公开(公告)号：CN1025383C

公开(公告)日：1994-07-06

申请号：CN86107793

申请日：1986-11-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小沼利光 ,  浜谷敏次 ,  间濑晃 ,  山口利治 ,  坂间光范 ,  犬岛乔

IPC: G09F9/35

CPC classification number: G02F1/133345

Abstract: 本发明说明一种改进的，不受液晶污染影响的液晶装置，该液晶凭借其间的氮化物层来跟游离物质隔离，如：玻璃基质、透明电极等等。

公开(公告)号：CN1008784B

公开(公告)日：1990-07-11

申请号：CN87100058

申请日：1987-01-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  间濑晃 ,  浜谷敏次

IPC: H01L31/078 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L31/1055 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/022408

Abstract: 介绍了一种经过改良的光电转换器。流光电转换器包括多个光电半导体元件，各光电半导体元件由第一电极、半导体层和第二电极组成。半导体层的相对表面完全为第一和第二电极所遮盖。

公开(公告)号：CN1036681A

公开(公告)日：1989-10-25

申请号：CN89101741.0

申请日：1989-02-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  土屋光则 ,  川野笃 ,  今任慎二 ,  中下一寿 ,  浜谷敏次 ,  大岛乔 ,  伊藤健二

IPC: H05H1/30

Abstract: 本文描述了一种等离子体产生方法和装置。在一对电极之间，安置了一些基片，电极被供给高频电源，以便产生辉光放电，并导致产生等离子体。在等离子体中的基片加以交流电场。借助于此交流电场、基片受到溅射作用。

公开(公告)号：CN101232042A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200810001287.4

申请日：2002-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  浜谷敏次 ,  高山彻

IPC: H01L27/32

CPC classification number: H01L27/3211 ,  H01L21/67207 ,  H01L27/3209 ,  H01L27/3218 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3281 ,  H01L51/5036 ,  H01L51/504 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5284 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5315

Abstract: 提供具有高清晰度、高孔径比、和高可靠性的发光装置。本发明通过内部形成叠层部分，用使用红、绿和蓝色发光的全色平板显示器实现高清晰度和高孔径比，其中相邻发光元件的不同有机化合物层的部分互相重叠，而不依赖于形成有机化合物层的方法或膜形成精度。

公开(公告)号：CN1708852A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200380102145.2

申请日：2003-10-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  丸山纯矢 ,  大野由美子 ,  村上雅一 ,  浜谷敏次 ,  桑原秀明 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/3276 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/3272 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L31/105 ,  H01L51/0024 ,  H01L51/003 ,  H01L51/5212 ,  H01L51/5253 ,  H01L2221/68368

Abstract: 本发明的课题是提供在各种各样的基体材料粘贴被剥离层的轻量的半导体装置及其制作方法。本发明在衬底上形成被剥离层，在该被剥离层上用粘接材料粘贴设有刻蚀阻止膜的密封衬底，然后，仅刻蚀或研磨去除密封衬底。残留的刻蚀阻止膜直接作为阻挡膜。另外，粘接材料也可采用粘接磁片。

公开(公告)号：CN1450594A

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN03110587.4

申请日：2003-04-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 仲泽美佐子 ,  一条充弘 ,  浜谷敏次 ,  大沼英人 ,  牧田直树

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621

Abstract: 形成了满足以下三个要求，“很好地抵挡刻蚀并能够阻止刻蚀来保护半导体薄膜被刻蚀剂刻蚀掉”，“在为吸收进行的热处理中允许杂质元素自由移动”，及“具有优秀的可重复性”的阻挡层，阻挡层用于吸收半导体薄膜中的杂质。阻挡层为氧化硅薄膜，阻挡层中所含的低氧化物比率为18％或更高。

公开(公告)号：CN1021100C

公开(公告)日：1993-06-02

申请号：CN89101741.0

申请日：1989-02-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  土屋光则 ,  川野笃 ,  今任慎二 ,  中下一寿 ,  浜谷敏次 ,  大岛乔 ,  伊藤健二

IPC: H05H1/30

Abstract: 本文描述了一种等离子体处理方法和装置。在一对电极之间，安置了一些基片，电极被供给高频电源，以便产生辉光放电，并导致产生等离子体。在等离子体中的基片加以交流电场。借助于此交流电场、基片受到溅射作用。

公开(公告)号：CN87100058A

公开(公告)日：1987-07-22

申请号：CN87100058

申请日：1987-01-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  间濑晃 ,  浜谷敏次

IPC: H01L31/06 ,  H01L31/10 ,  H01L31/18 ,  H01L25/02

CPC classification number: H01L31/1055 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/022408

Abstract: 介绍了一种经过改良的光电转换器。该光电转换器包括多个光电半导体元件，各光电半导体元件由第一电极、半导体层和第二电极组成。半导体层的相对表面完全为第一和第二电极所遮盖。

公开(公告)号：CN100481506C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200610103002.9

申请日：2000-04-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  高山彻 ,  浜谷敏次

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明主要提供可用于大尺寸屏幕的有源矩阵显示器件的栅电极和栅极布线，其中为了实现本目的，本发明的构成是一种半导体器件，在同一衬底上具有设置在显示区的象素TFT和围绕显示区设置的驱动电路TFT，其中象素TFT和驱动电路TFT的栅电极由第一导体层形成，栅电极通过连接器与第二导体层形成的栅极布线电接触，连接器设置在象素TFT和驱动电路TFT的沟道形成区之外。

公开(公告)号：CN100416840C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200380102145.2

申请日：2003-10-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  丸山纯矢 ,  大野由美子 ,  村上雅一 ,  浜谷敏次 ,  桑原秀明 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/3276 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/3272 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L31/105 ,  H01L51/0024 ,  H01L51/003 ,  H01L51/5212 ,  H01L51/5253 ,  H01L2221/68368

Abstract: 本发明的课题是提供在各种各样的基体材料粘贴被剥离层的轻量的半导体装置及其制作方法。本发明在衬底上形成被剥离层，在该被剥离层上用粘接材料粘贴设有刻蚀阻止膜的密封衬底，然后，仅刻蚀或研磨去除密封衬底。残留的刻蚀阻止膜直接作为阻挡膜。另外，粘接材料也可采用粘接磁片。