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公开(公告)号：CN104428441B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201380035434.9
申请日：2013-07-01
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文所述的本发明的实施方式一般涉及用于形成高品质缓冲层和III‑V族层的设备和方法，所述缓冲层和III‑V族层用来形成有用的半导体装置，如电源装置、发光二极管(light emitting diode；LED)、激光二极管(laser diode；LD)或其它有用装置。本发明的实施方式还可包括用于形成高品质缓冲层、III‑V族层和电极层的设备和方法，所述缓冲层、III‑V族层和电极层用来形成有用的半导体装置。在一些实施方式中，设备和方法包括使用一或多个群集工具，所述群集工具具有一或多个物理气相沉积(physical vapor deposition；PVD)腔室，所述腔室适于在多个基板的表面上同时沉积高品质氮化铝(AlN)缓冲层，所述缓冲层具有较高的结晶取向。
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公开(公告)号：CN116844999A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310624400.9
申请日：2018-07-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 毛示旻 , 黄西门 , 阿施·高尔 , 阿纳塔·苏比玛尼 , 菲利普·艾伦·克劳斯
IPC: H01L21/67
Abstract: 实施方式包括用于监测蚀刻速率或沉积速率或用于控制晶片制造工艺的操作的系统、设备和方法。在一个实施方式中，一种处理工具包括：处理腔室，具有围绕腔室容积的衬垫壁；和监测设备，具有经由衬垫壁中的孔暴露于腔室容积的传感器。所述传感器能够实时地测量在晶片制造工艺期间发生在腔室容积内的材料沉积速率和去除速率。可相对于衬垫壁中的孔移动监测设备以选择性地将传感器或空白区域经由孔暴露于腔室容积。因此，可通过传感器来监测正在腔室容积中执行的晶片制造工艺，并且可在原位腔室清洁工艺期间将传感器从腔室容积密封。
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公开(公告)号：CN115699246A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180039930.6
申请日：2021-05-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 凯尔文·陈 , 菲利普·艾伦·克劳斯 , 蔡泰正 , 哈恩·阮 , 阿纳塔·苏比玛尼
Abstract: 本文揭露的实施例包括一种用于腔室的排气管线的清洁模块。在一实施例中，移动清洁模块包括：腔室，其中所述腔室包括第一开口及第二开口。在一实施例中，清洁模块进一步包括盖，所述盖密封所述第一开口。在一实施例中，所述盖包括：介电板；介质谐振器，所述介质谐振器耦接至所述介电板；单极天线，所述单极天线安置于进入所述介质谐振器中的孔中；及导电层，所述导电层环绕所述介质谐振器。
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公开(公告)号：CN104246984B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201380021867.9
申请日：2013-03-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02104 , C23C14/541
Abstract: 在一个实施例中，设置一种用于沉积腔室的接装板。所述接装板包含：主体；安装板，所述安装板中心地定位于所述主体上；第一环形部，所述第一环形部从所述安装板的第一表面纵向地延伸且从所述安装板的外表面径向向内设置；第二环形部，所述第二环形部从所述安装板的相对的第二表面纵向地延伸且从所述安装板的所述外表面径向向内设置；及镜面加工表面，所述镜面加工表面设置于所述第二环形部的内部，所述镜面加工表面具有6Ra或更小的平均表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN104205295B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201380017145.6
申请日：2013-03-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/203 , H01L21/324
CPC classification number: C23C16/4585 , C23C14/50 , C23C14/541 , C23C14/564 , H01J37/3408 , H01J37/3441 , H01L21/67115 , H01L21/68735
Abstract: 披露了在单一腔室中用于基板的材料处理和热处理的设备和方法。在一个实施方式中，设置有边缘环。边缘环包括环形主体，环形主体具有内周边边缘、第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一凸起构件，第一凸起构件从第二表面实质上正交地延伸出；第二凸起构件，第二凸起构件从邻近于第一凸起构件的第二表面延伸出，并通过第一凹陷与第一凸起构件分离；和第三凸起构件，第三凸起构件从邻近于第二凸起构件的第二表面延伸出，并通过第二凹陷分离，第二凹陷包括倾斜表面，倾斜表面具有与第一表面的反射率值不同的反射率值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104428441A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201380035434.9
申请日：2013-07-01
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01L21/0254 , C23C14/0036 , C23C14/0641 , H01J37/3426 , H01J37/3467 , H01L21/02458 , H01L21/02631 , H01L21/3065 , H01L21/3228
Abstract: 本文所述的本发明的实施方式一般涉及用于形成高品质缓冲层和III-V族层的设备和方法，所述缓冲层和III-V族层用来形成有用的半导体装置，如电源装置、发光二极管(light emitting diode；LED)、激光二极管(laser diode；LD)或其它有用装置。本发明的实施方式还可包括用于形成高品质缓冲层、III-V族层和电极层的设备和方法，所述缓冲层、III-V族层和电极层用来形成有用的半导体装置。在一些实施方式中，设备和方法包括使用一或多个群集工具，所述群集工具具有一或多个物理气相沉积(physical vapor deposition；PVD)腔室，所述腔室适于在多个基板的表面上同时沉积高品质氮化铝(AlN)缓冲层，所述缓冲层具有较高的结晶取向。
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公开(公告)号：CN104246984A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380021867.9
申请日：2013-03-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02104 , C23C14/541
Abstract: 在一个实施例中，设置一种用于沉积腔室的接装板。所述接装板包含：主体；安装板，所述安装板中心地定位于所述主体上；第一环形部，所述第一环形部从所述安装板的第一表面纵向地延伸且从所述安装板的外表面径向向内设置；第二环形部，所述第二环形部从所述安装板的相对的第二表面纵向地延伸且从所述安装板的所述外表面径向向内设置；及镜面加工表面，所述镜面加工表面设置于所述第二环形部的内部，所述镜面加工表面具有6Ra或更小的平均表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN119384719A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202380047269.2
申请日：2023-06-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 本文所揭示的实施方式包括半导体处理工具。在一实施方式中，半导体处理工具包括：腔室；腔室内的卡盘，其中卡盘被配置来旋转；围绕卡盘的基座支架；以及耦接到卡盘的公用柱。在一实施方式中，公用柱包括使卡盘和公用柱的部分能够旋转的磁耦合器，以及旋转电馈通器。
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公开(公告)号：CN111164742A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201880053440.X
申请日：2018-07-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 毛示旻 , 黄西门 , 阿施·高尔 , 阿纳塔·苏比玛尼 , 菲利普·艾伦·克劳斯
IPC: H01L21/67
Abstract: 实施方式包括用于监测蚀刻速率或沉积速率或用于控制晶片制造工艺的操作的系统、设备和方法。在一个实施方式中，一种处理工具包括：处理腔室，具有围绕腔室容积的衬垫壁；和监测设备，具有经由衬垫壁中的孔暴露于腔室容积的传感器。所述传感器能够实时地测量在晶片制造工艺期间发生在腔室容积内的材料沉积速率和去除速率。可相对于衬垫壁中的孔移动监测设备以选择性地将传感器或空白区域经由孔暴露于腔室容积。因此，可通过传感器来监测正在腔室容积中执行的晶片制造工艺，并且可在原位腔室清洁工艺期间将传感器从腔室容积密封。
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公开(公告)号：CN109119518A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810749783.1
申请日：2013-04-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 朱鸣伟 , 汪荣军 , 纳格·B·帕蒂班德拉 , 唐先明 , 维韦卡·阿格拉沃尔 , 成雄·马修·蔡 , 穆罕默德·拉希德 , 迪内希·塞加尔 , 普拉布兰姆·加帕伊·拉贾 , 奥姆卡尔姆·纳兰姆苏 , 阿纳塔·苏比玛尼
Abstract: 描述利用物理气相沉积(PVD)形成的氮化铝缓冲层来制造氮化镓基发光装置。亦描述用于PVD AlN缓冲层的工艺条件。亦描述用于PVD氮化铝缓冲层的基板预处理。在一实例中，制造缓冲层于基板上的方法包含预处理基板表面。所述方法亦包含随后利用氮基气体或等离子体从安置在物理气相沉积(PVD)腔室内的含铝靶材反应溅射氮化铝(AlN)层至基板表面上。
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