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公开(公告)号：CN112701025A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011589113.1
申请日：2017-12-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/248 , H01J37/32
Abstract: 本文提供了使用整形脉冲偏压产生任意形状的离子能量分布函数的系统和方法。在一实施例中，一种方法包括以下步骤：向工艺腔室的电极施加正跳变电压以中和晶片表面；向电极施加负跳变电压以设定晶片电压；和调制晶片电压的幅度以产生预定数量的脉冲以确定离子能量分布函数。在另一实施例中，一种方法包括以下步骤：向工艺腔室的电极施加正跳变电压以中和晶片表面；向电极施加负跳变电压以设定晶片电压；和向电极施加对晶片上的离子电流过度补偿的斜坡电压或向电极施加对晶片上的离子电流补偿不足的斜坡电压。
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公开(公告)号：CN107154335B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201710124363.X
申请日：2017-03-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文所述实施方式一般涉及适合在半导体处理腔室中使用的处理套件，与常规处理套件相比，所述处理套件用单个边缘环减小边缘效应并加宽处理窗口。所述处理套件一般包括设置为邻近于并且围绕在等离子体腔室中的半导体基板周边的边缘环。所述基板和所述边缘环之间的间隙的尺寸小于约1000μm，并且所述基板和所述边缘环之间的高度差小于约(+/‑)300μm。所述环的电阻率小于约50Ohm‑cm。
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公开(公告)号：CN108028163A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680051912.9
申请日：2016-08-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： R·丁德萨
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供装置的实施例，所述装置具有改良的线圈天线组件，所述改良的线圈天线组件有远程等离子体源与电子束生成系统，可在处理腔室提供增强的等离子体。一个实施例中，一种等离子体处理腔室包括：腔室主体、盖、衬底支撑件、双电感耦合源、以及远程等离子体源，所述盖围住所述腔室主体的内部空间，所述衬底支撑件配置在所述内部空间中，所述双电感耦合源包括通过所述盖耦接所述腔室主体的线圈天线组件，而所述远程等离子体源通过所述盖耦接所述腔室主体。
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公开(公告)号：CN112701025B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202011589113.1
申请日：2017-12-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/248 , H01J37/32
Abstract: 本文提供了使用整形脉冲偏压产生任意形状的离子能量分布函数的系统和方法。在一实施例中，一种方法包括以下步骤：向工艺腔室的电极施加正跳变电压以中和晶片表面；向电极施加负跳变电压以设定晶片电压；和调制晶片电压的幅度以产生预定数量的脉冲以确定离子能量分布函数。在另一实施例中，一种方法包括以下步骤：向工艺腔室的电极施加正跳变电压以中和晶片表面；向电极施加负跳变电压以设定晶片电压；和向电极施加对晶片上的离子电流过度补偿的斜坡电压或向电极施加对晶片上的离子电流补偿不足的斜坡电压。
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公开(公告)号：CN117425945A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202280040096.7
申请日：2022-05-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本文提供的实施例大体包括等离子体处理系统，其被配置为通过操纵原位等离子体的一个或多个特性来优先清洁基板支撑组件的所需表面及相关方法。在一个实施例中，等离子体处理方法包括在由腔室盖及基板支撑组件界定的处理区域中生成等离子体，将边缘环及基板支撑表面暴露于等离子体，并在边缘控制电极处建立脉冲电压(PV)波形。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109997214B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201780073879.4
申请日：2017-12-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213
Abstract: 本文提供了使用整形脉冲偏压产生任意形状的离子能量分布函数的系统和方法。在一实施例中，一种方法包括以下步骤：向工艺腔室的电极施加正跳变电压以中和晶片表面；向电极施加负跳变电压以设定晶片电压；和调制晶片电压的幅度以产生预定数量的脉冲以确定离子能量分布函数。在另一实施例中，一种方法包括以下步骤：向工艺腔室的电极施加正跳变电压以中和晶片表面；向电极施加负跳变电压以设定晶片电压；和向电极施加对晶片上的离子电流过度补偿的斜坡电压或向电极施加对晶片上的离子电流补偿不足的斜坡电压。
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公开(公告)号：CN110473762A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910392379.8
申请日：2019-05-10
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本发明涉及使用具有电流返回输出级的脉冲发生器来控制离子能量分布的方法。本公开内容的实施方式描述了一种电极偏置方案，其能够维持几乎恒定的鞘层电压，并因此在基板的表面处产生单能IEDF，因而能够精确控制IEDF的形状和在基板表面中形成的特征的轮廓。
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公开(公告)号：CN109417013A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780036469.2
申请日：2017-06-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 用于在等离子体处理期间控制基板处的电压波形的系统和方法包括将成形脉冲偏压波形施加到基板支撑件，所述基板支撑件包括静电吸盘、吸附极、基板支撑件表面和电极，电极与所述基板支撑件表面由介电材料层分离。所述系统和方法进一步包括捕捉代表定位于所述基板支撑件表面上的基板处的电压的电压，以及基于捕捉的信号迭代地调整所述成形脉冲偏压波形。在等离子体处理系统中，可以选择分离所述电极和所述基板支撑件表面的介电材料层的厚度和组成，使得所述电极和所述基板支撑表面之间的电容比所述基板支撑件表面和等离子体表面之间的电容大至少一个数量级。
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公开(公告)号：CN108623330A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810218192.1
申请日：2018-01-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: C04B41/87 , C04B41/89 , H01L21/683 , C23C16/455 , C23C16/40
CPC classification number: C23C16/45527 , C23C16/045 , C23C16/34 , C23C16/402 , C23C16/403 , C23C16/405 , C23C16/45525 , C23C16/45531 , C23C16/50 , H01J37/32477 , C04B41/87 , C04B41/009 , C04B41/5045 , C04B41/52 , C04B41/89 , C23C16/40 , H01L21/6833 , C04B41/5042 , C04B41/4531 , C04B41/0072 , C04B41/5031 , C04B38/00
Abstract: 公开了多孔主体的通过原子层沉积的抗等离子体涂层。本文描述了使用原子层沉积(ALD)工艺将抗等离子体涂层沉积到多孔腔室部件的表面上并沉积到所述多孔腔室部件内的孔隙壁上的制品、系统和方法。多孔腔室部件可以包括多孔主体，多孔主体包括多孔主体内的多个孔隙，多个孔隙各自包括孔隙壁。多孔主体对气体是可渗透的。抗等离子体涂层可以包含Y2O3-ZrO2固溶体并且可以具有约5nm至约3μm的厚度，并且可以保护孔隙壁不受侵蚀。具有抗等离子体涂层的多孔主体保持对气体是可渗透的。
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公开(公告)号：CN108376657A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201711214844.6
申请日：2017-11-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本文中描述的实施例大体涉及一种基板处理设备。在一个实施例中，本文中公开了一种用于基板处理腔室的工艺套件。工艺套件包括：环，环具有第一环部件和第二环部件；可调整调谐环；以及致动机构。第一环部件与第二环部件对接，使得第二环部件相对于第一环部件是可移动的，从而在这两者之间形成间隙。可调整调谐环定位在环下方并且接触第二环部件的底表面。可调整调谐环的顶表面接触第二环部件。致动机构与可调整调谐环的底表面对接。致动机构被配置为致动可调整调谐环，使得第一环部件与第二环部件之间的间隙变化。
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