-
公开(公告)号：CN110036136B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201780075172.7
申请日：2017-11-16
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文中提供了工艺配件及并入所述工艺配件的工艺腔室的实施方式。在一些实施方式中，一种工艺配件包括：配接器，具有配接器主体及在所述配接器主体的径向内侧的屏蔽部；传热通道，形成于所述配接器主体中；遮蔽环，耦接到所述配接器，使得所述配接器的所述屏蔽部延伸于所述遮蔽环的一部分之上；及陶瓷绝缘体，设置在所述遮蔽环与所述配接器之间以将所述遮蔽环与所述配接器电隔离。
-
公开(公告)号：CN106796864B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201580053146.5
申请日：2015-09-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 魏群奇 , 希兰库玛·萨万戴亚 , 阿南塔克里希纳·朱普迪 , 曹志涛 , 欧岳生
Abstract: 在此公开一种用于延长处理配件部件的处理寿命的方法和设备。在一些实施方式中，处理配件包括：第一环，所述第一环具有定义内径的内壁、定义外径的外壁、在内壁和外壁之间的上表面以及在内壁和外壁之间的相对的下表面，其中靠近内壁的上表面的第一部分是凹形的，且其中上表面的第二部分水平延伸远离第一部分；和第二环，所述第二环具有上表面和相对的下表面，其中下表面的第一部分经配置以安置在第一环的第二部分上，其中下表面的第二部分是凸形的，且延伸至，但不接触，第一环的上表面的凹形第一部分。
-
公开(公告)号：CN106133874B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201580015754.7
申请日：2015-03-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本文提供一种用以快速冷却基板的方法与装置。在一些实施方式中，冷却腔室包含：腔室本体，具有内部空间；基板支撑件，设置在空间中并具有基板支撑表面；板，相对基板支撑件而设置在腔室本体中且可相对基板支撑件在第一位置和第二位置间移动，其中第一位置将基板支撑件及板设置成彼此远离，以将支撑表面曝露至第一空间，且第二位置将基板支撑件及板设置成彼此邻近，以将支撑表面曝露至第二空间，第二空间小于第一空间；多个流动通道，设置在板或基板支撑件中的一或多个中，以使冷却剂流动；及气体入口，用以提供气体进入第二空间。
-
公开(公告)号：CN105009252A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201480010134.X
申请日：2014-03-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/68735 , C23C16/045 , C23C16/4585 , H01J37/32642
Abstract: 本文提供用于处理基板的方法与装置的实施方式。在一些实施方式中，一种用于基板处理腔室的处理配件可包括：环，所述环具有主体及从主体径向向内延伸的唇部，其中所述主体具有形成在主体的底部内的第一环形通道；环形导电屏蔽件，所述环形导电屏蔽件具有下方向内延伸突出部分，所述下方向内延伸突出部分终止于向上延伸部分，所述向上延伸部分被配置以与环的第一环形通道接合；及导电构件，当环设置在导电屏蔽件上时，所述导电构件将环电气耦接至导电屏蔽件。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107109629B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201580067397.9
申请日：2015-10-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 魏俊琪 , 曹志涛 , 欧岳生 , 阿南塔克里希纳·朱普迪 , 希兰库玛·萨万戴亚 , 王欣 , 斯里斯卡塔拉贾赫·西里纳瓦卡拉苏
Abstract: 本公开内容的实施方式包括用于控制钛‑钨(TiW)靶材小结形成的方法和设备。在一些实施方式中，靶材包括：源材料，所述源材料主要地包括钛(Ti)和钨(W)，所述源材料由钛粉末和钨粉末的混合物形成，其中主要数量的钛粉末的晶粒尺寸小于或等于主要数量的钨粉末的晶粒尺寸。
-
公开(公告)号：CN108028184A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680052197.0
申请日：2016-09-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/203 , H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687
CPC classification number: H01J37/3441 , C23C14/34 , C23C14/564 , H01J37/32513 , H01J37/32642 , H01J37/32651 , H01J37/3405
Abstract: 本发明提供处理配件屏蔽件和包含所述处理配件屏蔽件的处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，经配置于处理腔室中使用的单件式处理配件屏蔽件用于处理具有给定直径的基板，所述单件式处理配件屏蔽件包括：具有上部和下部的圆柱体；设置在所述上部内的环形传热沟道；和盖环部，所述盖环部从所述下部径向向内延伸且具有从所述盖环部的底表面延伸的环形腿部，其中所述环形腿部经配置而与沉积环界面连接以在所述底表面和所述沉积环之间形成迂曲路径。
-
-
公开(公告)号：CN104205319A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380016084.1
申请日：2013-03-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/205 , C23C14/50
CPC classification number: C23C14/34 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32623 , H01J37/32651 , H01J37/32706 , H01J37/32715 , H01J37/3405 , H01J37/3411
Abstract: 本文提供用于处理基板的设备。在一些实施例中，一种用于处理基板的设备包含基板支撑件，所述基板支撑件可包含具有表面以在所述表面上支撑基板的介电构件；设置在所述介电构件之下的一或更多个第一导电构件且所述一或更多个第一导电构件具有与所述介电构件相邻的面对介电构件的表面；及设置在所述一或更多个第一导电构件周围且接触所述一或更多个第一导电构件的第二导电构件，使得由射频源提供至所述基板的射频能量通过沿着所述一或更多个第一导电构件的所述面对介电构件的表面且在沿着面对介电层的表面行进之后沿着实质上平行于所述一或更多个第一导电构件的外围边缘表面设置的所述第二导电构件的第一表面从所述基板支撑件径向地向外行进而返回所述射频源。
-
公开(公告)号：CN102576664A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080035744.7
申请日：2010-08-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/203 , C23C14/34
CPC classification number: H01L21/67017 , C23C14/34 , C23C14/564 , H01J37/3408 , H01J37/3447
Abstract: 本发明的具体实施例一般涉及一种供半导体处理室所用的处理套件，以及具有处理套件的半导体处理室。详言之，本文所描述的具体实施例涉及一种处理套件，其包括使用于物理沉积室中的覆盖环、屏蔽件以及隔离件。处理套件的组件单独地和可结合地工作，以显著减少颗粒产生和偏离等离子体。相较于现有的多部件屏蔽件，现有的多部件屏蔽件提供延伸的RF返回路径而促使RF谐波造成处理腔外侧的偏离等离子体，本发明的处理套件的组件减少了RF返回路径，因而在内部处理区域中提供改良的等离子体。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
30
records
(took 0.02 seconds)
