-
公开(公告)号：CN113169131B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201980078665.5
申请日：2019-12-16
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L23/02 , H01L27/146 , H04N25/00
Abstract: 本发明的一技术方案的拍摄装置，具备：半导体基板，包括配置多个像素的像素区域和将像素区域包围的周边区域；树脂层，具备具有第1曲面的第1侧面以及与第1侧面相比距像素区域远的第2侧面，并且位于周边区域上；封固层，位于树脂层之上；以及第1遮光层，位于树脂层与封固层之间，在平面视图中将第1曲面的至少一部分覆盖。
-
公开(公告)号：CN109671730A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811132204.5
申请日：2018-09-27
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14645 , H01L27/14665 , H01L51/44 , H01L27/14605
Abstract: 目的是提供一种对于入射光的灵敏度更高的摄像装置。一种摄像装置，具备：半导体基板，具有第1面；微透镜，位于上述半导体基板的上述第1面的上方；以及至少一个光电变换部，位于上述半导体基板的上述第1面与上述微透镜之间，分别具有第1电极、比上述第1电极更靠近上述微透镜的第2电极、和位于上述第1电极与上述第2电极之间并将光变换为电荷的光电变换层；上述微透镜的焦点位于比上述至少一个光电变换部中的距上述半导体基板的上述第1面最近的第1光电变换部的上述光电变换层的最下面更靠下方。
-
公开(公告)号：CN110098218A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201811611505.6
申请日：2018-12-27
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/30
Abstract: 一种摄像装置，减少膜剥离等不良情况的发生。具备：半导体基板，具有排列有多个像素的像素区域和与像素区域相邻的周边区域；绝缘层，覆盖半导体基板的像素区域及周边区域；第一电极，在像素区域中位于绝缘层上；光电转换层，覆盖第一电极；第二电极，覆盖光电转换层；第一层，覆盖第二电极且在像素区域及周边区域中位于绝缘层上或第二电极上，周边区域中的第一层的厚度大于像素区域中的第一层的厚度，周边区域中的第一层的上表面位于比像素区域中的第一层的上表面靠上方的位置。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110098218B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN201811611505.6
申请日：2018-12-27
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H10K39/32
Abstract: 一种摄像装置，减少膜剥离等不良情况的发生。具备：半导体基板，具有排列有多个像素的像素区域和与像素区域相邻的周边区域；绝缘层，覆盖半导体基板的像素区域及周边区域；第一电极，在像素区域中位于绝缘层上；光电转换层，覆盖第一电极；第二电极，覆盖光电转换层；第一层，覆盖第二电极且在像素区域及周边区域中位于绝缘层上或第二电极上，周边区域中的第一层的厚度大于像素区域中的第一层的厚度，周边区域中的第一层的上表面位于比像素区域中的第一层的上表面靠上方的位置。
-
公开(公告)号：CN113169131A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980078665.5
申请日：2019-12-16
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L23/02 , H01L27/146 , H04N5/335
Abstract: 本发明的一技术方案的拍摄装置，具备：半导体基板，包括配置多个像素的像素区域和将像素区域包围的周边区域；树脂层，具备具有第1曲面的第1侧面以及与第1侧面相比距像素区域远的第2侧面，并且位于周边区域上；封固层，位于树脂层之上；以及第1遮光层，位于树脂层与封固层之间，在平面视图中将第1曲面的至少一部分覆盖。
-
公开(公告)号：CN109671730B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN201811132204.5
申请日：2018-09-27
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 目的是提供一种对于入射光的灵敏度更高的摄像装置。一种摄像装置，具备：半导体基板，具有第1面；微透镜，位于上述半导体基板的上述第1面的上方；以及至少一个光电变换部，位于上述半导体基板的上述第1面与上述微透镜之间，分别具有第1电极、比上述第1电极更靠近上述微透镜的第2电极、和位于上述第1电极与上述第2电极之间并将光变换为电荷的光电变换层；上述微透镜的焦点位于比上述至少一个光电变换部中的距上述半导体基板的上述第1面最近的第1光电变换部的上述光电变换层的最下面更靠下方。
-
公开(公告)号：CN117859206A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202280056493.3
申请日：2022-08-17
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/70
Abstract: 摄像装置具备：半导体基板；有效像素区域，包括有效像素；非有效像素区域，位于有效像素区域的周边，不包括有效像素；光电转换部，被配置在半导体基板的上方，包括位于有效像素区域的第1部分以及位于非有效像素区域的第2部分；遮光膜，位于光电转换部的第2部分的上方，包含钛或者钽；以及功能膜，位于遮光膜上，与遮光膜相接。功能膜的膜厚比遮光膜的膜厚小。
-
公开(公告)号：CN116195267A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202180061810.6
申请日：2021-09-09
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H04N25/57
Abstract: 摄像装置具备：对置电极；光电转换层，将光转换为信号电荷；多个像素电极，各自收集信号电荷，所述多个像素电极具有多个组，该多个组的各个组包括高灵敏度像素所包括的第1像素电极、以及低灵敏度像素所包括的第2像素电极；以及辅助电极，在平面图中位于多个组的各个组中的第1像素电极与第2像素电极之间，被共通地包括在高灵敏度像素和低灵敏度像素中。在多个组的各个组中，第1像素电极与辅助电极之间的距离不同于第2像素电极与辅助电极之间的距离。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.023 seconds)
