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公开(公告)号：CN103531673A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310268247.7
申请日：2013-06-28
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/683
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336
Abstract: 一种LED的制造方法，根据本发明的实施方式的LED的制造方法包括：背面研磨LED晶圆的基板，该LED晶圆包括发光元件和该基板；以及在背面研磨之前或者在背面研磨中研磨该基板之后，将保护片贴附到该LED晶圆。
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公开(公告)号：CN103165478A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210543925.1
申请日：2012-12-14
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/56
CPC classification number: H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3107 , H01L24/96 , H01L2224/04105 , H01L2224/73267 , H01L2924/12042 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供半导体芯片的污染少且生产效率高的半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置的制造方法，其特征在于，其是具备半导体芯片的半导体装置的制造方法，该制造方法具备以下工序：工序A，准备半导体芯片；工序B，准备具有热固化型树脂层的树脂片；工序C，在热固化型树脂层上配置多个半导体芯片；和工序D，在多个半导体芯片上配置保护膜，并通过隔着配置的保护膜而施加的压力，将多个半导体芯片埋入热固化型树脂层；其中，保护膜对水的接触角为90°以下。
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公开(公告)号：CN101906236A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010198300.7
申请日：2010-06-04
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C08G59/245 , C08G59/5073 , C08G59/621 , C08G59/686 , C08L63/00 , C08L71/00 , H01L23/293 , H01L23/295 , H01L2924/0002 , C08L2666/22 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体封装用环氧树脂组合物以及使用所述组合物的半导体装置，所述组合物包括如下成分(A)至(E)：(A)双官能环氧树脂，(B)固化剂，(C)以式(1)表示的咪唑化合物，其中R1和R2各自独立地表示烷基或羟烷基，且其中R1和R2中的至少一个表示羟烷基，R3表示烷基或芳基，(D)具有550至800的数均分子量的直链饱和羧酸，和(E)无机填料。
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公开(公告)号：CN103779370A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310498801.0
申请日：2013-10-22
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L27/146 , C09J7/02
Abstract: 本发明涉及图像传感器的制造方法以及在该方法中使用的层叠型耐热性保护带，所述制造方法可以实现优异的生产效率。本发明的制造方法包括：[工序A]，在玻璃板的一个面上贴附具备第1基材层和在其一个面上层叠的第1粘合剂层的耐热性保护带，使得该第1粘合剂层位于该玻璃板侧；[工序B]，将该玻璃板切割成规定的尺寸，得到贴附有该耐热性保护带的玻璃盖片；以及[工序C]，在收纳有固态摄像元件的封装体的光接收面上设置该玻璃盖片，使得贴附有该耐热性保护带的一侧的面成为外侧。
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公开(公告)号：CN101906236B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201010198300.7
申请日：2010-06-04
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C08G59/245 , C08G59/5073 , C08G59/621 , C08G59/686 , C08L63/00 , C08L71/00 , H01L23/293 , H01L23/295 , H01L2924/0002 , C08L2666/22 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体封装用环氧树脂组合物以及使用所述组合物的半导体装置，所述组合物包括如下成分(A)至(E)：(A)双官能环氧树脂，(B)固化剂，(C)以式(1)表示的咪唑化合物，其中R1和R2各自独立地表示烷基或羟烷基，且其中R1和R2中的至少一个表示羟烷基，R3表示烷基或芳基，(D)具有550至800的数均分子量的直链饱和羧酸，和(E)无机填料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103531674A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310268817.2
申请日：2013-06-28
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/683 , B24B37/10
CPC classification number: H01L33/005 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/83191 , H01L2224/94 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2224/27
Abstract: 一种LED的制造方法，根据本发明的实施方式的LED的制造方法包括背面研磨LED晶圆的基板，该LED晶圆包括发光元件和基板，其中背面研磨包括：经由双面压敏粘合片将LED晶圆固定到工作台，然后研磨基板。
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公开(公告)号：CN1696169A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510078342.6
申请日：2005-05-13
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C08G59/00
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/16225 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种含有下列(A)组分、(B)组分、(C)组分、(D)组分的半导体密封用环氧树脂组合物：(A)环氧树脂；(B)酚醛树脂；(C)固化促进剂；(D)用含有丙烯基或甲基丙烯基的有机硅烷偶合剂进行过表面处理的球状无机填充剂。
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公开(公告)号：CN1654538A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200410100191.5
申请日：2004-12-03
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C08L61/06 , C08G59/621 , C08G59/688 , C08L61/04 , C08L63/00 , H01L23/293 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , C08L2666/22 , C08L2666/16 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种生产半导体封装用环氧树脂组合物的方法，该组合物不会引起空隙产生等并且可靠性优异。一种生产半导体封装用环氧树脂组合物的方法，其中环氧树脂组合物包含下列组分(A)至(C)：(A)环氧树脂，(B)酚树脂，和(C)固化促进剂，该方法包括预先在1.333至66.65kPa的减压下和在100至230℃的加热条件下混合包含组分(A)至(C)的组分中除组分(A)外的全部或部分组分，和然后使组分(A)和剩余组分与得到的混合物混合。
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公开(公告)号：CN1499618A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN200310114281.5
申请日：2003-11-12
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L23/295 , C08G59/621 , C08K3/04 , C08K3/36 , C08K9/02 , H01L2224/13 , H01L2224/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明涉及一种半导体包封用环氧树脂组合物，该组合物能够使半导体装置具有高度可靠性，即使减小其中的互连电极距离和导线距离中的节距也不会引起短路，本发明还涉及使用这种组合物的半导体装置。半导体包封用环氧树脂组合物含有以下组分(A)－(C)∶(A)环氧树脂，(B)酚醛树脂和(C)在用环氧树脂组合物包封半导体的步骤中能够防止半导体短路的无机填料。
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公开(公告)号：CN115719727A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202210963971.0
申请日：2022-08-11
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法、工件一体化装置、薄膜层叠体和半导体装置，在将半导体元件安装于基板来制造半导体装置时能在避免基板损伤的同时防止基板产生翘曲并能提高半导体装置的制造效率。具有安装于工件的半导体元件(7)被密封材料(9)密封的构造的半导体装置(11)的制造方法具备：工件载置过程，在该过程中，将工件载置于在承载件(1)上层叠用于保持工件的保持薄膜而成的薄膜层叠体的保持薄膜侧；元件安装过程，在该过程中，在被载置于薄膜层叠体的工件上安装半导体元件；密封过程，在该过程中，利用密封材料将安装于工件的半导体元件密封；以及脱离过程，在该过程中，使工件和被密封材料密封的半导体元件脱离薄膜层叠体。
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