本发明的中，采用了U型的嵌套结构，通过将大部分的非晶锗硅薄膜层用高阻非晶硅层覆盖住，从而避免受到接触膜层、相关工艺的影响，实现高质量的产品特性。
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公开(公告)号：CN113764539B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202111047813.2
申请日：2021-09-08
Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司
Abstract: 本申请提供一种红外探测器及其制备方法，涉及红外探测器技术领域，该红外探测器包括基底、牺牲层以及微桥结构；牺牲层设置在基底上，牺牲层内设置有连接孔；微桥结构的部分设置在所述连接孔内，且位于该连接孔内的所述微桥结构与设置在所述基底内的电路电连接。本申请通过对微桥结构进行改进，使得微桥结构包括层叠设置的第一导电层和第二导电层，与相关技术中，微桥结构仅包括一层导电层的技术方案相比，增加了微桥结构的厚度，进而降低了微桥结构的电阻，提高了红外探测器的性能。
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公开(公告)号：CN112582338B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202011401876.9
申请日：2020-12-02
Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司 , 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/324
Abstract: 一种实现背引出的工艺方法，包括对所述硅片背面研磨减薄，以使所述硅片背面距离器件层一预定距离D；在硅片背面曝光将需要进行背引出的P型区域，进行P型掺杂以形成P型掺杂区，以及在硅片背面曝光将需要进行背引出的N型区域打开，进行N型掺杂以形成N型掺杂区；在硅片背面沉积生长隔离层和激光反射层；通过光刻和刻蚀工艺刻蚀隔离层和激光反射层的指定区域，暴露P型掺杂区和N型掺杂区；采用激光退火工艺对硅片背面实现全晶圆均匀退火。因此，本发明实现了减少硅片背面对激光退火热预算吸收情况下，激活注入元素，为实现背引出工艺提供经济、可行方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118190173A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202211581539.1
申请日：2022-12-05
Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种非制冷测量器件结构及制作方法，器件结构包括：建立在衬底上的微桥结构；所述微桥结构设有桥面和支撑所述桥面的支撑柱，所述桥面上设有热吸收及热敏复合层；所述热吸收及热敏复合层包括热敏层和接触形成于所述热敏层上的热吸收及导电层；所述热吸收及导电层包括由卷曲态的导电一维量子材料形成的热吸收及传导体，所述热吸收及热敏复合层通过所述支撑柱与所述衬底间形成欧姆连接。本发明可以解决现有非制冷测量器件制备中存在的缺陷，低的光吸收面积以及低响应率等问题，有效提高了非制冷测量器件的响应度和探测率，从而提高了器件的综合性能。
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公开(公告)号：CN111969037B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202010705457.8
申请日：2020-07-21
Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于集成电路的技术领域，公开了一种空气隙石墨烯场效应管结构，使用石墨烯材料作为沟道，所述沟道的上下表面均部分或者全部与空气或者真空接触。所述石墨烯材料设置为氧化石墨烯材料通过旋涂在沟道位置后，经过高温还原得到。在石墨烯材料的沟道上下方均设置空气隙，形成悬浮式沟道，从而改善了石墨烯沟道与其它材料接触引起其载流子迁移率大幅度下降的问题，最大程度地保留石墨烯中载流子的高迁移率，降低石墨烯表面特性的退化，提高石墨烯器件的电学特性，而通过氧化石墨烯旋涂到沟道位置，再进行高温还原得到石墨烯，形成石墨烯沟道，可以最大程度地提升工艺的可操作性。
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公开(公告)号：CN111430486B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202010258514.2
申请日：2020-04-03
Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/08 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种光敏电阻，包括谐振腔、反射层、电极、层状石墨烯以及嵌在层状石墨烯表面的量子点，其中，所述反射层位于所述谐振腔的底部，所述电极位于所述谐振腔的四周，所述层状石墨烯位于所述谐振腔和电极的上表面；当入射光入射至所述光敏电阻时，所述量子点被入射光激发出的电子经过所述层状石墨烯传输至电极，引起所述光敏电阻的阻值变化。本发明提供的一种光敏电阻，以石墨烯为基底，嵌在层状石墨烯表面的量子点作为扩展吸收使用，使得量子点产生的电子快速被基底传输到电极，从而提升光敏电阻性能。
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公开(公告)号：CN111392686B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202010242612.7
申请日：2020-03-31
Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于上下分布电极的红外MEMS结构，包括依次设置的衬底、牺牲层和红外微桥桥面，微桥桥面通过分设于牺牲层中的两个导电通孔与衬底相连，微桥桥面包括依次设置的下电极层、敏感层和第一上电极层，微桥桥面被一绝缘沟槽隔离为一第一部分和面积小于第一部分的一第二部分，第二上电极层搭接于第一部分和第二部分上被隔断的第一上电极层的表面上，第二部分通过其上被隔断的第一上电极层和下电极层连接其中一个导电通孔，第一部分仅通过其上被隔断的下电极层连接另一个导电通孔。本发明可减小敏感电阻的阻值，并提升敏感电阻的均匀性，从而改善谐振腔的光学特性。本发明还公开了一种上述红外MEMS结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN111579493B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202010425125.4
申请日：2020-05-19
Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于光学探测的声学传感器，包括：相键合的两个芯片，芯片包括设于衬底正面表面上的第一振动膜，第一振动膜含有光波导器件，衬底背面上设有第一空腔，第一空腔的底部抵达第一振动膜的下表面；两个芯片以其衬底的背面表面相键合，在各自的第一振动膜之间形成封闭空腔；其中，利用两个第一振动膜吸收声波产生不同变形量，使光在两个光波导器件中的光学传输距离由此发生不同变化，使得光在两个光波导器件中的传输时间差或传输相位差发生相应变化，以探测两个第一振动膜的变形程度，并感知声学信号的强度，从而提高了传感器的探测灵敏度和响应速度。
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