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公开(公告)号：CN100523282C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200410045720.6
申请日：2004-05-21
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： C23C14/35 , H01L21/203
CPC分类号： H01J37/3408 , C23C14/086 , C23C14/352 , H01J37/3455
摘要： 在本发明中，当靶(15)被溅射时，由于各个靶(15)相对基板(10)移动，溅射时基板(10)的全部区域变为都与靶(15)相对，可在基板(10)的表面上形成膜质均匀的膜。另外，在溅射时，由于不仅靶(15)相对基板(10)移动，磁场形成装置(25)也相对靶(15)移动，因此靶(15)的很宽区域被溅射。进而，如果使磁场形成装置(25)也相对基板(10)移动，则靶(15)就变为大部分被溅射的区域相对基板(10)移动，以使基板(10)上形成的膜的膜厚分布更均匀。
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公开(公告)号：CN101496117A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200780028568.2
申请日：2007-07-26
申请人： 株式会社爱发科
CPC分类号： C23C14/086 , C01G9/00 , C01G9/02 , C01P2002/50 , C01P2004/62 , C01P2006/40 , C01P2006/60 , C23C14/3414
摘要： 本发明提供一种电阻率低的透明导电膜。本发明的成膜方法是在真空环境中对以ZnO为主要成分、添加了Al2O3和B2O3的靶11进行溅射，从而在基板21表面形成透明导电膜，然后将该透明导电膜在300℃以上至400℃以下的温度下加热进行退火处理。由于得到的透明导电膜以ZnO为主要成分、并添加了Al和B，因此电阻率降低。根据本发明而成膜的透明导电膜适用于FDP等的透明电极。
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公开(公告)号：CN101133181A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200680006500.X
申请日：2006-03-03
申请人： 株式会社爱发科 , 爱发科材料股份有限公司
IPC分类号： C23C14/34 , H01L21/285 , C22C1/02
CPC分类号： C22C1/026 , C23C14/3414
摘要： 本发明安全添加在大气中易于起火的添加物来便宜地制作靶。在低氧环境气体中，往主材料中添加添加物，形成熔融状态的一次合金13，在大气环境中往熔融状态的一次合金13中添加主材料进行增量，制作二次合金。熔融或固体状态的一次合金13、18是稳定的，因此在大气中不起火。一次合金13、18比二次合金量少，因此用于形成一次环境气体的真空槽11为小型的即可。
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公开(公告)号：CN102165569B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN200980137848.6
申请日：2009-08-17
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969
摘要： 本发明提供一种场效应晶体管的制造方法，其无需进行高温退火处理也能提高晶体管特性。采用溅射法用100℃以上的成膜温度形成构成活性层的In?Ga?Zn?O薄膜。再用300℃的温度在大气中进行退火处理。实施退火处理的目的是提高刚刚形成的活性层的晶体管特性。与未经加热而形成的In?Ga?Zn?O薄膜相比，一边加热基材一边采用溅射法而形成的In?Ga?Zn?O薄膜的内应变或缺陷较少。因此，与未经加热而形成的In?Ga?Zn?O薄膜相比，将经加热而形成的相同材料薄膜作为活性层时可提高退火效果。因而本发明可通过低温退火处理形成具有优异晶体管特性的活性层。
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公开(公告)号：CN102666909B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201080051495.0
申请日：2010-11-16
申请人： 株式会社爱发科
CPC分类号： C23C14/3414 , C23C14/08
摘要： 本发明提供一种透明导电膜的制造方法，无需使用水蒸气就可形成具有良好蚀刻特性及导电特性的透明导电膜。本发明的实施方式涉及的透明导电膜的制造方法包括：通过溅射靶材从而在基板上形成铟锡氧化物薄膜的工序，其中所述靶材包含由氧化铟组成的第一组分，由氧化锡组成的第二组分，以及由选自La、Nd、Dy、Eu、Gd、Tb、Zr、Al、Si、Ti及B的至少一种元素或其氧化物组成的第三组分；利用蚀刻液使所述铟锡氧化物薄膜进行图案化的工序；通过热处理使所述铟锡氧化物薄膜结晶的工序。由此，成膜不久后的ITO薄膜可以利用弱酸蚀刻，并且，可以对该ITO膜赋予期望的导电特性。
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公开(公告)号：CN105575803A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610010064.9
申请日：2009-08-17
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H01L21/335 , H01L21/203 , H01L21/324 , C23C14/34
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/66409 , C23C14/34 , H01L21/324
摘要： 本发明提供一种场效应晶体管的制造方法，其无需进行高温退火处理也能提高晶体管特性。采用溅射法用100℃以上的成膜温度形成构成活性层的In-Ga-Zn-O薄膜。再用300℃的温度在大气中进行退火处理。实施退火处理的目的是提高刚刚形成的活性层的晶体管特性。与未经加热而形成的In-Ga-Zn-O薄膜相比，一边加热基材一边采用溅射法而形成的In-Ga-Zn-O薄膜的内应变或缺陷较少。因此，与未经加热而形成的In-Ga-Zn-O薄膜相比，将经加热而形成的相同材料薄膜作为活性层时可提高退火效果。因而本发明可通过低温退火处理形成具有优异晶体管特性的活性层。
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公开(公告)号：CN102177577B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN200980139868.7
申请日：2009-10-07
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/203 , H01L21/31 , H01L21/336 , H01L21/683 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/67161 , C23C14/568 , C23C16/54 , H01L21/67748 , H01L21/6776 , H01L27/1225 , H01L29/7869
摘要： 本发明的目的在于，提供一种真空处理装置，该真空处理装置能够用适合于各工序中的所进行的处理的方式对基板进行支承与运送，能够抑制对处理室(腔)内设置的各种机构产生的不利影响。在CVD室(52)中，有时需要使用特殊的清洗气体而进行清洗，这在CVD室(52)构成为立式的装置的情况下，设置在溅射室(62)中的立式处理装置所特有的支承机构与传送机构会受到特殊气体的腐蚀。而在本发明中，CVD室(52)由卧式的装置构成，因而不会产生这样的问题。另外，通过将溅射装置构成为立式的处理装置，从而能够解决异常放电的问题。
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公开(公告)号：CN102484137B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201080038623.8
申请日：2010-08-24
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/417
CPC分类号： H01L23/53238 , G02F1/1368 , G02F2201/501 , G02F2202/28 , H01L27/1225 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供不从氧化物半导体或氧化物薄膜剥离，此外铜原子不扩散至氧化物半导体或氧化物薄膜中的电极膜。以Cu-Mg-Al薄膜的高密接性阻挡膜(37)和铜薄膜(38)构成电极层，使高密接性阻挡膜(37)与氧化物半导体或氧化物薄膜接触。高密接性阻挡膜(37)中，在铜、镁、及铝的合计原子数为100at％时，含有镁0.5at％以上5at％以下，含有铝5at％以上15at％以下，在此范围内可兼顾密接性与阻挡性。源极电极层(51)和漏极电极层(52)与氧化物半导体层(34)接触，所以该电极层为合适的，还能将由氧化物构成的停止层(36)配置在电极层的下层。
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公开(公告)号：CN104103730A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410134682.5
申请日：2014-04-04
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H01L33/40
摘要： 本发明涉及具有接触电阻小、透射率提高的辅助电极的半导体装置。为了将p型半导体层（17）与正电极（21）电连接，在p型半导体层（17）与正电极（21）之间设有辅助电极层（10）。该辅助电极层（10）由与p型半导体层（17）接触的透明的Ag层（18）和透明的金属氧化物层（19）构成，使接触电阻比未设置Ag层（18）时降低而使透射率提高。多重量子阱层（16）的发光光通过辅助电极层（10）放出到外部。
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公开(公告)号：CN102187010B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN200980140705.0
申请日：2009-10-14
申请人： 株式会社爱发科
CPC分类号： C23C14/083 , C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/3455
摘要： 本发明的目的在于提供能够降低衬底层受到的损伤的溅射装置、薄膜形成方法以及场效应晶体管的制造方法。本发明一个实施方式的溅射装置用于使基板(10)的被处理面上形成薄膜，具有：真空槽(61)、支承机构(93)、溅射靶(80)、磁体(83)。磁体(83)用于产生等离子体，该等离子体对所述溅射面进行轰击而使该溅射面上形成有溅射粒子射出的溅射区域(80a)，并且，该磁体(83)使所述溅射区域(80a)在与所述被处理面相正对着的第1位置以及不与所述被处理面相正对着的第2位置间移动。
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