公开(公告)号：CN112385013A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201980041177.7

申请日：2019-06-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 江施施 ,  E·文卡塔苏布磊曼聂 ,  P·曼纳 ,  A·玛里克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/764

Abstract: 描述了用于在半导体基板上形成可流动碳层的方法。如本文中所述地向含碳前驱物施加局部激发(例如PECVD中的等离子体)以在基板上形成可流动碳膜。也已发现了远程激发方法，该远程激发方法通过以下步骤来产生可流动碳膜：激发稳定前驱物以产生自由基前驱物，该自由基前驱物接着在基板处理区域中与未激发的含碳前驱物结合。可选的后沉积等离子体暴露也可以在沉积之后固化或凝固可流动膜。也描述了用于使用本文中所述的可流动膜来形成气隙的方法。

公开(公告)号：CN112262227A

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201980039203.2

申请日：2019-06-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： P·曼纳 ,  A·玛里克

IPC: C23C16/26 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  C23C16/56 ,  H01L21/308

Abstract: 本公开描述了用于在基板上沉积非晶碳层的方法。基板被暴露于具有式(I)的结构的碳前驱物。本公开还描述了蚀刻基板的方法，所述方法包括通过将基板暴露于具有式(I)的结构的碳前驱物来在基板上形成非晶碳硬掩模。

公开(公告)号：CN111602228A

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN201880086359.1

申请日：2018-12-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·斯里尼瓦桑 ,  A·玛里克 ,  N·布赖尔

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8238 ,  C07F7/10 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L21/324

Abstract: 公开了用于形成硅化物膜的方法。公开了在被进一步处理以形成硅化物膜的硅表面上选择性地沉积含金属膜的方法。本公开的具体的实施方式涉及在FinFET结构上形成硅化物膜而不在电介质上形成金属层。

公开(公告)号：CN114846578B

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202080090639.7

申请日：2020-12-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 戚波 ,  Z·沈 ,  A·玛里克

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/02 ,  C23C16/38

Abstract: 示例性方法可包括：将含硼前驱物输送到半导体处理腔室的处理区域。方法还可包括：由含硼前驱物在半导体处理腔室的处理区域内形成等离子体。方法可进一步包括：在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积含硼材料。含硼材料可包括大于50％的硼。在一些实施例中，含硼材料可基本上全部由硼组成。在一些实施例中，方法可进一步包括：将含锗前驱物、含氧前驱物、含硅前驱物、含磷前驱物、含碳前驱物和/或含氮前驱物中的至少一者输送到半导体处理腔室的处理区域。含硼材料可进一步包括锗、氧、硅、磷、碳和/或氮中的至少一者。

公开(公告)号：CN118854264A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410914691.X

申请日：2020-08-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·E·戈特海姆 ,  A·玛里克 ,  P·曼纳 ,  E·文卡塔苏布磊曼聂 ,  T·J·富兰克林 ,  E·海伍德 ,  S·C·加纳

IPC: C23C16/509 ,  C23C16/52 ,  C23C16/505 ,  C23C16/455

Abstract: 本文所述的实施例提供了磁性外壳系统及电磁外壳系统，以及用于控制在工艺腔室的工艺空间中产生的等离子体的性质，以影响膜的沉积性质的方法。在一个实施例中，所述方法包括使旋转磁性外壳绕工艺空间的中心轴旋转，以产生动态磁场。磁场会改变等离子体的形状、离子和自由基的集中度、以及离子和自由基的集中度的移动，以控制等离子体的密度轮廓。控制等离子体的密度轮廓，可以调整沉积或蚀刻的膜的均匀性和性质。

公开(公告)号：CN112996950B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201980072236.7

申请日：2019-11-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 江施施 ,  K·莱斯彻基什 ,  P·曼纳 ,  A·玛里克

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/24 ,  C23C16/26 ,  H01L21/02 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768

Abstract: 本文所述的实施例涉及可使用可操作以维持超大气压力(例如，大于大气压力的压力)的腔室来执行的无缝间隙填充与接缝愈合的方法。一个实施例包括将具有形成在基板的表面中的一个或多个特征的基板定位在处理腔室中并将基板的一个或多个特征在约1巴或更大的压力下暴露于至少一种前驱物。另一实施例包括将具有形成在基板的表面中的一个或多个特征的基板定位在处理腔室中。一个或多个特征中的每一者具有材料的接缝。材料的接缝在约1巴或更大的压力下暴露于至少一种前驱物。

公开(公告)号：CN112514051A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201980049850.1

申请日：2019-07-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 江施施 ,  P·曼纳 ,  B·齐 ,  A·玛里克 ,  程睿 ,  T·北岛 ,  H·S·怀特塞尔 ,  H·王

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3065 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11524

Abstract: 描述了蚀刻膜堆叠以形成具有均匀宽度的间隙的方法。通过硬掩模蚀刻膜堆叠。在间隙中沉积保形的衬垫。衬垫的底部被移除。相对于衬垫选择性地蚀刻膜堆叠。移除衬垫。方法可被重复到预定深度。