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公开(公告)号：CN114737169A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210426147.1
申请日：2018-02-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01J37/32
Abstract: 本文公开的实施例总的来说关于等离子体处理系统。等离子体处理系统包括处理腔室、腔室陈化系统和远程等离子体清洁系统。处理腔室具有界定处理区域和等离子体场的腔室主体。腔室陈化系统耦接到处理腔室。腔室陈化系统经配置而陈化处理区域和等离子体场。远程等离子体清洁系统与处理腔室连通。远程等离子体清洁系统经配置对处理区域和等离子体场进行清洁。
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公开(公告)号：CN110249406B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN201880009192.9
申请日：2018-02-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/44 , C23C16/505
Abstract: 本文公开的实施例总的来说关于等离子体处理系统。等离子体处理系统包括处理腔室、腔室陈化系统和远程等离子体清洁系统。处理腔室具有界定处理区域和等离子体场的腔室主体。腔室陈化系统耦接到处理腔室。腔室陈化系统经配置而陈化处理区域和等离子体场。远程等离子体清洁系统与处理腔室连通。远程等离子体清洁系统经配置对处理区域和等离子体场进行清洁。
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公开(公告)号：CN103348456A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201180066739.7
申请日：2011-12-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/316
CPC classification number: C23C16/308 , C23C16/045 , C23C16/452 , C23C16/56
Abstract: 描述形成氧化硅层的方法。这些方法包括同时地结合等离子体激发的（自由基）蒸汽与未激发的硅前驱物。可经由等离子体激发路线（例如，藉由将氨添加到蒸汽）和/或藉由选择含氮的未激发的硅前驱物来供应氮。这些方法导致含硅-氧-与-氮的层沉积在基板上。含硅-氧-与-氮的层的氧含量接着被增加，以形成可几乎不含有或不含有氮的氧化硅层。可藉由在含氧气氛的存在下将层予以退火而造成氧含量的增加，并且可藉由在惰性环境中将温度提升到甚至更高来进一步增加膜的密度。
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公开(公告)号：CN203820883U
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201320789059.4
申请日：2013-12-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/513
CPC classification number: C23C16/505 , C23C16/45565
Abstract: 本申请公开了用于沉积腔室的扩散器。本实用新型通常涉及气体分配板，所述气体分配板被设计以确保基板上的大体上均匀沉积。气体分配板可补偿基板角落区域以及基板边缘中的非均匀性。为了补偿非均匀性，气体通道口可被根据需要不同地定尺寸以使得允许更多的气体流过某些策略上放置的气体通道，以增加位于气体分配板之下的基板区域中的基板上的沉积。可改变孔口尺寸以形成产生大体上均匀沉积的孔口直径梯度或直径混合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN205710904U
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201520995613.3
申请日：2015-12-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44 , H01L21/67 , H01L21/205
Abstract: 在本文中，公开了一种用于处理腔室的组合基板下罩框。在一个实施例中，所述框架具有两个较短主体以及配置成与短框对接以形成矩形形状的两个较长主体，其中所述两个较长主体中的每个包括两个或更多个区段，并且至少一或多个区段具有形成升降杆孔至少一部分的缺口。
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公开(公告)号：CN205382207U
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201390000636.5
申请日：2013-07-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455
CPC classification number: F01D9/02 , C23C16/24 , C23C16/45563 , C23C16/5096
Abstract: 本实用新型提供气体扩散组件、低温多晶硅处理腔室系统及令处理气体流入处理腔室的组件。本实用新型包括：背板，具有入口用以提供一处理气体至处理腔室；扩散板，包含数个开口用以允许处理气体流入处理腔室；阻隔板，设置于背板及扩散板之间，包含数个开口；以及至少一气流引导元件(guide)，设置于阻隔板及背板之间，适于引导该处理气体侧向地(laterally)流动。多个额外的特征被揭露。
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公开(公告)号：CN202996788U
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201190000531.0
申请日：2011-06-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/316 , H01L21/205 , C23C16/448
CPC classification number: B01F5/0077 , B01F5/0688 , B01F15/065 , B01F2015/061 , C23C16/45512
Abstract: 本实用新型的实施例大体上提供一混合块件，该混合块件用于混合多种前驱物及/或清洁剂，该混合块件的优点是维持温度以及改善前驱物、清洁剂或前述二者的混合物的混合效应，而消除基板间的差异，因而提供改善的工艺均匀性。此外，本实用新型还提供了一种CVD系统。
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公开(公告)号：CN204039498U
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201420458984.3
申请日：2013-12-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/505 , C23C16/45565
Abstract: 本申请公开了扩散器。本实用新型通常涉及气体分配板，所述气体分配板被设计以确保基板上的大体上均匀沉积。气体分配板可补偿基板角落区域以及基板边缘中的非均匀性。为了补偿非均匀性，气体通道口可被根据需要不同地定尺寸以使得允许更多的气体流过某些策略上放置的气体通道，以增加位于气体分配板之下的基板区域中的基板上的沉积。可改变孔口尺寸以形成产生大体上均匀沉积的孔口直径梯度或直径混合。
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