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公开(公告)号：CN114342038B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202080060675.9
申请日：2020-08-27
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 此处提供在工艺腔室中使用的工艺套件的实施例。在一些实施例中，一种用于在工艺腔室中使用的工艺套件，包括管状主体，所述管状主体具有配置成围绕基板支撑件的中心开口，其中管状主体的侧壁不包括任何通孔；以及顶板，所述顶板耦合至管状主体的上端，且实质上覆盖中心开口，其中顶板具有气体入口，且具有比管状主体的外直径要大的直径，且其中管状主体从顶板直向下延伸。
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公开(公告)号：CN115461851A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202180029566.5
申请日：2021-04-20
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 设备和方法使用独特的处理配件来保护处理腔室的处理空间。处理配件包括：具有框架的屏蔽件，框架被构造成可插入屏蔽件；以及箔衬垫，由金属材料构成，箔衬垫可在确定点处附接到框架。确定的附接点间隔开以产生基于金属材料的延展性的一定柔性量。柔性量的范围从大约2.5到大约4.5。
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公开(公告)号：CN114303226B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202080060234.9
申请日：2020-08-27
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供在处理腔室中使用的处理套件的实施例。在某些实施例中，一种在处理腔室中使用的处理套件，包括环状环，配置成围绕基板支撑件；及环状唇部，从环状环的上部表面延伸，其中环状环包括多个环狭槽，延伸通过环状环且以规则间隔沿着环状环布置，且其中环状唇部包括多个唇部狭槽，延伸通过环状唇部、以规则间隔沿着环状唇部布置。
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公开(公告)号：CN107109629A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580067397.9
申请日：2015-10-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 魏俊琪 , 曹志涛 , 欧岳生 , 阿南塔克里希纳·朱普迪 , 希兰库玛·萨万戴亚 , 王欣 , 斯里斯卡塔拉贾赫·西里纳瓦卡拉苏
Abstract: 本公开内容的实施方式包括用于控制钛‑钨(TiW)靶材小结形成的方法和设备。在一些实施方式中，靶材包括：源材料，所述源材料主要地包括钛(Ti)和钨(W)，所述源材料由钛粉末和钨粉末的混合物形成，其中主要数量的钛粉末的晶粒尺寸小于或等于主要数量的钨粉末的晶粒尺寸。
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公开(公告)号：CN114342057A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202080062271.3
申请日：2020-09-03
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 描述用于物理气相沉积(PVD)的包括钛(Ti)、钡(Ba)、或铈(Ce)中的一者或多者的遮盘，所述遮盘允许粘贴以在基板的蚀刻期间最小化释气和控制缺陷。所述遮盘合并集气剂材料，所述集气剂材料对于包括O2、CO、CO2、和水的反应气体分子具有高度选择性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114342038A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202080060675.9
申请日：2020-08-27
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 此处提供在工艺腔室中使用的工艺套件的实施例。在一些实施例中，一种用于在工艺腔室中使用的工艺套件，包括管状主体，所述管状主体具有配置成围绕基板支撑件的中心开口，其中管状主体的侧壁不包括任何通孔；以及顶板，所述顶板耦合至管状主体的上端，且实质上覆盖中心开口，其中顶板具有气体入口，且具有比管状主体的外直径要大的直径，且其中管状主体从顶板直向下延伸。
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公开(公告)号：CN107109629B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201580067397.9
申请日：2015-10-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 魏俊琪 , 曹志涛 , 欧岳生 , 阿南塔克里希纳·朱普迪 , 希兰库玛·萨万戴亚 , 王欣 , 斯里斯卡塔拉贾赫·西里纳瓦卡拉苏
Abstract: 本公开内容的实施方式包括用于控制钛‑钨(TiW)靶材小结形成的方法和设备。在一些实施方式中，靶材包括：源材料，所述源材料主要地包括钛(Ti)和钨(W)，所述源材料由钛粉末和钨粉末的混合物形成，其中主要数量的钛粉末的晶粒尺寸小于或等于主要数量的钨粉末的晶粒尺寸。
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公开(公告)号：CN115461836A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202180029336.9
申请日：2021-04-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/683 , C23C14/02
Abstract: 本文提供用于在工艺腔室中使用的工艺套件。在一些实施例中，一种用于在工艺腔室中使用的工艺套件，包括：顶板，具有设置在所述顶板的上部表面中的中央凹槽；通道，从顶板的外部部分延伸至中央凹槽；多个孔洞，通过顶板设置，从中央凹槽的底部表面至顶板的下部表面；覆盖板，配置成耦合至顶板，并且沿着中央凹槽的周围形成密封，使得覆盖的凹槽在顶板内界定气室；以及管状主体，从顶板的下部表面向下延伸，并且环绕多个孔洞，管状主体进一步配置成环绕基板支撑件。
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公开(公告)号：CN114641857A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202080077347.X
申请日：2020-10-19
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供用于处理基板的方法和设备。例如，用于处理基板的方法可包括：使用工艺气体离子和从PVD腔室的靶材形成的金属离子两者，从设置在PVD腔室中的基板选择性地蚀刻暴露的第一材料层，所述暴露的第一材料层覆盖下方的第二材料层且与暴露的第三材料层相邻，工艺气体离子和金属离子的量足以在将金属层沉积至第三材料层上的同时使第二材料层暴露；以及随后将来自靶材的金属沉积至第二材料层上。
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