公开(公告)号：CN103415910A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201280011132.3

申请日：2012-03-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 莫里斯·E·尤尔特 ,  阿纳塔·K·苏比玛尼 ,  乌梅什·M·科尔卡 ,  强德拉塞卡·巴拉苏布拉曼亚姆 ,  约瑟夫·M·拉内什

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C14/5806 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3435 ,  C23C14/541 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/481 ,  H01J37/3411 ,  H01J37/3488 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/76882

Abstract: 本发明公开用于处理基板的方法及设备。设备为双重功能处理腔室，所述双重功能处理腔室可在基板上执行材料处理与热处理两者。腔室具有环形辐射源，所述环形辐射源安置于腔室的处理位置与输送位置之间。升降销具有长度，所述长度足以在基板支撑件下降至辐射源平面下方时将基板保持在处理位置以提供基板的辐射加热。一种处理具有形成于基板的第一表面中的孔的所述基板的方法包括以下步骤：在孔中的第一表面上沉积材料，以及通过加热与第一表面相对的基板的第二表面来使材料再流。接着可沉积第二材料，从而部分或完全地填充孔。或者，可执行循环沉积/再流处理。

公开(公告)号：CN103415910B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201280011132.3

申请日：2012-03-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 莫里斯·E·尤尔特 ,  阿纳塔·K·苏比玛尼 ,  乌梅什·M·科尔卡 ,  强德拉塞卡·巴拉苏布拉曼亚姆 ,  约瑟夫·M·拉内什

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C14/5806 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3435 ,  C23C14/541 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/481 ,  H01J37/3411 ,  H01J37/3488 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/76882

Abstract: 本发明公开用于处理基板的方法及设备。设备为双重功能处理腔室，所述双重功能处理腔室可在基板上执行材料处理与热处理两者。腔室具有环形辐射源，所述环形辐射源安置于腔室的处理位置与输送位置之间。升降销具有长度，所述长度足以在基板支撑件下降至辐射源平面下方时将基板保持在处理位置以提供基板的辐射加热。一种处理具有形成于基板的第一表面中的孔的所述基板的方法包括以下步骤：在孔中的第一表面上沉积材料，以及通过加热与第一表面相对的基板的第二表面来使材料再流。接着可沉积第二材料，从而部分或完全地填充孔。或者，可执行循环沉积/再流处理。

公开(公告)号：CN102113091B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN200980130469.4

申请日：2009-08-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 汪荣军 ,  唐先民 ,  刘振东 ,  龚则敬 ,  莫里斯·E·尤尔特

IPC: H01L21/203

CPC classification number: C23C14/54 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/35 ,  C23C14/542 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/34 ,  H01J37/347 ,  H01L21/02266

Abstract: 在等离子增强物理汽相沉积反应器中，横越工件的沉积速率径向分布的均匀性，通过施加射频与直流功率到靶材且独立地调整所述射频与直流功率的功率水平来提升。进一步最佳化可通过下述方式来达到：调整磁铁在所述靶材上方的高度；调整所述磁铁在所述靶材上方的轨道运动的半径；以及提供所述靶材的呈角度的边缘表面。

公开(公告)号：CN104246984B

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201380021867.9

申请日：2013-03-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿希什·戈埃尔 ,  阿纳塔·苏比玛尼 ,  莫里斯·E·尤尔特

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02104 ,  C23C14/541

Abstract: 在一个实施例中，设置一种用于沉积腔室的接装板。所述接装板包含：主体；安装板，所述安装板中心地定位于所述主体上；第一环形部，所述第一环形部从所述安装板的第一表面纵向地延伸且从所述安装板的外表面径向向内设置；第二环形部，所述第二环形部从所述安装板的相对的第二表面纵向地延伸且从所述安装板的所述外表面径向向内设置；及镜面加工表面，所述镜面加工表面设置于所述第二环形部的内部，所述镜面加工表面具有6Ra或更小的平均表面粗糙度。

公开(公告)号：CN104246984A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380021867.9

申请日：2013-03-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿希什·戈埃尔 ,  阿纳塔·苏比玛尼 ,  莫里斯·E·尤尔特

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02104 ,  C23C14/541

Abstract: 在一个实施例中，设置一种用于沉积腔室的接装板。所述接装板包含：主体；安装板，所述安装板中心地定位于所述主体上；第一环形部，所述第一环形部从所述安装板的第一表面纵向地延伸且从所述安装板的外表面径向向内设置；第二环形部，所述第二环形部从所述安装板的相对的第二表面纵向地延伸且从所述安装板的所述外表面径向向内设置；及镜面加工表面，所述镜面加工表面设置于所述第二环形部的内部，所述镜面加工表面具有6Ra或更小的平均表面粗糙度。

公开(公告)号：CN102066603B

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN200980122945.8

申请日：2009-06-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 勇·曹 ,  莫里斯·E·尤尔特 ,  唐先民 ,  基思·A·米勒 ,  丹尼尔·C·柳伯恩 ,  乌梅什·M·科尔卡 ,  则-敬·龚 ,  阿纳塔·K·苏比玛尼

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/54

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/046 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3447

Abstract: 本发明的实施例一般涉及用于向在衬底上的高纵横比部件的底部和侧壁中均匀溅射沉积材料的装置和方法。在一个实施例中，溅射沉积系统包括准直仪，所述准直仪具有孔隙，所述孔隙具有从所述准直仪的中心区域到所述准直仪的周围区域减小的纵横比。在一个实施例中，所述准直仪经由托架构件联接到接地屏蔽，所述托架构件包括内螺纹紧固件和外螺纹紧固件的组合。在另一实施例中，所述准直仪整体连接到接地屏蔽。在一个实施例中，溅射沉积材料的方法包括在衬底支撑上在高值与低值之间脉冲偏压。