公开(公告)号：CN100456419C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200610163749.3

申请日：2006-11-24

Applicant: 奇梦达股份公司

Inventor： G·杜斯伯格 ,  M·利鲍 ,  F·科鲁普尔 ,  C·卡普泰恩

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82 ,  H01L29/92 ,  H01L23/522 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L23/53276 ,  C23C16/26 ,  C23C16/32 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/5223 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/30 ,  H01L2924/00

Abstract: 利用一种生产层排列的方法形成一种基本上含碳的导电碳层。在该碳层上形成一种保护层。在该保护层上形成一种电绝缘层，该保护层防止该碳层在该电绝缘层的形成期间受到损伤。此外，提出一种层排列，该层排列具有基本上含碳的导电碳层，在该碳层上形成的保护层，以及在该保护层上形成的电绝缘层，该保护层用于避免该碳层受到该电绝缘层的损伤。

公开(公告)号：CN101010259A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200580025977.8

申请日：2005-04-21

Applicant: 奇梦达股份公司

Inventor： G·杜斯伯格 ,  M·列鲍 ,  E·昂杰

IPC: C01B31/02

CPC classification number: C09C1/44 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B32/168 ,  C01B2202/06 ,  C01P2004/13

Abstract: 本发明涉及硅烷化碳纳米管的方法，其中首先对碳纳米管进行氧化，然后将该碳纳米管暴露到含一种或者多种有机硅烷衍生物的饱和气相，所述有机硅烷衍生物通过形成硅氧烷与碳纳米管共价键合。

公开(公告)号：CN1971847A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200610163749.3

申请日：2006-11-24

Applicant: 奇梦达股份公司

Inventor： G·杜斯伯格 ,  M·利鲍 ,  F·科鲁普尔 ,  C·卡普泰恩

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82 ,  H01L29/92 ,  H01L23/522 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L23/53276 ,  C23C16/26 ,  C23C16/32 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/5223 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/30 ,  H01L2924/00

Abstract: 利用一种生产层排列的方法形成一种基本上含碳的导电碳层。在该碳层上形成一种保护层。在该保护层上形成一种电绝缘层，该保护层防止该碳层在该电绝缘层的形成期间受到损伤。此外，提出一种层排列，该层排列具有基本上含碳的导电碳层，在该碳层上形成的保护层，以及在该保护层上形成的电绝缘层，该保护层用于避免该碳层受到该电绝缘层的损伤。