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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102232125A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200980148388.7
申请日：2009-11-25
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: C23C16/32
CPC classification number: C23C16/32 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02348 , H01L21/3105 , H01L21/76829 , H01L21/76835
Abstract: 本发明提供了用于沉积具有改善的屏障介电性能(包括较低的介电常数和优越的电气性能)的介电阻挡薄膜的方法，所述介电阻挡薄膜包括具有硅、碳、氧和氢的前体。这一方法对用于互连结构的金属镶嵌或双重金属镶嵌集成中或用于其他介电阻挡应用中的屏障层是重要的。在这个例子中，注意改善屏障性能的特定结构特性。
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公开(公告)号：CN104593747A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410712726.8
申请日：2009-11-25
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: C23C16/32
CPC classification number: C23C16/32 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02348 , H01L21/3105 , H01L21/76829 , H01L21/76835
Abstract: 本发明提供了用于沉积具有改善的屏障介电性能(包括较低的介电常数和优越的电气性能)的介电阻挡薄膜的方法，所述介电阻挡薄膜包括具有硅、碳、氧和氢的前体。这一方法对用于互连结构的金属镶嵌或双重金属镶嵌集成中或用于其他介电阻挡应用中的屏障层是重要的。在这个例子中，注意改善屏障性能的特定结构特性。
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公开(公告)号：CN102232125B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN200980148388.7
申请日：2009-11-25
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: C23C16/32
CPC classification number: C23C16/32 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02348 , H01L21/3105 , H01L21/76829 , H01L21/76835
Abstract: 本发明提供了用于沉积具有改善的屏障介电性能(包括较低的介电常数和优越的电气性能)的介电阻挡薄膜的方法，所述介电阻挡薄膜包括具有硅、碳、氧和氢的前体。这一方法对用于互连结构的金属镶嵌或双重金属镶嵌集成中或用于其他介电阻挡应用中的屏障层是重要的。在这个例子中，注意改善屏障性能的特定结构特性。
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公开(公告)号：CN101591772B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910148844.X
申请日：2009-05-27
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: C07C7/20
Abstract: 一种稳定的环烯烃组合物，所述组合物包含一种或多种环烯烃，和至少一种具有式(I)的稳定剂化合物，式(I)R1，R2，R3，R4，R5(C6)OH，其中R1至R5可以各自独立是H，OH，C1-C8直链、支链或环状烷基，C1-C8直链、支链或环状烷氧基或者取代或未被取代的芳基，其中稳定剂化合物的量为200ppm以上-20,000ppm，具有低于265℃的沸点。一种用稳定的烯烃组合物和含硅化合物在衬底上形成掺碳氧化硅层的方法。
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公开(公告)号：CN101591772A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910148844.X
申请日：2009-05-27
Applicant: 气体产品与化学公司
Abstract: 本发明涉及使用取代的酚稳定剂改良NBDE的加工稳定性。一种稳定的环烯烃组合物，所述组合物包含一种或多种环烯烃，和至少一种具有式(I)的稳定剂化合物，式(I)R1，R2，R3，R4，R5(C6)OH，其中R1至R5可以各自独立是H，OH，C1－C8直链、支链或环状烷基，C1－C8直链、支链或环状烷氧基或者取代或未被取代的芳基，其中稳定剂化合物的量为200ppm以上－20,000ppm，具有低于265℃的沸点。一种用稳定的烯烃组合物和含硅化合物在衬底上形成掺碳氧化硅层的方法。
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