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公开(公告)号：CN109477206A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780043223.8
申请日：2017-06-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C23C14/34 , C04B35/01 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC classification number: H01J37/3429 , B28B1/008 , B28B11/24 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/58 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3279 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3852 , C04B2235/72 , C04B2235/781 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/086 , C23C14/3414 , G02F1/133345 , G02F1/133514 , G02F1/133553 , G02F1/1368 , G02F2203/02 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L29/24 , H01L29/42384 , H01L29/66969 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 提供一种新颖的金属氧化物或新颖的溅射靶材。溅射靶材包含导电材料及绝缘材料。绝缘材料包含含有元素M1的氧化物、氮化物或氧氮化物。元素M1为选自Al、Ga、Si、Mg、Zr、Be和B中的一种或多种的元素。导电材料包含含有铟及锌的氧化物、氮化物或氧氮化物。使用导电材料和绝缘材料彼此分离的溅射靶材沉积金属氧化物膜。
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公开(公告)号：CN118800810A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410924563.3
申请日：2019-02-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/417
Abstract: 提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置包括晶体管，该晶体管包括：第一绝缘体、第一绝缘体上的第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第三氧化物、第二氧化物上的第一导电体及第二导电体、第二绝缘体、第三导电体、第一导电体及第二导电体上的第四绝缘体、第四绝缘体上的第三绝缘体，其中在第三绝缘体及第四绝缘体中设置到达第二氧化物的开口，以覆盖开口的内壁的方式配置第三氧化物，以隔着第三氧化物覆盖开口的内壁的方式配置第二绝缘体，以隔着第三氧化物及第二绝缘体填充开口的方式配置第三导电体，并且在晶体管的沟道长度方向上，第一绝缘体的底面和与第二导电体相对的第一导电体的侧面所形成的角度小于90度。
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公开(公告)号：CN115241045A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210902715.0
申请日：2017-03-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本公开涉及半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置。本发明提高包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。半导体装置包括具有氧化物半导体膜的晶体管。晶体管包括栅电压高于0V且10V以下的晶体管的场效应迁移率的最大值为40以上且小于150的区域；阈值电压为‑1V以上且1V以下的区域；以及S值小于0.3V/decade的区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114762132A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202080082911.7
申请日：2020-12-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L33/32 , H01L33/40 , H01L29/786 , C23C14/06
Abstract: 提供一种包括无机发光元件的半导体装置。半导体装置包括无机发光元件、晶体管及电容器。无机发光元件包括第一膜及第二膜，第一膜包含铟、氧及氮，第二膜包含镓及氮。第一膜具有纤锌矿型结构或立方晶结构，第二膜具有纤锌矿型结构并生长在第一膜上。第一膜被用作无机发光元件的阴极电极。另外，无机发光元件所包括的第二膜的上方形成有电容器的一个电极，电容器的另一个电极的上方形成有在半导体层中包含金属氧化物的晶体管。电容器的一个电极具有反射无机发光元件所发射的光的功能。无机发光元件经过第一膜发射光。
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公开(公告)号：CN113875152A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202080035144.4
申请日：2020-05-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种功耗低的半导体装置。在具备设置于低电源电位一侧的第一晶体管及设置于高电源电位一侧的第二晶体管的共源共栅电路中，第二晶体管的栅极与第三晶体管的源极或漏极及电容连接。第一晶体管的栅极与第二晶体管的背栅极电连接。作为第三晶体管，使用OS晶体管。
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公开(公告)号：CN112352318A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201980043643.5
申请日：2019-06-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/8239 , H01L21/8242 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/1156
Abstract: 提供一种通态电流大且可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，包括第一绝缘体、第一绝缘体上的第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第二氧化物上的第三氧化物及第四氧化物、第三氧化物上的第一导电体、第四氧化物上的第二导电体、第二氧化物上的第五氧化物、第五氧化物上的第二绝缘体、第二绝缘体上的第三导电体。第五氧化物与第二氧化物的顶面、第一导电体的侧面、第二导电体的侧面、第三氧化物的侧面及第四氧化物的侧面接触。第二氧化物包含In、元素M及Zn。第一氧化物及第五氧化物各自包含第二氧化物所包含的构成要素中的至少一个。第三氧化物及第四氧化物各自包含元素M。第三氧化物及第四氧化物具有其元素M的浓度比第二氧化物高的区域。
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公开(公告)号：CN109121438A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201780023312.6
申请日：2017-02-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 在包括氧化物半导体的晶体管中，抑制电特性的变动且提高可靠性。半导体装置包括晶体管。晶体管包括第一栅电极、第一栅电极上的第一绝缘膜、第一绝缘膜上的氧化物半导体膜、氧化物半导体膜上的第二绝缘膜、第二绝缘膜上的第二栅电极、以及氧化物半导体膜及第二栅电极上的第三绝缘膜。氧化物半导体膜包括与第二栅电极重叠的沟道区域、与第三绝缘膜接触的源区域以及与第三绝缘膜接触的漏区域。第一栅电极与第二栅电极电连接。在对晶体管的饱和区域中的场效应迁移率进行测量时，场效应迁移率的最小值与场效应迁移率的最大值之差为15cm2/Vs以下。
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公开(公告)号：CN108780757A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780018390.7
申请日：2017-03-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , C23C14/08 , H01L21/363 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/8242 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/108 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7781 , H01L29/7782 , H01L29/7786 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提高包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。半导体装置包括具有氧化物半导体膜的晶体管。晶体管包括栅电压高于0V且10V以下的晶体管的场效应迁移率的最大值为40以上且小于150的区域；阈值电压为-1V以上且1V以下的区域；以及S值小于0.3V/decade的区域。
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