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公开(公告)号：CN115574481A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211265113.5
申请日：2019-09-26
Abstract: 本发明提供在极低温区域中比热大且磁化小、而且制造性良好的蓄冷材料及其制造方法。并且提供填充该蓄冷材料、效率高且冷却性能优异的冷冻机。进而提供能够降低来自蓄冷材料的磁噪声的影响的超导线圈内置装置。实施方式的蓄冷材料为包含ThCr2Si2型结构(11)占到80体积％以上的金属间化合物的粒体，微晶尺寸为70nm以下。
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公开(公告)号：CN112752824A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201980063190.2
申请日：2019-09-26
Abstract: 本发明提供在极低温区域中比热大且磁化小、而且制造性良好的蓄冷材料及其制造方法。并且提供填充该蓄冷材料、效率高且冷却性能优异的冷冻机。进而提供能够降低来自蓄冷材料的磁噪声的影响的超导线圈内置装置。实施方式的蓄冷材料为包含ThCr2Si2型结构(11)占到80体积％以上的金属间化合物的粒体，微晶尺寸为70nm以下。
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公开(公告)号：CN103363715A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310037356.8
申请日：2013-01-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: F25B21/00
CPC classification number: F25B21/00 , F25B2321/002 , F25B2321/0022 , Y02B30/66
Abstract: 本发明涉及磁性制冷设备和磁性制冷系统，在磁性制冷设备中，具有磁致热效应的磁体和具有蓄热效果的固体的蓄热构件（3，3A，3B）交替地排列，它们之间带有间隙（4）。磁场施加单元（6A，6B）开始和停止向磁体施加磁场。接触机构使磁体中的每一个都与跟每一磁体（2）相邻的固体的蓄热构件（3，3A，3B）中的一个接触。可另选地，接触机构使固体的蓄热构件（3，3A，3B）中的每一个与跟每一固体的蓄热构件（3，3A，3B）相邻的磁体中的一个接触。
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公开(公告)号：CN112752824B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN201980063190.2
申请日：2019-09-26
Abstract: 本发明提供在极低温区域中比热大且磁化小、而且制造性良好的蓄冷材料及其制造方法。并且提供填充该蓄冷材料、效率高且冷却性能优异的冷冻机。进而提供能够降低来自蓄冷材料的磁噪声的影响的超导线圈内置装置。实施方式的蓄冷材料为包含ThCr2Si2型结构(11)占到80体积％以上的金属间化合物的粒体，微晶尺寸为70nm以下。
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公开(公告)号：CN103363715B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310037356.8
申请日：2013-01-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: F25B21/00
CPC classification number: F25B21/00 , F25B2321/002 , F25B2321/0022 , Y02B30/66
Abstract: 本发明涉及磁性制冷设备和磁性制冷系统，在磁性制冷设备中，具有磁致热效应的磁体和具有蓄热效果的固体的蓄热构件（3，3A，3B）交替地排列，它们之间带有间隙（4）。磁场施加单元（6A，6B）开始和停止向磁体施加磁场。接触机构使磁体中的每一个都与跟每一磁体（2）相邻的固体的蓄热构件（3，3A，3B）中的一个接触。可另选地，接触机构使固体的蓄热构件（3，3A，3B）中的每一个与跟每一固体的蓄热构件（3，3A，3B）相邻的磁体中的一个接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104136867A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201380011610.5
申请日：2013-03-29
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明实施方式的磁冷冻用复合材料(130)具备具有磁热效应的磁热效应材料(120)和分散于所述磁热效应材料中的热传导促进材料(160)。所述热传导促进材料是从碳纳米管以及碳纳米纤维组成的组中选择的至少一种。
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公开(公告)号：CN103808061A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310562470.2
申请日：2013-11-13
Applicant: 株式会社东芝
IPC: F25B21/00
CPC classification number: F25B21/00 , F25B2321/002 , Y02B30/66
Abstract: 根据一个实施例，磁制冷装置包括：磁性本体；磁场施加单元；储热介质；和传热单元。磁性本体间隔排列。磁场施加单元分别对磁性本体施加磁场和去除磁场。介质布置成面对磁性本体中的至少一个。介质在施加磁场和去除磁场所导致的磁性本体的温度变化的范围内没有居里点。传热单元选择性地使介质与磁性本体热接触或使介质与磁性本体热隔离，并且传热单元与施加磁场和去除磁场同步地将热从磁性本体传给介质或将热从介质传给磁性本体。
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公开(公告)号：CN101063033A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710091558.5
申请日：2007-03-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: F25B21/00 , B22F1/02 , B22F1/025 , B22F2999/00 , F25B2321/002 , H01F1/012 , Y02B30/66 , B22F1/0088 , C23C18/16 , C23C16/00
Abstract: 一种磁制冷材料，包括具有磁热效应的磁性材料颗粒以及在所述磁性材料颗粒的表面上形成的抗氧化膜。
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公开(公告)号：CN1167310A
公开(公告)日：1997-12-10
申请号：CN97110841.2
申请日：1997-04-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3268 , H01L43/08
Abstract: 一种磁阻效应器件，具备具有金属缓冲层上形成的第1磁性层、上述第1磁性层上形成的非磁性中间层、以及在上述非磁性中间层上形成的第2磁性层构成的旋转阀膜，在上述金属缓冲层与第1磁性层之间的界面上设有平均厚度在2nm以下的原子扩散势垒层。或者第1磁性层改为由磁性基底层和强磁性体层的叠层膜构成，在上述磁性基底层和强磁性体层之间的界面上设有平均厚度在2nm以下的原子扩散势垒层。
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公开(公告)号：CN101946118A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200980105382.1
申请日：2009-02-13
Applicant: 东芝照明技术株式会社 , 株式会社东芝
IPC: F21S8/04 , F21Y101/02
CPC classification number: F21K9/135 , F21K9/00 , F21K9/20 , F21K9/232 , F21S8/02 , F21V23/005 , F21V23/06 , F21V29/70 , F21V29/76 , F21V29/89 , F21Y2105/10 , F21Y2115/10 , H05K1/181
Abstract: 本发明的一个目的是提供具有优良发光效率和优良光分布特性的发光模块，并且还提供使用该发光模块的照明装置。本发明是发光模块1，包括：衬底2，该衬底2包括前表面侧2a和后表面侧2b，前表面侧2a构成为组件安装面而后表面侧2b构成为平坦形状的散热面；多个发光元件3，这多个发光元件3以在衬底的组件安装面的中央部分凸出的方式排列，并且至少在上表面方向和沿组件安装面的方向上发射光；照明电路组件4，该照明电路组件4通过排列在衬底2上的布线图案电连接至发光元件3，并且在衬底2的组件安装面上排列成比发光元件3更靠近衬底2的周边侧；以及用于与电源连接的连接器5，该连接器5在衬底2的组件安装面上排列成比发光元件3更靠近衬底2的周边侧，并且与照明电路组件4电连接。
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