-
公开(公告)号：CN215496783U
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202121062528.3
申请日：2021-05-18
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及一种集成热电转换器。一种集成热电转换器，包括：第一柱结构，第一柱结构包括多孔硅、多晶硅锗或多晶硅中的一项，并且被掺杂有第一导电类型；第二柱结构，第二柱结构包括多孔硅、多晶硅锗或多晶硅中一项，并且被掺杂有第二导电类型；以及第一导电互连结构，与第一柱结构的第一端以及第二柱结构的第一端电接触。利用本公开的实施例的集成热电转换器有利地易于工业化，提供了mA量级的功率电平，半导体面积消耗低，以低温差或高温差工作。
-
公开(公告)号：CN219009916U
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202221603668.1
申请日：2022-06-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及半导体器件。一种半导体器件，包括：单片半导体本体，半导体本体包括：第一主面；第二主面，与第一主面相对；衬底，包括导电类型；第一导电区，从第一主面延伸到衬底中，第一导电区具有导电类型；掩埋腔，在第一导电区中；隔膜，在掩埋腔和半导体本体的第一主表面之间延伸，隔膜具有面向掩埋腔的掩埋面；隔膜绝缘层，在隔膜的掩埋面上延伸；以及绝缘材料的横向绝缘区，其在第一主表面和隔膜绝缘层之间、在掩埋腔上方沿封闭线延伸到半导体本体中，横向绝缘区横向界定隔膜并且与隔膜绝缘层接触。利用本公开的实施例的半导体器件是可靠的，可以以高产率生产并且具有降低的成本。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN218491481U
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202222274913.5
申请日：2022-08-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体器件。半导体器件包括：第一微机电系统器件；第二微机电系统器件；衬底；第一电极，第一电极被耦合到在衬底上延伸的第一微机电系统器件；第一电极上的第一层；在第一层上的、对蚀刻化学溶液不可渗透的保护层；在保护层上的、多孔材料的膜层，膜层对蚀刻化学溶液可渗透；被膜层重叠的腔；第一结构层，第一结构层密封膜层的孔并且与膜层形成第一微机电系统器件的悬置结构，悬置结构是通过腔电容性耦合到第一电极的第二电极；以及第二结构层在第一结构层上，并且第二结构层包括：第二微机电系统器件的可移动结构；以及第一微机电系统器件的第一电极和第二电极的偏置结构。由此，提供了改进的半导体器件。
-
公开(公告)号：CN220570918U
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202321289397.1
申请日：2023-05-25
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及微机电系统热电发电机、以及加热装置。MEMS热电发电机，包括：热电单元，包括在热电单元的腔体上部分地延伸的一个或多个热电元件；热塑性层，热塑性层在热电单元上延伸并且具有沿着第一轴线彼此相对的顶表面和底表面，底表面面向热电单元并且热塑性层被配置为通过激光直接结构化LDS技术来处理；散热器，散热器被配置为与热电单元交换热量，热电单元沿着第一轴线插置在散热器与热塑性层之间；以及热通孔，热通孔从顶表面延伸穿过热塑性层至底表面，使得热通孔沿第一轴线重叠在腔体上，其中热电单元可通过热通孔与热源交换热量。利用本公开的实施例的热点发电机结构更简单并且更机械稳定。
-
公开(公告)号：CN218545957U
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202222277065.3
申请日：2022-08-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及一种微机电器件。该微机电器件包括：基板；在基板上的第一保护层，不渗透蚀刻化学溶液；在第一保护层上的能够通过蚀刻化学溶液被去除的材料的牺牲层；在牺牲层上的不渗透蚀刻化学溶液的第二保护层；可渗透蚀刻化学溶液的多孔材料的第一膜层；在第一膜层与第一保护层之间的腔体；以及在第一膜层上的第二膜层，被配置为密封第一膜层的孔隙。
-
公开(公告)号：CN216946212U
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202122952681.X
申请日：2021-11-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体国际有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及半导体器件。一种半导体器件，其特征在于，包括：基底；换能微结构，在所述基底中；盖，耦合到所述基底，并且所述盖具有面向所述基底的第一面以及外部第二面；通道，穿过所述盖从所述第二面延伸到所述第一面，并且所述通道与所述换能微结构流体连通，所述通道包括内部侧壁；多孔多晶硅的保护膜，所述保护膜跨过所述通道并且在所述通道的所述内部侧壁上。利用本公开的实施例有利地增加了设计以及制造半导体换能器的灵活性。
-
公开(公告)号：CN205416751U
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201520865018.8
申请日：2015-11-02
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B41J2/1433 , B41J2/14129 , B41J2/1603 , B41J2/162 , B41J2/1623 , B41J2/1626 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1632 , B41J2/1642 , B41J2/1643
Abstract: 在此公开的实施例涉及一种微流体器件，该微流体器件包括：喷嘴板，包括电介质层、衬底层和喷嘴；腔室本体，所述腔室本体包括半导体衬底、在所述半导体衬底之上的电介质层、以及在所述电介质层之上的半导体层；腔室，至少部分地形成在所述半导体层中并且由所述喷嘴板所覆盖，所述腔室与所述喷嘴流体连通；流体入口，包括穿过所述腔室本体并且与所述腔室流体连通的孔口。
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.023 seconds)
