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公开(公告)号：CN106987815A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201610958470.8
申请日：2016-10-27
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/3447 , C23C14/046 , H01J37/34 , C23C14/3407 , C23C14/35 , C23C14/542
Abstract: 在本文描述的一些实施方式中，提供一种可偏压准直器。使所述准直器偏压的能力允许控制溅射物质所穿过的电场。在本公开内容的一些实施方式中，提供了一种具有高有效深宽比，同时维持沿所述准直器的六边形阵列的所述准直器周边的低深宽比的准直器。在一些实施方式中，提供了在六边形阵列中带有陡峭入口边缘的准直器。已经发现，在所述准直器中使用陡峭入口边缘减少了所述六边形阵列的单元的沉积突悬和沉积堵塞。这些各种特征使得膜均匀性得到改善并且延长了所述准直器和工艺配件的寿命。
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公开(公告)号：CN112805815B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN201980065400.1
申请日：2019-09-16
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乔斯林甘·罗摩林甘 , 克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚 , 张富宏 , 威廉·约翰森
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/683
Abstract: 此处提供用于处理基板的方法及装置。在一些实施方式中，用于控制处理腔室中气体流动的遮板包含：封闭壁体，该封闭壁体具有上端及下端，该封闭壁体在该下端处界定该遮板的第一开口且在该上端处界定该遮板的第二开口，其中该第二开口从该第一开口偏移；及顶部壁，该顶部壁设置于该封闭壁体的该上端的一部分顶上，位于该第一开口上方的一位置，以与该封闭壁体的该上端的其余部分一起界定该第二开口，其中该遮板经构造以经由该第一开口使来自该第二开口的气体流动转向。
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公开(公告)号：CN114930521A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202180008927.8
申请日：2021-09-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/285 , H01L21/67
Abstract: 本文提供了用于填充基板上的特征的方法及设备。在一些实施例中，一种填充基板上的特征的方法包括：在第一温度下经由化学气相沉积(CVD)工艺在第一处理腔室中在基板上及设置在基板中的特征内沉积第一金属材料；在第二温度及第一偏置功率下在第二处理腔室中在第一金属材料上沉积第二金属材料以形成第二金属材料的种晶层；在大于第一偏置功率的第二偏置功率下在第二处理腔室中蚀刻种晶层以在特征内形成包含第一金属材料及第二金属材料的互相混合层；以及将基板加热至高于第二温度的第三温度，从而导致第二金属材料的回流。
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公开(公告)号：CN112599401A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011362647.0
申请日：2017-03-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/34 , H01L21/02 , H01L21/203 , H01L21/285 , H01L21/683 , H01L21/768 , C23C14/35 , C23C14/54
Abstract: 公开用于在物理气相沉积工艺中控制离子分数的方法和设备。在一些实施方式中，用于处理具有给定直径的基板的处理腔室包括：内部容积和待溅射靶材，内部容积包括中心部分和周边部分；可旋转磁控管，处于靶材上方以在周边部分中形成环形等离子体；基板支撑件，设置在内部容积中以支撑具有给定直径的基板；第一组磁体，围绕主体设置以在周边部分中形成实质上竖直的磁场线；第二组磁体，围绕主体设置且处于基板支撑件上方以形成指向支撑表面的中心的磁场线；第一电源，用于电偏置靶材；和第二电源，用于电偏置基板支撑件。
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公开(公告)号：CN108780742A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780014454.6
申请日：2017-03-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/203 , H01L21/02 , H01L21/683
CPC classification number: C23C14/351 , C23C14/54 , H01J37/3405 , H01J37/3447 , H01J37/3455 , H01J37/3458 , H01L21/2855 , H01L21/76879
Abstract: 公开用于在物理气相沉积工艺中控制离子分数的方法和设备。在一些实施方式中，用于处理具有给定直径的基板的处理腔室包括：内部容积和待溅射靶材，内部容积包括中心部分和周边部分；可旋转磁控管，处于靶材上方以在周边部分中形成环形等离子体；基板支撑件，设置在内部容积中以支撑具有给定直径的基板；第一组磁体，围绕主体设置以在周边部分中形成实质上竖直的磁场线；第二组磁体，围绕主体设置且处于基板支撑件上方以形成指向支撑表面的中心的磁场线；第一电源，用于电偏置靶材；和第二电源，用于电偏置基板支撑件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119948610A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202380068451.6
申请日：2023-09-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 提供了用于使气体流至基板处理腔室中的基板处理的方法、系统及装置，所述基板处理腔室装载夹持至卡盘的基板，其中气体在基板上方的位置处被引入；以及在气体被引入的同时释放基板。
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公开(公告)号：CN118127470A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410177114.7
申请日：2016-10-27
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 在本文描述的一些实施方式中，提供一种可偏压准直器。使所述准直器偏压的能力允许控制溅射物质所穿过的电场。在本公开内容的一些实施方式中，提供了一种具有高有效深宽比，同时维持沿所述准直器的六边形阵列的所述准直器周边的低深宽比的准直器。在一些实施方式中，提供了在六边形阵列中带有陡峭入口边缘的准直器。已经发现，在所述准直器中使用陡峭入口边缘减少了所述六边形阵列的单元的沉积突悬和沉积堵塞。这些各种特征使得膜均匀性得到改善并且延长了所述准直器和工艺配件的寿命。
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公开(公告)号：CN117377788A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202280037474.6
申请日：2022-05-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 吉留刚一 , 苏哈斯·班加罗尔·乌梅什 , 苏希尔·阿伦·萨曼特 , 马丁·李·瑞克 , 雷蔚 , 基索尔·库马尔·卡拉提帕拉比尔 , 希里什语·A·佩特 , 张富宏 , 普拉沙斯·科斯努 , 安德鲁·腾科
IPC: C23C14/35
Abstract: 本案提供一种在PVD腔室中处理基板的方法。在一些实施方式中，一种在PVD腔室中处理基板的方法包括以下步骤：将来自该PVD腔室中所设置的一靶的材料溅射并溅射到基板上，其中从该靶溅射的该材料的至少部分通过一个或多个上部磁体、一个或多个第一磁体及一个或多个第二磁体所提供的磁场被引导到该基板，该一个或多个上部磁体绕支撑基座上方的该PVD腔室的处理空间设置，该支撑基座用于该PVD腔室中的该基板，该一个或多个第一磁体绕该支撑基座设置并在该基板的边缘区域处提供增加的磁场强度，该一个或多个第二磁体设置在该支撑基座下方，该一个或多个第二磁体增加该基板的中心区域处的磁场强度。
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公开(公告)号：CN116940706A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202280019563.8
申请日：2022-02-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 苏哈斯•班加罗尔•乌梅什 , 普雷塔姆·拉奥 , 希里什语•A•佩特 , 张富宏 , 基索尔•库马尔•卡拉提帕拉比尔 , 马丁·李·瑞克 , 仲兰兰
IPC: C23C14/34
Abstract: 在此提供处理多个基板的方法及设备。在一些实施方式中，在物理气相沉积(PVD)腔室中处理多个基板的方法包括：在设置于PVD腔室中的溅射靶材的寿命的至少一部分期间，在对应的一系列的基板上执行一系列的再流处理，其中在PVD腔室中的基板至靶材距离及在PVD腔室内的支撑件至靶材距离各自被控制成溅射靶材的寿命的函数。
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公开(公告)号：CN114981953A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202180008728.7
申请日：2021-06-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/285 , C23C14/58
Abstract: 一种填充基板上的结构的方法使用半动态回流工艺。该方法可包括：在第一温度下在该基板上沉积金属材料，将该基板加热至高于该第一温度的第二温度，其中该基板的加热引发在该基板上沉积的该金属材料的静态回流，停止该基板的加热，及在该基板上沉积额外金属材料，引发该基板上沉积的该额外金属材料的动态回流。在动态回流期间可施加RF偏压功率，以助于维持基板的温度。
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