公开(公告)号：CN101233394B

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN200680027408.1

申请日：2006-07-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 西和夫 ,  荒尾达也 ,  广濑笃志 ,  菅原裕辅 ,  楠本直人 ,  山田大干 ,  高桥秀和

IPC: G01J1/44 ,  H01L31/10 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L31/102 ,  G01J1/44 ,  H01L31/145 ,  H04N5/2351

Abstract: 本发明提供了一种能够探测从弱光到强光的光的光电转换器件，并且涉及一种光电转换器件，其具有：具有光电转换层的光电二极管；包括晶体管的放大器电路；以及开关，其中，当入射光的强度低于预定强度时，通过所述开关使所述光电二极管和所述放大器电路相互电连接，从而通过所述放大器电路将光电电流放大，以供输出，并且可以通过所述开关使所述光电二极管和部分或全部所述放大器电路电断开，从而按照放大系数降低光电电流，以供输出。根据这样的光电转换器件，能够探测从弱光到强光的光。

公开(公告)号：CN1874060B

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200610088604.1

申请日：2006-05-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 青木智幸 ,  山田大干

IPC: H01Q1/00 ,  H01Q1/38 ,  G06K19/07 ,  G06K19/073 ,  G06K19/077 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H05K1/00 ,  H05K3/00

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76856 ,  H01L23/5227 ,  H01L24/83 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/13 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01Q1/2225 ,  H05K1/095 ,  H05K3/02 ,  H01L2224/29075 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了具有低电阻的天线以及通信距离得到改善的具有天线的半导体装置。将包含导电颗粒的流体涂敷到对象上。在固化包含导电颗粒的流体之后，使用激光辐射该液体以形成天线。使用丝网印刷、旋涂、浸渍、或小滴释放方法，涂敷包含导电颗粒的流体。此外，该激光可使用波长为大于或等于1nm且小于或等于380nm的固体激光器。

公开(公告)号：CN101313413B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200680043181.X

申请日：2006-11-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荒尾达也 ,  楠本直人 ,  山田大干 ,  高桥秀和 ,  西和夫 ,  菅原裕辅 ,  高桥宽畅 ,  深井修次

IPC: H01L31/10 ,  H01L29/41 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/022408 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14692 ,  H01L31/03762

Abstract: 形成一种光电转换装置，所述光电转换装置在第一电极和第二电极之间被提供有光电转换层。第一电极部分地与光电转换层接触，并且在接触部分中第一电极的截面形状是锥形形状。在这种情形下，具有一个电导率类型的第一半导体层的一部分与第一电极接触。在第一电极的边缘部分中的平面(planer)形状优选是无角度的，即，其中边缘是平面或曲面形状的形状。通过这种结构，可以抑制电场的集中和应力的集中，由此可以减小光电转换装置的特性退化。

公开(公告)号：CN102156901A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110071713.3

申请日：2007-06-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 道前芳隆 ,  青山智幸 ,  高桥秀和 ,  山田大干 ,  荻田香 ,  楠本直人

IPC: G06K19/077 ,  H01L23/498 ,  H01L27/12 ,  D21H21/48

CPC classification number: D21H21/48 ,  B32B29/00 ,  D21H27/32 ,  G06K19/07749 ,  H01L23/49855 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/78603 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及包括半导体器件的纸及具有该纸的物品。实现嵌有能无线通信的半导体器件的纸，其包括该半导体器件的部分的不均匀性不突出，且该纸是薄的，具有小于或等于130μm的厚度。半导体器件设置有电路部分和天线，且该电路部分包括薄膜晶体管。电路部分和天线与在制造期间所用的衬底分离，并介于柔性基片和密封层之间并被保护。该半导体器件可弯曲，且该半导体器件自身的厚度小于或等于30μm。该半导体器件在造纸工艺中被嵌入纸内。

公开(公告)号：CN100539086C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200610106032.5

申请日：2006-06-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山田大干 ,  道前芳隆 ,  杉山荣二 ,  高桥秀和

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/78621 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的一个目的在于提供一种薄膜电路部分的结构和制造薄膜电路部分的方法，通过该方法可以在薄膜电路下方容易地形成用于连接外部部分的电极。形成一种叠置体，该叠置体包括第一绝缘膜、形成于第一绝缘膜一个表面上方的薄膜电路、形成于薄膜电路上方的第二绝缘膜、形成于第二绝缘膜上方的电极和形成于电极上方的树脂膜。邻接叠置体第一绝缘膜的另一表面形成导电膜以与电极重叠。用激光照射导电膜。

公开(公告)号：CN100499175C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200410087478.9

申请日：2004-10-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 西和夫 ,  安达广树 ,  楠本直人 ,  菅原裕辅 ,  高桥秀和 ,  山田大干 ,  樋浦吉和

IPC: H01L31/0203

CPC classification number: H01L31/0203 ,  H01L23/49805 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，具有可装配在布线衬底上的结构，所述半导体器件形成在薄膜厚度衬底、膜状衬底，或者片状衬底上。此外，本发明提供一种制造半导体器件的方法，能够提高装配在布线衬底上的可靠性。本发明的一个特征是把形成在绝缘衬底上的半导体元件接合到通过具有各向异性导电性的介质形成的导电膜的部件上。

公开(公告)号：CN101313413A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200680043181.X

申请日：2006-11-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荒尾达也 ,  楠本直人 ,  山田大干 ,  高桥秀和 ,  西和夫 ,  菅原裕辅 ,  高桥宽畅 ,  深井修次

IPC: H01L31/10 ,  H01L29/41 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/022408 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14692 ,  H01L31/03762

Abstract: 形成一种光电转换装置，所述光电转换装置在第一电极和第二电极之间被提供有光电转换层。第一电极部分地与光电转换层接触，并且在接触部分中第一电极的截面形状是锥形形状。在这种情形下，具有一个电导率类型的第一半导体层的一部分与第一电极接触。在第一电极的边缘部分中的平面(planer)形状优选是无角度的，即，其中边缘是平面或曲面形状的形状。通过这种结构，可以抑制电场的集中和应力的集中，由此可以减小光电转换装置的特性退化。

公开(公告)号：CN1976011A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610163787.9

申请日：2006-12-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山田大干

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L27/28

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明的目的在于提供一种有防水性且可靠性高的半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在衬底上依次形成剥离层、无机绝缘层、包括有机化合物层的元件形成层；将剥离层和无机绝缘层剥离或者将衬底和无机绝缘层剥离；将无机绝缘层的一部分或无机绝缘层以及元件形成层的一部分去掉来至少使无机绝缘层分离得成为多个部分，并在分离了的无机绝缘层的外缘层叠有机化合物层、柔性衬底和粘合剂中的任两个或更多；以及将有机化合物层、柔性衬底和粘合剂中的任两个或更多层叠的区域分割。

公开(公告)号：CN1783506A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510108891.3

申请日：2005-09-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥秀和 ,  丸山纯矢 ,  山田大干 ,  楠本直人 ,  西和夫 ,  安达广树 ,  菅原裕辅

IPC: H01L27/15 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14692

Abstract: 本发明揭示一种半导体装置及其制造方法。传感器元件中存在的课题是，为了进一步推进今后的大功率输出及小型化，要在有限的面积上形成多个元件，要缩小元件所占的面积进行集成。还存在的课题是，提供能够提高传感器元件的合格率的工艺。本发明是在具有绝缘表面的基板上将采用非晶态硅膜的传感器元件、以及由薄膜晶体管构成的输出放大电路进行集成。另外，在传感器元件的光电变换层形成图形时，在光电变换层与薄膜晶体管连接的布线之间设置包含露出的保护布线用的金属层。

公开(公告)号：CN101471351B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN200810189707.6

申请日：2008-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥秀和 ,  山田大干 ,  门马洋平 ,  安达广树 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/144 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/12 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14692

Abstract: 在衬底的第一面上设置半导体元件。在衬底的与第一面相反的第二面上和衬底的侧面的一部分上形成树脂层。在衬底的侧面中具有水平差。具有水平差的衬底的上方部分的宽度比具有水平差的衬底的下方部分的宽度窄。因此，衬底也可以是凸字形状。