公开(公告)号：CN105914205A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610300210.1

申请日：2016-05-09

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 李诚瞻 ,  常桂钦 ,  彭勇殿 ,  冯江华 ,  刘国友

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/495 ,  H01L25/00 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L25/18 ,  H01L23/4951 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/83379

Abstract: 本发明公开了一种功率模块结构和功率模块制造方法，其中，功率模块结构包括：主开关器件和续流二极管的电压等级一致，电流大小相同，主开关器件的集电极与续流二极管的阴极键合后，主开关器件倒装焊接在衬板上，衬板上设置有多个分立的覆铜层，其中，主开关器件的发射极与衬板上的第一覆铜层焊接，栅极与衬板上的第二覆铜层焊接，主开关器件的集电极引出线与衬板上的第三覆铜层键合，续流二极管的阳极引出线与衬板上的第四覆铜层键合。所述功率模块结构及功率模块制造方法，通过将键合后的主开关器件和续流二极管倒装焊接在衬板上，实现功率模块的紧凑化和小型化，提高功率模块功率密度。

公开(公告)号：CN112750896A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201911063121.X

申请日：2019-10-31

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 李诚瞻 ,  戴小平 ,  吴煜东 ,  赵艳黎 ,  周正东

IPC: H01L29/15 ,  H01L29/16 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 本公开提供一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法。该二极管包括：第一导电类型碳化硅衬底、位于衬底上方的第一导电类型漂移层漂移层和位于漂移层上方的超晶格层，所述超晶格层包括多个交替堆叠设置的第一导电类型掺杂层和第二导电类型掺杂层。该二极管还包括位于所述衬底下方并与所述衬底形成欧姆接触的阴极，和位于所述超晶格层上方并与所述超晶格层形成肖特基接触的阳极。本公开通过在SiC SBD阳极端半导体区形成超晶格层，使得在SiC SBD阳极施加负电压，二极管肖特基接触反偏时，超晶格层可以与漂移层形成PN结，通过PN结空间电荷区降低SiC SBD器件的反向漏电，解决了SiC SBD反向漏电过大的问题，提升了SiC SBD的性能。

公开(公告)号：CN112701151A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201911013564.8

申请日：2019-10-23

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 李诚瞻 ,  罗烨辉 ,  周正东 ,  刘芹 ,  王志成 ,  龚芷玉 ,  魏伟 ,  戴小平

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/265

Abstract: 本公开提供一种SiC MOSFET器件的制造方法及SiC MOSFET器件。该方法包括：提供SiC外延片，在所述SiC外延片表面沉积生长掩膜层；刻蚀所述掩膜层，在所述掩膜层上形成第一刻蚀槽；再次刻蚀所述掩膜层，在所述第一刻蚀槽内形成第二刻蚀槽；通过第一刻蚀槽和第二刻蚀槽构成的离子注入窗口，注入第一高能离子，形成阶梯状形貌的阱区；注入第二高能离子，形成源区。本公开通过阶梯状形貌的离子注入窗口，来实现自对准工艺，可以非常精确的实现对沟道长度和位置的控制，工艺简单稳定。同时，形成阶梯状形貌的P阱区，扩展了两个P阱区之间的JFET区，增大了JFET区电流横向输出路径，进一步提升器件大电流密度输出能力。

公开(公告)号：CN111223755A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201811406017.1

申请日：2018-11-23

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 刘坤 ,  郑昌伟 ,  陈喜明 ,  赵艳黎 ,  周正东 ,  周维 ,  龚芷玉 ,  张文杰 ,  刘锐鸣 ,  李诚瞻

IPC: H01L21/02 ,  G03F1/62

Abstract: 本发明属于半导体工艺技术领域，具体公开了一种电阻芯片的制造方法及光掩膜版。该方法包括步骤：提供半导体衬底；基于预选的刻蚀图案，逐个光刻每一个电阻芯片单元保护层上的掩膜层，以将预选的刻蚀图案逐个地转移至对应的掩膜层；以及基于光刻后的掩膜层对保护层进行刻蚀，以暴露电阻薄层，所暴露的电阻薄层区域具有预选的刻蚀图案，刻蚀图案的尺寸定义电阻芯片单元的实际电阻。本发明能够保障半导体器件电学性能参数的一致性，确保同一生产批次，以及不同生产批次的半导体器件，都能具有相同的电学性能参数。

公开(公告)号：CN105931963B

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201610526004.2

申请日：2016-07-06

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 吴佳 ,  李诚瞻 ,  史晶晶 ,  高云斌 ,  周正东 ,  刘国友 ,  彭勇殿

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅PiN二极管的结终端结构的制造方法，首先在晶圆上生长衬垫氧化层和衬垫氮化硅；然后利用光刻和腐蚀工艺定义需要生长氧化层的区域；再利用衬垫氧化层和衬垫氮化硅作为阻挡层生长氧化层；最后通过湿法腐蚀的方式去除衬垫氮化硅和衬垫氧化硅。通过这种方法能够避免在获得碳化硅PiN二极管的结终端结构的过程中由于刻蚀造成的损伤，通过由于进行了氧化，提高了载流子的寿命，从而改善了器件的性能。

公开(公告)号：CN109873026A

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201711267995.8

申请日：2017-12-05

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 刘东 ,  周正东 ,  吴佳 ,  王弋宇 ,  张文杰 ,  史晶晶 ,  李诚瞻

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L29/861 ,  H01L21/04 ,  H01L21/28 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种具有沟槽电极结构的碳化硅二极管及其制造方法。所述具有沟槽电极结构的碳化硅二极管包括衬底层和欧姆接触金属层。衬底层的第一表面设置有多个沟槽，沟槽的底部与所述衬底层的第二表面的距离大于预设距离。欧姆接触金属层设置于每个所述沟槽的侧壁和底部以及衬底层的第一表面未设置沟槽的部分上，并与每个所述沟槽的侧壁和底部以及所述衬底层的第一表面未设置沟槽的部分之间形成欧姆接触。采用本发明可以无需对衬底层进行减薄，同时显著地降低了整个衬底层的电阻，从而使得碳化硅二极管导通电阻降低，电流密度上升。

公开(公告)号：CN109686797A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201710980467.0

申请日：2017-10-19

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 李诚瞻 ,  吴煜东 ,  戴小平 ,  史晶晶 ,  王弋宇

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅肖特基二极管及其制造方法。所述碳化硅肖特基二极管包括复合肖特基接触结构，所述复合肖特基接触结构包括碳化硅外延层、肖特基金属层以及设置在所述碳化硅外延层与肖特基金属层之间的石墨烯层，所述石墨烯层用以阻挡所述碳化硅外延层的碳化硅原子和所述肖特基金属层的金属原子之间互相渗透，从而减小所述复合肖特基接触结构的漏电流。

公开(公告)号：CN108074800A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201611021916.0

申请日：2016-11-16

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 赵艳黎 ,  李诚瞻 ,  高云斌 ,  陈喜明 ,  史晶晶 ,  吴佳 ,  王弋宇 ,  杨鑫著 ,  刘国友

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及碳化硅半导体基材沟槽栅蚀刻方法。该方法包括以下步骤：步骤一：在半导体基材的表面上设置第一掩膜，并且在第一掩膜上形成暴露半导体基材的窗口区；步骤二：通过窗口区对半导体基材进行第一次蚀刻并形成第一沟槽，第一沟槽的底壁通过弧面与侧壁相连，弧面与所述底壁和侧壁相切并且背向底壁延伸；步骤三：除去半导体基材上的第一掩膜，并且在第一沟槽的底壁上形成第二掩膜，相邻的第一沟槽之间为半导体基材的暴露部分；步骤四：在第二掩膜的保护下，进行第二次蚀刻以蚀刻半导体基材的暴露部分并形成第二沟槽，第二沟槽的深度大于第一沟槽的深度，并且第一沟槽的弧面形成为第二沟槽的侧壁的顶部边缘。

公开(公告)号：CN107275393A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201610216970.4

申请日：2016-04-08

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 高云斌 ,  李诚瞻 ,  赵艳黎 ,  陈喜明 ,  蒋华平 ,  刘国友

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/24 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管器件，其特征在于，在所述金属-氧化物-半导体场效应晶体管器件的结型场效应晶体管区，沿垂直于沟道并平行于SiO2/SiC界面的方向上交替分布有p型掺杂区域和n型掺杂区域。本发明还涉及其制备方法。

公开(公告)号：CN106128942A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610743365.2

申请日：2016-08-26

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 吴佳 ,  刘可安 ,  李诚瞻 ,  史晶晶 ,  高云斌 ,  周正东 ,  杨程

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L21/0331 ,  H01L21/0445

Abstract: 本发明公开了一种消除碳化硅器件终端刻蚀中微掩膜的方法，包括：在SiC上制备掩膜；对掩膜进行光刻，将光刻版上的图形转移到所述掩膜的光刻胶上；对掩膜表面进行干法刻蚀，达到初步刻蚀深度；对掩膜的表面湿法腐蚀到预定刻蚀深度，去除掩膜表面的微掩膜；干法刻蚀所述SiC。除此之外，本发明还公开了一种消除碳化硅器件终端刻蚀中微掩膜的方法，采用先干法刻蚀并预留一定的刻蚀余量，再通过氧化将微掩膜去除。由于在刻蚀的过程中，都是先使用干法刻蚀一定的深度，预留一定的刻蚀余量，再采用湿法腐蚀或者局部氧化来去除残留的微掩膜，不会在晶圆材料造成较大的晶格损伤，减少或避免了刻蚀对器件造成的不良影响，提高器件的成品率。