公开(公告)号：CN110998809B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN201880050765.2

申请日：2018-07-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  松林大介 ,  方堂凉太 ,  伊藤大吾 ,  本多大章 ,  冈本悟

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H10B12/00 ,  H10B41/70 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种具有良好的电特性的半导体装置。该半导体装置包括：氧化物；氧化物上的第一导电体及第二导电体；氧化物上的第三导电体；氧化物与第三导电体之间的覆盖第三导电体的侧面的第一绝缘体；第三导电体及第一绝缘体上的第二绝缘体；位于第一导电体上且第二绝缘体的侧面处的第三绝缘体；位于第二导电体上且第二绝缘体的侧面处的第四绝缘体；与第三绝缘体的顶面及侧面接触且与第一导电体电连接的第四导电体；以及与第四绝缘体的顶面及侧面接触且与第二导电体电连接的第五导电体。第一绝缘体位于第三绝缘体与第三导电体之间且位于第四绝缘体与第三导电体之间。

公开(公告)号：CN114175249A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202080054266.8

申请日：2020-07-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  木村肇 ,  松嵜隆德 ,  大贯达也 ,  冈本佑树 ,  鱼地秀贵 ,  冈本悟 ,  乡户宏充 ,  津田一树 ,  国武宽司

IPC: H01L27/11519 ,  G11C11/40 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

Abstract: 提供一种可靠性高的存储装置。延伸在第一方向上的第一导电体的侧面从第一导电体一侧看时依次设置有第一绝缘体、第一半导体、第二绝缘体、第二半导体以及第三绝缘体。第一导电体具有隔着第一绝缘体、第一半导体、第二绝缘体、第二半导体及第三绝缘体与第二导电体重叠的第一区域、以及隔着第一绝缘体、第一半导体、第二绝缘体、第二半导体及第三绝缘体与第三导电体重叠的第二区域。在第二区域中，包括第一绝缘体和第一半导体之间的第四导电体。

公开(公告)号：CN108886021A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780022719.7

申请日：2017-01-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  远藤佑太 ,  加藤清 ,  冈本悟

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1207 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/8258 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种适合于微型化及高集成化的可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的晶体管；晶体管上的第二绝缘体；嵌入在第二绝缘体的开口中的第一导电体；第一导电体上的阻挡层；在第二绝缘体及阻挡层上的第三绝缘体；以及第三绝缘体上的第二导电体。第一绝缘体、第三绝缘体及阻挡层对氧及氢具有阻挡性。第二绝缘体包括过剩氧区域。晶体管包括氧化物半导体。阻挡层、第三绝缘体及第二导电体被用作电容器。

公开(公告)号：CN100514542C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200510064845.8

申请日：2005-04-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈本悟

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/84 ,  G02F1/136 ,  G09G3/38

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/127 ,  H01L29/78621 ,  H01L2029/7863 ,  Y10S438/978

Abstract: 相应于各种电路的TFTs的制造使其结构复杂，其涉及大量的制造步骤。这种在制造步骤数量上的增加导致更高的制造成本和更低的产率。在本发明中，使用用于斜面形状栅电极制造的斜面形状抗蚀剂以及斜面形状的栅电极作为掩模，掺杂高浓度的杂质，然后使用抗蚀剂作为掩模在垂直方向上刻蚀斜面形状的栅电极。用低浓度的杂质掺杂如此去除了斜面部分的栅电极下方的半导体层。

公开(公告)号：CN101325162A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200810125110.5

申请日：2008-06-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈本悟

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/13 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置以及其制造方法，在该半导体装置中，防止起因于设置为岛状的半导体层的端部的缺陷，而提高可靠性。本发明的半导体装置的制造方法包括如下步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成岛状半导体层；进行第一变质处理，在所述岛状半导体层的表面形成第一绝缘膜；去掉所述第一绝缘膜；对去掉了所述第一绝缘膜的所述岛状半导体层进行第二变质处理，在该岛状半导体层的表面形成第二绝缘膜；在所述第二绝缘膜上形成导电层，其中通过所述第一变质处理和所述第二变质处理，使所述岛状半导体层的上端部具有圆度。

公开(公告)号：CN101207156A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200710159921.2

申请日：2007-12-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈本悟 ,  关口庆一

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/78621 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/127 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L2029/7863

Abstract: 本发明的目的在于提高半导体装置的工作特性和可靠性。本发明涉及一种半岛体装置，它包括：具有沟道形成区、第一低浓度杂质区、第二低浓度杂质区、以及包括硅化物层的高浓度杂质区的岛状半导体膜；栅绝缘膜；中间夹着所述栅绝缘膜与所述沟道形成区以及所述第一低浓度杂质区重叠的第一栅电极；中间夹着所述栅绝缘膜与所述沟道形成区重叠的第二栅电极；形成在所述第一栅电极以及所述第二栅电极的侧面的侧壁，其中，所述栅绝缘膜的所述第二低浓度杂质区上的膜厚度薄于其以外的区域上的膜厚度。

公开(公告)号：CN117276339A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202310664561.0

申请日：2018-07-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  松林大介 ,  方堂凉太 ,  伊藤大吾 ,  本多大章 ,  冈本悟

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417

Abstract: 提供一种具有良好的电特性的半导体装置。该半导体装置包括：氧化物；氧化物上的第一导电体及第二导电体；氧化物上的第三导电体；氧化物与第三导电体之间的覆盖第三导电体的侧面的第一绝缘体；第三导电体及第一绝缘体上的第二绝缘体；位于第一导电体上且第二绝缘体的侧面处的第三绝缘体；位于第二导电体上且第二绝缘体的侧面处的第四绝缘体；与第三绝缘体的顶面及侧面接触且与第一导电体电连接的第四导电体；以及与第四绝缘体的顶面及侧面接触且与第二导电体电连接的第五导电体。第一绝缘体位于第三绝缘体与第三导电体之间且位于第四绝缘体与第三导电体之间。

公开(公告)号：CN108886021B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201780022719.7

申请日：2017-01-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  远藤佑太 ,  加藤清 ,  冈本悟

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种适合于微型化及高集成化的可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的晶体管；晶体管上的第二绝缘体；嵌入在第二绝缘体的开口中的第一导电体；第一导电体上的阻挡层；在第二绝缘体及阻挡层上的第三绝缘体；以及第三绝缘体上的第二导电体。第一绝缘体、第三绝缘体及阻挡层对氧及氢具有阻挡性。第二绝缘体包括过剩氧区域。晶体管包括氧化物半导体。阻挡层、第三绝缘体及第二导电体被用作电容器。

公开(公告)号：CN113826101A

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202080035380.6

申请日：2020-04-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  福留贵浩 ,  冈本悟

IPC: G06F30/30 ,  G06F16/906

Abstract: 提供一种检索系统及检索方法，其包括将第一电路图信息输入到终端的单元、登录有第二电路图信息的数据库、将被输入的第一电路图信息转换为第一图形的单元、对第一图形与基于第二电路图信息的第二图形之间的相似度进行计算的运算单元以及在终端上显示相似度的单元。

公开(公告)号：CN107980178B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201680048760.7

申请日：2016-08-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 笹川慎也 ,  浜田崇 ,  下村明久 ,  冈本悟 ,  栃林克明

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/4763 ,  H01L27/12 ,  H01L29/423 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/465

Abstract: 本发明提供一种微型晶体管。提供一种寄生电容小的晶体管。提供一种频率特性高的晶体管。提供一种通态电流大的晶体管。提供一种包括该晶体管的半导体装置。提供一种集成度高的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体；第二绝缘体；第二导电体；第三导电体；第四导电体；第五导电体；埋入在形成于第二绝缘体、第二导电体、第三导电体、第四导电体及第五导电体的开口部中的第一导电体及第一绝缘体；第二导电体的侧面及底面与第四导电体接触的区域；以及第三导电体的侧面及底面与第五导电体接触的区域。