-
公开(公告)号：CN1693531B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN200510068427.6
申请日：2005-04-29
申请人： 株式会社爱发科
CPC分类号： H01J37/3423 , C23C14/3407 , H01J37/3405 , H01J37/3426
摘要： 溅射靶及使用该靶的溅射方法。在现有技术的溅射靶构型下，在通过施加负DC电压或者高频电压到靶上产生等离子体期间，会导致电流从靶流向接地护罩。因此会产生一个问题，即由于靶的外周表面上不产生等离子体使靶外周的非腐蚀区域保留下来而不被溅射。这会由于充电诱发不正常放电，或者通过在非腐蚀区域上重沉积膜而在基片表面上形成颗粒，其对膜形成的重现性产生影响，减少靶的服务效能。这种问题能够通过本发明加以解决，其中在靶(T)体的溅射表面(Ts)和外周表面(Tc)彼此交叉的区域上形成围绕靶(T)体的倾斜表面(T2)。
-
公开(公告)号：CN1965101A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200580018438.1
申请日：2005-06-07
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： H01J37/3408 , C23C14/352
摘要： 提供一种磁控管溅射方法以及磁控管溅射装置，可以大幅减少导致靶表面发生异常放电以及靶材料的沉积的非腐蚀区域。本发明涉及以电气独立的状态在真空中配置多个靶8A、8B、8C、8D，在靶8A、8B、8C、8D附近产生磁控管放电，并进行溅射的磁控管溅射方法。在本发明中，当溅射时，对相邻的靶8A、8B、8C、8D以预定的时序交替地施加相位相差180°的不同电压。
-
公开(公告)号：CN104103730A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410134682.5
申请日：2014-04-04
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H01L33/40
摘要： 本发明涉及具有接触电阻小、透射率提高的辅助电极的半导体装置。为了将p型半导体层（17）与正电极（21）电连接，在p型半导体层（17）与正电极（21）之间设有辅助电极层（10）。该辅助电极层（10）由与p型半导体层（17）接触的透明的Ag层（18）和透明的金属氧化物层（19）构成，使接触电阻比未设置Ag层（18）时降低而使透射率提高。多重量子阱层（16）的发光光通过辅助电极层（10）放出到外部。
-
公开(公告)号：CN1693531A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510068427.6
申请日：2005-04-29
申请人： 株式会社爱发科
CPC分类号： H01J37/3423 , C23C14/3407 , H01J37/3405 , H01J37/3426
摘要： 在现有技术的溅射靶构型下，在通过施加负DC电压或者高频电压到靶上产生等离子体期间，会导致电流从靶流向接地护罩。因此会产生一个问题，即由于靶的外周表面上不产生等离子体使靶外周的非腐蚀区域保留下来而不被溅射。这会由于充电诱发不正常放电，或者通过在非腐蚀区域上重沉积膜而在基片表面上形成颗粒，其对膜形成的重现性产生影响，减少靶的服务效能。这种问题能够通过本发明加以解决，其中在靶(T)体的溅射表面(Ts)和外周表面(Tc)彼此交叉的区域上形成围绕靶(T)体的倾斜表面(T2)。
-
公开(公告)号：CN104685977B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201480002581.0
申请日：2014-05-02
申请人： 株式会社爱发科
CPC分类号： H05K3/16 , C22C9/01 , C22C9/06 , C23C14/205 , C23C14/3414 , C23F1/02 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H05K1/0366 , H05K1/115 , H05K3/06 , H05K3/108 , H05K3/188 , H05K3/388 , H05K3/4644 , H05K2201/0209 , H05K2201/0317 , H05K2201/09509 , H05K2201/09563 , H01L2224/0401
摘要： 本发明提供一种在树脂基板上形成不会剥落的导电膜的装载装置。通过溅射法在由树脂构成的基体3上形成含有比50原子%多的Cu、含有5原子%以上30原子%以下的Ni、含有3原子%以上10原子%以下的Al并与基体3的表面接触的合金薄膜4、5，在合金薄膜4、5的表面形成由铜构成的导电膜6、7，得到二层构造的布线膜9、填充连接孔2的金属插塞8。合金薄膜4、5与树脂的密合性高，布线膜9、金属插塞8不会剥离。
-
公开(公告)号：CN1965101B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN200580018438.1
申请日：2005-06-07
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： H01J37/3408 , C23C14/352
摘要： 提供一种磁控管溅射方法以及磁控管溅射装置，可以大幅减少导致靶表面发生异常放电以及靶材料的沉积的非腐蚀区域。本发明涉及以电气独立的状态在真空中配置多个靶8A、8B、8C、8D，在靶8A、8B、8C、8D附近产生磁控管放电，并进行溅射的磁控管溅射方法。在本发明中，当溅射时，对相邻的靶8A、8B、8C、8D以预定的时序交替地施加相位相差180°的不同电压。
-
公开(公告)号：CN101680079A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880018458.2
申请日：2008-08-20
申请人： 株式会社爱发科
CPC分类号： C23C14/086 , C23C14/35 , H01L31/1884 , Y02E10/50
摘要： 本发明的透明导电膜的形成方法为对具备透明导电膜的形成材料的靶施加溅射电压，同时在上述靶的表面上产生水平磁场来进行溅射，在基板上形成以ZnO为基本构成成分的透明导电膜的方法，使上述溅射电压在340V以下来进行上述溅射。
-
公开(公告)号：CN101680079B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200880018458.2
申请日：2008-08-20
申请人： 株式会社爱发科
CPC分类号： C23C14/086 , C23C14/35 , H01L31/1884 , Y02E10/50
摘要： 本发明的透明导电膜的形成方法为对具备透明导电膜的形成材料的靶施加溅射电压，同时在上述靶的表面上产生水平磁场来进行溅射，在基板上形成以ZnO为基本构成成分的透明导电膜的方法，使上述溅射电压在340V以下来进行上述溅射。
-
公开(公告)号：CN101790796A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200880104843.9
申请日：2008-09-17
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , C23C14/08 , C23C14/35
CPC分类号： H01L31/1884 , C23C14/086 , H01L31/022466 , Y02E10/50
摘要： 本发明的太阳能电池的制造方法是，所述太阳能电池包括：在设置于光入射侧的相反侧并作为功率取出电极发挥作用的背面电极与光伏电池之间配置的缓冲层、或者在多个光伏电池之间配置的中间电极，所述中间电极或者所述缓冲层由以ZnO为基本构成元素的透明导电膜构成。所述太阳能电池的制造方法包括：对包含所述透明导电膜的形成材料的靶施加溅射电压的同时，使所述靶的表面产生水平磁场来进行溅射，从而形成所述中间电极或者所述缓冲层的步骤，在形成所述中间电极或者所述缓冲层的步骤中，将所述溅射电压设为340V以下来进行溅射。
-
公开(公告)号：CN101790795A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200880104798.7
申请日：2008-09-17
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , C23C14/08 , C23C14/35
CPC分类号： H01L31/1884 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/35 , H01L31/022483 , H01L31/076 , Y02E10/548
摘要： 本发明公开了太阳能电池的制造方法，上述太阳能电池包括光入射侧的发挥作为功率提取电极的功能的上部电极，上述上部电极包括将ZnO作为基本构成元素的透明导电膜，上述制造方法包括向具备上述透明导电膜的形成材料的靶施加340V以下的溅射电压的同时，使上述靶的表面产生水平磁场来进行溅射，从而形成上述上部电极的工序。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
16 条记录 (耗时 0.023 秒)
