半导体装置
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109005669A

    公开(公告)日:2018-12-14

    申请号:CN201780020105.5

    申请日:2017-01-23

    CPC classification number: H01L25/07 H01L25/18 H01L2224/40 H02M7/48

    Abstract: 存在绝缘的可靠性变低这样的技术问题。从导体层(334)的中心(P)至绝缘构件(333)的边缘部为止的长度(L2)形成得比从导体层(334)的中心(P)至基座构件(307)的突出部(307a)的边缘部为止的长度(L1)长。换言之,突出部(307a)的边缘部的基座端面(308)位于比绝缘构件(333)的边缘部的绝缘构件端面(336)更靠内部侧的位置。进一步地,绝缘构件(333)的绝缘构件端面(336)与导体层的导体层端面(344)在相同位置处形成端面。这样一来,突出部(307a)的边缘部的基座端面(308)位于比绝缘构件(333)的边缘部的绝缘构件端面(336)更靠内部侧的位置,从而能够确保绝缘距离。

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