公开(公告)号：CN100456419C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200610163749.3

申请日：2006-11-24

Applicant: 奇梦达股份公司

Inventor： G·杜斯伯格 ,  M·利鲍 ,  F·科鲁普尔 ,  C·卡普泰恩

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82 ,  H01L29/92 ,  H01L23/522 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L23/53276 ,  C23C16/26 ,  C23C16/32 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/5223 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/30 ,  H01L2924/00

Abstract: 利用一种生产层排列的方法形成一种基本上含碳的导电碳层。在该碳层上形成一种保护层。在该保护层上形成一种电绝缘层，该保护层防止该碳层在该电绝缘层的形成期间受到损伤。此外，提出一种层排列，该层排列具有基本上含碳的导电碳层，在该碳层上形成的保护层，以及在该保护层上形成的电绝缘层，该保护层用于避免该碳层受到该电绝缘层的损伤。

公开(公告)号：CN1971847A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200610163749.3

申请日：2006-11-24

Applicant: 奇梦达股份公司

Inventor： G·杜斯伯格 ,  M·利鲍 ,  F·科鲁普尔 ,  C·卡普泰恩

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82 ,  H01L29/92 ,  H01L23/522 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L23/53276 ,  C23C16/26 ,  C23C16/32 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/5223 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/30 ,  H01L2924/00

Abstract: 利用一种生产层排列的方法形成一种基本上含碳的导电碳层。在该碳层上形成一种保护层。在该保护层上形成一种电绝缘层，该保护层防止该碳层在该电绝缘层的形成期间受到损伤。此外，提出一种层排列，该层排列具有基本上含碳的导电碳层，在该碳层上形成的保护层，以及在该保护层上形成的电绝缘层，该保护层用于避免该碳层受到该电绝缘层的损伤。