公开(公告)号：CN119816914A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202280099796.3

申请日：2022-12-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 郭岳 ,  K·拉马斯瓦米 ,  N·J·布莱特 ,  杨扬 ,  A·N·M·W·阿扎德

IPC: H01J37/32

Abstract: 实施例包含一种在等离子体处理腔室中处理基板的方法，包含：由RF发生器通过RF匹配器向电极组件传输RF信号，同时RF匹配器被设置为第一匹配点；以及由波形发生器将电压波形传输到电极组件，同时将RF信号传输到电极组件。所述方法包含：由RF匹配器接收来自RF发生器或波形发生器的同步信号；由RF匹配器的输出传感器在不同时间段内并且在不同延迟之后测量等离子体处理系统的不同组阻抗相关数据；由RF匹配器基于不同组阻抗相关数据来计算组合阻抗参数；以及基于组合阻抗参数来调整RF匹配器中的匹配参数，以实现第二匹配点。

公开(公告)号：CN117751421A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202280053632.7

申请日：2022-08-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·拉马斯瓦米 ,  杨扬 ,  郭岳

IPC: H01J37/32

Abstract: 本文所提供的实施例总体上包括用于产生波形以对处理腔室中的基板进行等离子体处理的装置、等离子体处理系统和方法。本公开内容的实施例包括用于产生伪阶梯波形的装置和方法，包括：在产生波形的第一阶段期间，将第一电压供应器耦合至输出节点；在产生所述波形的第二阶段期间，将第一电容器耦合在所述输出节点与电接地节点之间；以及在产生所述波形的第三阶段期间，将所述第一电容器和第二电容器耦合在所述输出节点与所述电接地节点之间的串联路径中。

公开(公告)号：CN117378031A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202280037883.6

申请日：2022-04-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨扬 ,  郭岳 ,  卡提克·雷马斯瓦米

IPC: H01J37/32

Abstract: 本文提供的实施方式通常包括用于在处理腔室中产生用于基板的等离子体处理的波形的设备、等离子体处理系统及方法。一个实施方式包括一种波形产生器，该波形产生器具有选择性地耦接至输出节点的电压源，其中该输出节点经配置以耦接至设置在处理腔室内的电极，并且其中该输出节点经选择性地耦接至接地节点。波形产生器还可包括射频(RF)信号产生器，以及耦接在RF信号产生器与输出节点之间的第一滤波器。

公开(公告)号：CN113227859B

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN201980083890.8

申请日：2019-12-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 卢多维克·戈代 ,  罗格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森 ,  卡提克·雷马斯瓦米 ,  杨扬 ,  曼尼瓦南·托塔德里 ,  陈建安

IPC: G02B6/13 ,  G02B6/122 ,  G02B6/12

Abstract: 本公开内容的方面涉及用于制造波导的装置。在一个实例中，利用成角度的离子源来朝向基板投射离子以形成包括成角度的光栅的波导。在另一个实例中，利用成角度的电子束源来朝向基板投射电子以形成包括成角度的光栅的波导。本公开内容的另外的方面提供了用于利用成角度的离子束源和成角度的电子束源来在波导上形成成角度的光栅的方法。

公开(公告)号：CN115868003A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202280005624.5

申请日：2022-05-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨扬 ,  郭岳 ,  K·拉马斯瓦米

IPC: H01J37/32

Abstract: 本文提供的实施例大体包括用于提升处理腔室中电极电压的设备、等离子体处理系统和方法。示例等离子体处理系统包括处理腔室、多个开关、设置在处理腔室中的电极、电压源和电容元件。电压源经由多个开关中的一个开关选择性地耦合到电极。电容元件经由多个开关中的一个开关选择性地耦合到电极。电容元件和电压源并联耦合到电极。多个开关被配置成在第一阶段期间将电容元件和电压源耦合到电极，在第二阶段期间将电容元件和电极耦合到接地节点，并且在第三阶段期间将电容元件耦合到电极。

公开(公告)号：CN120035879A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202380072629.4

申请日：2023-10-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 姚忠华 ,  符谦 ,  M·J·萨利 ,  杨扬 ,  J·W·安西斯 ,  D·克纳普 ,  R·萨提亚纳拉亚南

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/67

Abstract: 一种方法包括：在蚀刻腔室内提供基底结构，所述基底结构包括设置在基板上的目标层和设置在目标层上的蚀刻掩模；在蚀刻腔室内使用亚硫酰氯来干式蚀刻目标层以获得经处理的基底结构；以及之后形成多个特征。经处理的基底结构包括由蚀刻掩模限定的多个特征和多个开口。所述方法进一步包括从蚀刻腔室移除经处理的基底结构。在一些实施例中，目标层包括碳。在一些实施例中，在低于零度的温度下执行干式蚀刻。

公开(公告)号：CN118525349A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202280087755.2

申请日：2022-12-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·拉马斯瓦米 ,  K·阿赫卡索夫 ,  N·J·布莱特 ,  F·M·斯李维亚 ,  杨扬 ,  郭岳

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种半导体处理系统可包括被配置为在半导体晶片上执行配方的半导体处理腔室。所述系统可包括第一等离子体源，所述第一等离子体源向半导体处理腔室提供等离子体并且在配方的执行期间进行工作循环。所述系统也可包括第二等离子体源，所述第二等离子体源被配置为在第一等离子体源进行工作循环的同时维持半导体处理腔室中的等离子体。

公开(公告)号：CN118103945A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202280069747.5

申请日：2022-10-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 郭岳 ,  K·拉马斯瓦米 ,  杨扬

IPC: H01J37/32

Abstract: 本文提供了用于等离子体处理基板的方法和设备。所述方法包括以下步骤：从RF电源供应RF功率；在RF电源处测量在第一功率水平下的反射功率；将测量的反射功率与第一阈值比较；将比较的结果传输到控制器；基于在第一功率水平下测量的反射功率与第一阈值的比较，将至少一个可变电容器设置到第一位置；从RF电源供应第二功率水平的RF功率以用于等离子体处理基板；在RF电源处测量在第二功率水平下的反射功率；将在第二功率水平下测量的反射功率与第二阈值比较，第二阈值不同于第一阈值；传输比较的结果；在匹配网络处将至少一个可变电容器设置到第二位置。

公开(公告)号：CN117425946A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202280040626.8

申请日：2022-05-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 郭岳 ,  杨扬 ,  K·拉马斯瓦米

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/683

Abstract: 本文提供的实施例通常包括用于在处理腔室中对基板进行等离子体处理的装置(例如，等离子体处理系统)和方法。一些实施例针对射频(RF)产生系统。RF产生系统通常包括RF发生器和真空断路器，所述真空断路器被配置为基于与等离子体腔室的操作相关联的故障条件的检测来选择性地将RF发生器从等离子体腔室的偏压电极解耦。

公开(公告)号：CN116918027A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202280019045.6

申请日：2022-05-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 郭岳 ,  K·K·库坦奈尔 ,  J·于 ,  K·拉马斯瓦米 ,  杨扬

IPC: H01J37/32

Abstract: 本文提供用于处理基板的使用匹配网络的方法和装置。例如，一种被配置为与等离子体处理腔室一起使用的匹配网络，包括：本地控制器，所述本地控制器可连接至等离子体处理腔室的系统控制器；第一电动电容器，所述第一电动电容器连接至本地控制器；第二电动电容器，所述第二电动电容器连接至第一电动电容器；第一传感器和第二传感器，所述第一传感器在匹配网络的输入处，所述第二传感器在匹配网络的输出处，用于分别获得线内RF电压、电流、相位、谐波和阻抗数据；以及以太网控制自动化技术(EtherCAT)通信接口，所述EtherCAT通信接口将本地控制器连接至第一电动电容器、第二电动电容器、第一传感器以及第二传感器。