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公开(公告)号：CN116601743A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202180084867.8
申请日：2021-11-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： M·S·K·穆蒂亚拉 , D·帕德希 , H·俞
IPC: H01L21/311
Abstract: 示例性沉积方法可包括经由半导体处理腔室的面板将前驱物引入半导体处理腔室的处理区域中。所述方法可包括使含氧前驱物从半导体处理腔室的基座下方流入处理区域。基座可支撑基板。基板可在基板的表面中限定沟槽。所述方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中形成前驱物的第一等离子体。所述方法可包括在沟槽内沉积第一氧化物膜。所述方法可包括在处理区域中形成第二等离子体。所述方法可包括在使含氧前驱物流动的同时蚀刻第一氧化物膜。所述方法可包括在处理区域中重新形成第一等离子体。所述方法也可包括在经蚀刻的氧化物膜上沉积第二氧化物膜。
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公开(公告)号：CN113316835A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201980089580.7
申请日：2019-12-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 提供了用于形成氮化硅硼层的方法。所述方法包括：将基板定位在工艺腔室内的工艺区域中的基座上；加热保持基板的基座；以及将第一工艺气体的第一气流和第二工艺气体的第二气流引入工艺区域。第一工艺气体的第一气流含有硅烷、氨、氦、氮、氩和氢。第二工艺气体的第二气流含有乙硼烷和氢。所述方法还包括：与到达工艺区域的第一工艺气体的第一气流和第二工艺气体的第二气流同时形成等离子体，并将基板暴露于第一工艺气体、第二工艺气体和等离子体，以在基板上沉积氮化硅硼层。
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公开(公告)号：CN113169022A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980077353.2
申请日：2019-11-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： V·V·瓦茨 , H·俞 , P·A·克劳斯 , S·G·卡马斯 , W·J·杜兰德 , L·C·卡鲁塔拉格 , A·B·玛里克 , 李昌陵 , D·帕德希 , M·J·萨利 , T·C·楚 , M·A·巴尔西努
IPC: H01J37/32 , C23C16/458
Abstract: 本文所公开的实施例包括形成高质量的氮化硅膜的方法。在实施例中，一种在基板上沉积膜的方法可包括：通过沉积工艺在第一处理空间中在基板的表面之上形成氮化硅膜；以及在第二处理空间中处理氮化硅膜，其中处理氮化硅膜包括：将膜暴露于由模块化的高频等离子体源引起的等离子体。在实施例中，等离子体的壳层电势小于100V，并且高频等离子体源的功率密度为约5W/cm2或更高、约10W/cm2或更高，或约20W/cm2或更高。
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公开(公告)号：CN112204706A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201980036655.5
申请日：2019-05-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/67 , C23C16/455 , H01J37/32 , H05H1/46 , H01L21/311
Abstract: 本公开的实施例涉及薄膜的原位沉积和处理以改善阶梯覆盖率的方法。一个实施例中，提供用于处理基板的方法。该方法包括：通过将基板暴露至第一前驱物与第二前驱物的气体混合物、同时等离子体存在于工艺腔室中，而在基板的多个图案化特征上形成介电层，其中该等离子体由第一脉冲RF功率形成；在工艺腔室中将介电层暴露于使用氮与氦的气体混合物的第一等离子体处理；以及通过将介电层暴露于由含氟前驱物与载气的气体混合物所形成的等离子体而执行等离子体蚀刻工艺，其中等离子体是在工艺腔室中由第二脉冲RF功率形成。
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