摄像装置
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109671730B

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN201811132204.5

    申请日:2018-09-27

    Abstract: 目的是提供一种对于入射光的灵敏度更高的摄像装置。一种摄像装置,具备:半导体基板,具有第1面;微透镜,位于上述半导体基板的上述第1面的上方;以及至少一个光电变换部,位于上述半导体基板的上述第1面与上述微透镜之间,分别具有第1电极、比上述第1电极更靠近上述微透镜的第2电极、和位于上述第1电极与上述第2电极之间并将光变换为电荷的光电变换层;上述微透镜的焦点位于比上述至少一个光电变换部中的距上述半导体基板的上述第1面最近的第1光电变换部的上述光电变换层的最下面更靠下方。

    摄像装置
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114270807B

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202080059281.1

    申请日:2020-07-30

    Abstract: 摄像装置(20)具备将多个像素单元以矩阵状配置而成的固体摄像元件、以及对从各像素单元输出的检测信号进行处理的信号处理部(25)。在此,信号处理部(25)具备:偏差计算部(203),计算从各像素单元输出的检测信号在像素单元间的偏差;以及校正运算部(205),基于由偏差计算部(203)计算的偏差,对从各像素单元输出的检测信号进行校正。

    摄像装置
    13.
    发明公开
    摄像装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN115803886A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202180047482.4

    申请日:2021-07-05

    Abstract: 摄像装置具备第1电极、第2电极、光电转换层和电荷积蓄区域。光电转换层位于第1电极与第2电极之间。电荷积蓄区域与第1电极电连接。平面图中的电荷积蓄区域的面积为0.04μm2以下。

    摄像装置
    14.
    发明公开
    摄像装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN113169278A

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN202080006672.7

    申请日:2020-02-20

    Abstract: 有关本发明的一技术方案的摄像装置具备:光电变换部,包括第1电极、第2电极、将入射光变换为信号电荷的光电变换层及阻挡层;以及电荷积蓄区域,与第2电极连接,用于积蓄信号电荷。对于极性与信号电荷相反的电荷从上述第2电极向光电变换层的移动的、阻挡层的能量势垒是1.8eV以上;对于上述电荷从光电变换层向第2电极的移动的、阻挡层的能量势垒是1.6eV以下。

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