公开(公告)号：CN103808061A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310562470.2

申请日：2013-11-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 富松师浩 ,  平冈俊郎 ,  八木亮介 ,  齐藤明子

IPC: F25B21/00

CPC classification number: F25B21/00 ,  F25B2321/002 ,  Y02B30/66

Abstract: 根据一个实施例，磁制冷装置包括：磁性本体；磁场施加单元；储热介质；和传热单元。磁性本体间隔排列。磁场施加单元分别对磁性本体施加磁场和去除磁场。介质布置成面对磁性本体中的至少一个。介质在施加磁场和去除磁场所导致的磁性本体的温度变化的范围内没有居里点。传热单元选择性地使介质与磁性本体热接触或使介质与磁性本体热隔离，并且传热单元与施加磁场和去除磁场同步地将热从磁性本体传给介质或将热从介质传给磁性本体。

公开(公告)号：CN103515583A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310056303.0

申请日：2013-02-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 越崎健司 ,  深泽孝幸 ,  森田朋和 ,  长田宪和 ,  堀田康之 ,  久保木贵志 ,  平冈俊郎

IPC: H01M4/38 ,  H01M4/62 ,  H01M4/134 ,  H01M10/0525

CPC classification number: H01M4/134 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/133 ,  H01M4/366 ,  H01M4/625 ,  H01M2004/021 ,  Y02E60/122 ,  H01M4/48 ,  H01M4/131 ,  H01M10/052

Abstract: 本发明提供长寿命的非水电解质二次电池用负极材料、非水电解质二次电池用负极活性物质、非水电解质二次电池用负极、非水电解质二次电池以及电池包。实施方式的非水电解质二次电池用负极材料为包含硅和氧化硅的由组成式SiOx表示的硅氧化物，x满足0.1≤x≤0.8，硅氧化物含有晶体硅，在晶体硅中的直径为1nm以上的粒状物中，直径为100nm以下的粒状物以个数计为90％以上，硅氧化物的BET比表面积大于100m2／g。

公开(公告)号：CN1215545C

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN03108392.7

申请日：2003-03-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山口直子 ,  杉崎吉昭 ,  青木秀夫 ,  平冈俊郎 ,  堀田康之 ,  青竹茂 ,  泽登美纱

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01R31/2886 ,  G01R31/2863

Abstract: 提供能够保持良好的电接触来进行具有微细电极构造的被测试电子部件的测试的半导体测试装置、半导体器件测试用接触基板、半导体器件的测试方法及半导体器件的制造方法。该半导体测试装置包括：测试电路(13)，将测试信号输入输出到被测试电子部件；测试信号布线(12)，与该测试电路电连接；接触基板(5)，与被测试电子部件的电极电连接，配有传送测试信号的导电通路(6)，设置有用绝缘性材料形成的、有上表面和下表面的至少一个以上的通孔；多层布线基板(7)，与导电通路和测试信号布线电连接，配置有在接触基板的下表面上的至少一个以上的通孔(9)；以及吸附机构(11)，吸附并保持被测试电子部件、接触基板、以及多层布线基板。

公开(公告)号：CN1532926A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN200410007336.7

申请日：2004-03-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 平冈俊郎 ,  堀田康之 ,  真竹茂 ,  泽登美纱 ,  山田纮

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/12 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H05K1/00 ,  H05K3/00 ,  H01B1/22

CPC classification number: H01L23/49894 ,  H01L23/145 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/0313 ,  H05K3/102 ,  H05K3/12 ,  H05K3/38 ,  H05K2201/0116 ,  H05K2201/0257 ,  H05K2201/2072 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249956 ,  Y10T428/249957 ,  Y10T428/249958 ,  Y10T428/249987 ,  Y10T428/249999 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种布线部件，它包括一种具有大量开放式元胞的薄片状布线基板，这种开放式元胞在三维方向分枝，并对多孔基板的第一主表面以及第二主表面开放，以及一种形成于多孔基板的第一主表面之上的导电部分，在多孔基板的界面上至少部分地与多孔基板形成相互渗透结构。第一主表面上的开放式元胞的孔隙有平均直径和平均孔隙数目，其中至少一项指标要小于第二主表面的该项指标。

公开(公告)号：CN1315246A

公开(公告)日：2001-10-03

申请号：CN00128595.5

申请日：2000-09-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 平冈俊郎 ,  浅川钢儿 ,  堀田康之

IPC: B32B5/18 ,  H01P11/00 ,  H01P5/00 ,  H01R9/00 ,  H01R11/01 ,  H05K1/11

CPC classification number: H05K3/4614 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1225 ,  G03F7/0002 ,  H01L2924/0002 ,  H01P1/2005 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/0313 ,  H05K3/107 ,  H05K3/185 ,  H05K3/4038 ,  H05K3/422 ,  H05K3/46 ,  H05K2201/0116 ,  H05K2201/0376 ,  H05K2201/09881 ,  H05K2201/10378 ,  Y10T29/49126 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种包括一多孔体和在该多孔体中填充有物质的大量区域的三维结构。为了形成光子谱带,填充有该物质的大量区域部分的平均节段为0.1－2μm。

公开(公告)号：CN119768899A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202380061904.2

申请日：2023-03-08

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝能源系统株式会社

Inventor： 信田直美 ,  内藤胜之 ,  平冈俊郎 ,  户张智博

IPC: H01L21/368 ,  H01L21/208

Abstract: 根据实施方式，提供一种能够形成均匀的涂布膜的、用于通过弯月面法来形成涂布膜的涂布装置和涂布方法。该涂布装置具备：涂布棒；基材输送部件，输送所述基材；多个喷嘴，向所述涂布棒的表面供给所述涂布液；以及涂布液供给部件，向所述喷嘴供给所述涂布液，在所述喷嘴各自的上游侧具备涂布液供给量调整部件，所述涂布液供给量调整部件调整向所述喷嘴供给的涂布液的供给量。

公开(公告)号：CN119744203A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202380061041.9

申请日：2023-03-08

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝能源系统株式会社

Inventor： 信田直美 ,  内藤胜之 ,  平冈俊郎 ,  户张智博

IPC: B05C5/02 ,  B05C11/10 ,  B05D1/26

Abstract: 根据实施方式，提供涂敷头、涂敷装置以及涂敷方法，能够形成均匀的涂敷膜且用于通过狭缝涂敷来形成涂敷膜。该涂敷头具备：歧管，在内部暂时存积涂敷液；狭缝，排出存积在上述歧管内的涂敷液；以及多个涂敷液供给口，向上述歧管导入涂敷液，上述歧管具有柱状形状，与上述涂敷头的长度方向大致平行地配置在上述涂敷头的内部，在上述歧管的长度方向的两端配置有上述多个涂敷液供给口。

公开(公告)号：CN119731773A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202380059793.1

申请日：2023-03-08

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝能源系统株式会社

Inventor： 信田直美 ,  内藤胜之 ,  平冈俊郎 ,  户张智博 ,  浅谷刚

IPC: H01L21/368 ,  H01L21/208

Abstract: 根据实施方式，提供一种能够形成均匀的涂布膜的涂布装置及涂布方法。该涂布装置(100)具备涂布杆、搬送基材的基材搬送部件和向所述涂布杆供给涂布液的涂布液供给部件。并且，在所述涂布杆的涂布下游还具备均匀化杆，所述均匀化杆配置于使所述涂布液在所述均匀化杆与所述基材之间形成弯液面的位置。

公开(公告)号：CN102428544B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN200980159359.0

申请日：2009-05-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 有贺智崇 ,  大泽裕一 ,  伊藤顺一 ,  黑崎义成 ,  柏田沙织 ,  平冈俊郎 ,  天野实 ,  柳晓志

IPC: G11B5/84 ,  H01L21/3065

CPC classification number: G11B5/855 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122

Abstract: 本发明提供凹凸图案形成方法，能够尽可能地抑制凹凸图案的凸部的垂肩。所述凹凸图案形成方法的特征在于，具备以下工序：在形成有凹凸图案的基材(2，4)上形成备有具有凸部的图案的导向图案(6)的工序；在导向图案上形成具有层叠有第一层(8)和第二层(10)的形成层的工序，第一层(8)包含选自第一金属元素及类金属元素中的至少一个元素，所述第二层(10)包含与所述第一金属元素不同的第二金属元素；通过蚀刻形成层，仅在凸部的侧部选择性地留置形成层的工序；除去导向图案的工序；以及通过以留置的形成层作为掩膜来蚀刻基材，由此在基材上形成凹凸图案的工序。

公开(公告)号：CN103363715A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310037356.8

申请日：2013-01-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 富松师浩 ,  平冈俊郎 ,  真田恭 ,  八木亮介 ,  齐藤明子 ,  小林忠彦 ,  加治志织

IPC: F25B21/00

CPC classification number: F25B21/00 ,  F25B2321/002 ,  F25B2321/0022 ,  Y02B30/66

Abstract: 本发明涉及磁性制冷设备和磁性制冷系统，在磁性制冷设备中，具有磁致热效应的磁体和具有蓄热效果的固体的蓄热构件（3，3A，3B）交替地排列，它们之间带有间隙（4）。磁场施加单元（6A，6B）开始和停止向磁体施加磁场。接触机构使磁体中的每一个都与跟每一磁体（2）相邻的固体的蓄热构件（3，3A，3B）中的一个接触。可另选地，接触机构使固体的蓄热构件（3，3A，3B）中的每一个与跟每一固体的蓄热构件（3，3A，3B）相邻的磁体中的一个接触。