半导体装置及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN117276339A

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202310664561.0

    申请日:2018-07-26

    Abstract: 提供一种具有良好的电特性的半导体装置。该半导体装置包括:氧化物;氧化物上的第一导电体及第二导电体;氧化物上的第三导电体;氧化物与第三导电体之间的覆盖第三导电体的侧面的第一绝缘体;第三导电体及第一绝缘体上的第二绝缘体;位于第一导电体上且第二绝缘体的侧面处的第三绝缘体;位于第二导电体上且第二绝缘体的侧面处的第四绝缘体;与第三绝缘体的顶面及侧面接触且与第一导电体电连接的第四导电体;以及与第四绝缘体的顶面及侧面接触且与第二导电体电连接的第五导电体。第一绝缘体位于第三绝缘体与第三导电体之间且位于第四绝缘体与第三导电体之间。

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