公开(公告)号：CN101630639A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200910161174.5

申请日：2005-01-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志 ,  藤井严 ,  城口裕子 ,  森末将文

IPC: H01L21/02 ,  B05D1/12

CPC classification number: G02B5/201 ,  G03F7/0007 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3281 ,  H01L27/3295 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供一种通过简单的步骤制造具有包括绝缘膜、半导体膜、导电膜等的膜图案的基板的方法，以及以高产量制造低成本的半导体器件的方法。根据本发明，在基板上形成具有低润湿性的第一保护膜之后，在第一掩模图案的外缘上施加或排放具有高润湿性的材料，从而可形成膜图案和具有膜图案的基板。

公开(公告)号：CN100550295C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200510004768.7

申请日：2005-01-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志 ,  藤井严 ,  城口裕子 ,  森末将文

IPC: H01L21/02 ,  B05D1/12

CPC classification number: G02B5/201 ,  G03F7/0007 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3281 ,  H01L27/3295 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供一种通过简单的步骤制造具有包括绝缘膜、半导体膜、导电膜等的膜图案的基板的方法，以及以高产量制造低成本的半导体器件的方法。根据本发明，在基板上形成具有低润湿性的第一保护膜之后，在第一掩模图案的外缘上施加或排放具有高润湿性的材料，从而可形成膜图案和具有膜图案的基板。

公开(公告)号：CN101136312A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710142266.X

申请日：2007-08-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 森末将文 ,  田中幸一郎

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/1362 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  Y02P80/30

Abstract: 本发明的课题在于提供提高材料的利用效率并使制造工序简化，来制造高可靠性的半导体器件的方法。其包括如下工序：在衬底上形成导电层；在该导电层上形成透光层；以及从该透光层上照射飞秒激光来选择性地除去该导电层及该透光层。也可以按照将该透光层的端部配置在比该导电层的端部更靠内侧的方式来除去该导电层及该透过层。此外，也可以在照射飞秒激光之前对该透光层的表面进行憎液处理。

公开(公告)号：CN101017872A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200710008091.3

申请日：2007-02-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  古川忍 ,  森末将文 ,  藤井严

IPC: H01L33/00 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01J9/2275 ,  G09G3/30 ,  G09G2300/0426

Abstract: 本发明的目的在于提供进一步降低功耗，提高发光效率，并且具有高性能及高可靠性的显示器件。在本发明中，通过以下步骤来制造发光元件：对发光材料照射光；将照射了光的发光材料分散在含有粘合剂的溶液中，而形成含有照射了光的发光材料及粘合剂的溶液；形成第一电极层；将溶液涂敷在第一电极层上，以形成含有照射了光的发光材料及粘合剂的发光层；以及在发光层上形成第二电极层。还可以在第一电极层和发光层之间或在第二电极层和发光层之间提供绝缘层。

公开(公告)号：CN1909188A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200510091142.4

申请日：2005-08-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 森末将文 ,  藤井厳

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/208 ,  H01L21/288 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  C23C26/00

CPC classification number: H01L27/1285 ,  H01L27/1292

Abstract: 本发明的目的是提供一种可以简单的步骤制造具有绝缘膜、半导体膜、导电膜等的膜图案的衬底的方法，以及以低成本、高产量、高成品率来制造半导体器件的方法。本发明的半导体器件的制造方法包括以下步骤：在衬底上形成第一膜；在所述第一膜上排放含有掩模材料的溶液以在所述第一膜上形成掩模；使用所述掩模对所述第一膜进行图案化以在所述衬底上形成低润湿性区域和高润湿性区域；去除所述掩模；以及，向夹在所述低润湿性区域之间的高润湿性区域中排放含有绝缘膜、半导体膜或导电膜材料的溶液，以形成绝缘膜、半导体膜或导电膜的图案。

公开(公告)号：CN1828931A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610006625.4

申请日：2006-01-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊佐敏行 ,  藤井厳 ,  森末将文

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L23/522 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/288 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/0019 ,  H01L51/0022 ,  H01L51/0023 ,  H01L2924/0002 ,  Y02P80/30 ,  H01L2924/00

Abstract: 具有结节的导电层邻接地形成为其间具有均匀的距离。排放导电层的微滴以在配线的长度方向上交错微滴的中心，使得排放微滴的中心在相邻导电层之间的线宽方向上不在同一线上。由于交错了微滴中心，所以各自具有最宽线宽(结节的最宽宽度)的导电层部分彼此不连接，且导电层邻接地形成为其间具有更短的距离。

公开(公告)号：CN1801461A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200510129041.1

申请日：2005-11-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 森末将文 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/288 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5226 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种制造半导体器件的方法，其中可以有利地填充具有高宽高比开口的接触孔，而不采用传统的CMP工艺。本发明的另一个目的是提供一种采用比传统方法更少的步骤形成引线的方法，并且提供一种在高成品率下制造高度集成的半导体器件的方法。根据本发明，在具有多个空气孔的绝缘膜的表面上形成具有斥水性表面的膜，通过采用光照射具有斥水性表面的膜的一部分而形成具有亲水性表面的区域，以及通过在所述具有亲水性表面的区域上释放并且烘焙具有导电颗粒的液体材料而形成导电膜。

公开(公告)号：CN1612351A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN200410083451.2

申请日：2004-09-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 丸山純矢 ,  高山徹 ,  森末将文 ,  渡邊了介 ,  杉山栄二 ,  岡崎奨 ,  西和夫 ,  小山潤 ,  長多剛 ,  松嵜隆德

IPC: H01L27/14 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14665 ,  H01L2224/16225

Abstract: 本发明的目的是减小元件所占据的面积并将多个元件集成在一个有限的面积中，使得传感器元件能够具有较高的输出和较小的尺寸。在本发明中，通过对使用非晶半导体薄膜(典型的是，非晶硅薄膜)的传感器元件的单元化，以及对包括在能够经受诸如焊料回流处理工艺之类安装工艺中的温度的塑料基片上采用具有晶体结构的半导体薄膜(典型的是，多晶硅薄膜)作为有源层的TFT的输出放大电路的单元化，就能够获得较高的输出和小型化。根据本发明，能够获得可抵御弯曲应力的传感器元件。

公开(公告)号：CN102157349B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201110044298.2

申请日：2007-03-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神保安弘 ,  森末将文 ,  木村肇 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/04 ,  H01L21/18

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/133603 ,  H01L21/6835 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/153 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/62 ,  H01L51/003 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68386

Abstract: 本发明提供一种使用剥离方法的半导体装置和显示装置的制造技术，其中转移过程能在保留元件剥离前形状和性质的良好状态下进行。此外，本发明提供一种更可靠的半导体装置和显示装置的高产量制造技术且未使用于制造的设备和方法复杂化。根据本发明，在具有透光性的第一基板上形成包含光催化剂物质的有机化合物层，在包含光催化剂物质的有机化合物层上形成元件层，用穿过第一基板的光照射包含光催化剂物质的有机化合物层，并且从第一基板剥离元件层。

公开(公告)号：CN101162703B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200710181907.2

申请日：2007-10-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  森末将文

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/84 ,  H01L21/28 ,  H01L21/311

CPC classification number: G02F1/136227 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76817 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/66765 ,  Y02P80/30

Abstract: 在绝缘层的开口形成区域上与绝缘层接触地配置管子，并且经过该管子将处理剂(蚀刻气体或蚀刻液)喷出到绝缘层上。借助于喷出了的处理剂(蚀刻气体或蚀刻液)选择性地去除绝缘层，以在绝缘层中形成开口。因此，具有开口的绝缘层形成在第一导电层上，从而位于绝缘层下的第一导电层露出在开口的底面。在开口中与露出了的第一导电层接触地形成第二导电层，而在设置于绝缘层中的开口中使第一导电层和第二导电层电连接。