公开(公告)号：CN103501940B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201280019113.5

申请日：2012-03-30

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 渡边孝

IPC: B23B27/14

CPC classification number: B23B27/14 ,  C04B35/587 ,  C04B35/62695 ,  C04B35/6455 ,  C04B41/009 ,  C04B41/52 ,  C04B41/89 ,  C04B2111/0025 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/661 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/36 ,  C23C16/403 ,  C23C28/042 ,  C23C28/044 ,  C23C28/42 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/24975 ,  C04B35/584 ,  C04B41/4531 ,  C04B41/5068 ,  C04B41/5031 ,  C04B41/526 ,  C04B41/5061

Abstract: 提供一种被覆层的密接性和耐崩裂性优异的切削工具。一种切削工具(1)，其具备包含氮化硅质烧结体的基体(2)，和在基体(2)的表面从基体(2)侧按顺序层叠有如下层的被覆层(3)：包含平均结晶宽度为0.1～0.4μm的TiN的第一层(4)；包含平均结晶宽度为0.01～1.5μm的A12O3层的第二层(5)；包含平均结晶宽度为0.01～0.1μm且平均结晶宽度比第一层(4)的平均结晶宽度小的TiN构成的第三层(6)；包含平均结晶宽度为0.01～1.5μm的A12O3层的第四层(7)。

公开(公告)号：CN102770582B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201080064887.0

申请日：2010-12-28

Applicant: 东洋炭素株式会社

Inventor： 近藤美华

IPC: C23C16/32 ,  C30B29/36 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B29/36 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5057 ,  C04B41/87 ,  C04B2111/0025 ,  C04B2111/00405 ,  C23C8/20 ,  C23C16/14 ,  C23C16/32 ,  C23C16/56 ,  C30B25/02 ,  Y10T428/30 ,  C04B35/522 ,  C04B41/4531

Abstract: 在碳基材41的表面形成有被覆碳基材41的碳化钽被覆膜42。碳化钽被覆膜42，在由X射线衍射得到的与碳化钽对应的衍射峰的(311)面的取向角度中在80°以上具有最大的峰值。

公开(公告)号：CN104703734A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201380051064.8

申请日：2013-09-30

Applicant: 日立工具股份有限公司

Inventor： 福永有三 ,  小关秀峰 ,  久保田和幸 ,  井上谦一

IPC: B23B27/14 ,  C23C16/36

CPC classification number: C23C16/36 ,  C23C16/30 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C30/005 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/256

Abstract: 一种在由WC基超硬合金构成的基体上，直接通过化学气相沉积法形成碳氮化钛层而成的硬质皮膜被覆工具，其中，碳氮化钛层具有含有74～81质量％的钛、13～16质量％的碳和6～10质量％的氮的组成，碳氮化钛层具有由具有0.01～0.22μm的平均横截面直径的柱状晶粒构成的组织，从基体向碳氮化钛层内的W的扩散层的平均厚度为30～200nm，碳氮化钛层的(422)面的X射线衍射峰位置2θ处于122.7～123.7°的范围内。

公开(公告)号：CN104593747A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201410712726.8

申请日：2009-11-25

Applicant: 气体产品与化学公司

Inventor： L·M·马茨 ,  R·N·弗蒂斯 ,  M·L·奥尼尔 ,  D·西纳托雷

IPC: C23C16/32

CPC classification number: C23C16/32 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835

Abstract: 本发明提供了用于沉积具有改善的屏障介电性能(包括较低的介电常数和优越的电气性能)的介电阻挡薄膜的方法，所述介电阻挡薄膜包括具有硅、碳、氧和氢的前体。这一方法对用于互连结构的金属镶嵌或双重金属镶嵌集成中或用于其他介电阻挡应用中的屏障层是重要的。在这个例子中，注意改善屏障性能的特定结构特性。

公开(公告)号：CN102232125B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN200980148388.7

申请日：2009-11-25

Applicant: 气体产品与化学公司

Inventor： L·M·马茨 ,  R·N·弗蒂斯 ,  M·L·奥尼尔 ,  D·西纳托雷

IPC: C23C16/32

CPC classification number: C23C16/32 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835

Abstract: 本发明提供了用于沉积具有改善的屏障介电性能(包括较低的介电常数和优越的电气性能)的介电阻挡薄膜的方法，所述介电阻挡薄膜包括具有硅、碳、氧和氢的前体。这一方法对用于互连结构的金属镶嵌或双重金属镶嵌集成中或用于其他介电阻挡应用中的屏障层是重要的。在这个例子中，注意改善屏障性能的特定结构特性。

公开(公告)号：CN103484832A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310308445.1

申请日：2009-01-20

Applicant: 钴碳化钨硬质合金公司

Inventor： H·范丹比尔格 ,  H·维斯特法 ,  V·索特克

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34

CPC classification number: C23C16/34 ,  C04B35/581 ,  C04B2235/3856 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/724 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/96 ,  C23C16/24 ,  C23C16/32 ,  C23C16/36 ,  C23C28/044 ,  C23C28/048 ,  C23C28/42 ,  C23C30/005 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明涉及一种本体，该本体涂覆有硬质材料并且具有通过CVD施加的多个层，其中外层包括Ti1-xAlxN、Ti1-xAlxC和/或Ti1-xAlxCN，其中0.65≤x≤0.9，优选0.7≤x≤0.9，并且这个外层具有从100至1100MPa、优选从400至800MPa范围内的压缩应力，并且在该外层下安排了一个TiCN或Al2O3层。

公开(公告)号：CN101460575B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN200780018099.6

申请日：2007-03-22

Applicant: 格雷斯公司

Inventor： D·R·弗鲁奇 ,  D·米乔斯 ,  Q·孙

IPC: C09D1/00

CPC classification number: C09D1/00 ,  C03C17/007 ,  C03C2217/213 ,  C03C2217/42 ,  C03C2218/114 ,  C03C2218/32 ,  C08F8/50 ,  C08K3/22 ,  C09D7/61 ,  C23C16/32 ,  C23C16/505 ,  C08F16/06

Abstract: 一种通过以下步骤制造的无机氧化物涂层，所述步骤包括，制备包含无机氧化物颗粒和聚合物的涂料组合物；在基材上施加组合物，以形成涂层；并加热所述基材，以除去聚合物组分，其中所得涂层是透明的。

公开(公告)号：CN102034702A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010500176.5

申请日：2010-09-30

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 赤江尚德 ,  广濑义朗 ,  高泽裕真 ,  太田阳介 ,  笹岛亮太

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/31608 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法及衬底处理装置。制造方法包括：将衬底搬入处理容器的工序；对衬底进行处理的工序，即交替重复进行以下工序：通过向处理容器内供给含有规定元素的第1原料气体和含有规定元素的第2原料气体进行排气，在衬底上形成含有规定元素的层的工序，和通过向处理容器内供给与第1原料气体及第2原料气体不同的反应气体进行排气，将含有规定元素的层改性为氧化层、氮化层或氮氧化层的工序，由此在衬底上形成规定膜厚的氧化膜、氮化膜或氮氧化膜；将经处理的衬底从处理容器搬出的工序。第1原料气体的反应性高于第2原料气体，在形成含有规定元素的层的工序中第1原料气体的供给量少于第2原料气体。

公开(公告)号：CN1971847A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200610163749.3

申请日：2006-11-24

Applicant: 奇梦达股份公司

Inventor： G·杜斯伯格 ,  M·利鲍 ,  F·科鲁普尔 ,  C·卡普泰恩

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82 ,  H01L29/92 ,  H01L23/522 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L23/53276 ,  C23C16/26 ,  C23C16/32 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/5223 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/30 ,  H01L2924/00

Abstract: 利用一种生产层排列的方法形成一种基本上含碳的导电碳层。在该碳层上形成一种保护层。在该保护层上形成一种电绝缘层，该保护层防止该碳层在该电绝缘层的形成期间受到损伤。此外，提出一种层排列，该层排列具有基本上含碳的导电碳层，在该碳层上形成的保护层，以及在该保护层上形成的电绝缘层，该保护层用于避免该碳层受到该电绝缘层的损伤。

公开(公告)号：CN1342215A

公开(公告)日：2002-03-27

申请号：CN99816146.2

申请日：1999-02-11

Applicant: 哈迪德有限公司

Inventor： 朱里·维克托罗维奇·拉赫特金 ,  弗拉基米尔·彼得罗维奇·库兹明

IPC: C23C16/32 ,  C23C16/452 ,  B23B15/00

CPC classification number: C23C16/0281 ,  C23C16/30 ,  C23C16/32 ,  C23C16/452 ,  C23C28/322 ,  C23C28/34 ,  C23C28/341 ,  C23C28/347 ,  C23C28/42 ,  C23C28/44 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/26

Abstract: 本发明涉及新型碳化钨,其中添加了含量最高达0.5重量%的氟,也可添加氟碳组分。这些碳化钨按照新的CVD方法生产,在该方法中,物相中含有六氟化钨、氢气和一种含碳气体。该方法的特征在于含碳气体预先进行了热活化。碳化钨涂层可以应用到结构材料以及由结构材料制造的部件上,其涂层表现出高的耐磨损性、高耐腐蚀性及高化学稳定性。