公开(公告)号：CN112005357B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN201980027957.6

申请日：2019-05-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 欧岳生 ,  J·魏 ,  W·L·F·休 ,  A·朱普迪 ,  清水隆史 ,  K·波 ,  高德丰

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/02

Abstract: 本文中提供了用于降低半导体设备的至少接触垫中的接触电阻的基板处理的方法、装置及系统。在一些实施例中，一种用于降低接触垫的接触电阻的基板处理的方法包括：在底座的至少一个通道中循环冷却流体；以及将定位在所述底座上的所述基板的背侧暴露于冷却气体，以将定位在所述底座上的基板冷却到小于70摄氏度的温度。在根据本原理的一些实施例中，所述方法可以进一步包括：将氢气或氢气组合分布在所述基板之上。

公开(公告)号：CN114342057A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202080062271.3

申请日：2020-09-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 张康 ,  魏俊琪 ,  欧岳生 ,  K·波 ,  和田优一 ,  A·朱普迪 ,  S·巴布

IPC: H01L21/67 ,  C23C14/02 ,  C23C14/35 ,  C23C14/56

Abstract: 描述用于物理气相沉积(PVD)的包括钛(Ti)、钡(Ba)、或铈(Ce)中的一者或多者的遮盘，所述遮盘允许粘贴以在基板的蚀刻期间最小化释气和控制缺陷。所述遮盘合并集气剂材料，所述集气剂材料对于包括O2、CO、CO2、和水的反应气体分子具有高度选择性。

公开(公告)号：CN112005357A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201980027957.6

申请日：2019-05-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 欧岳生 ,  J·魏 ,  W·L·F·休 ,  A·朱普迪 ,  清水隆史 ,  K·波 ,  高德丰

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/02

Abstract: 本文中提供了用于降低半导体设备的至少接触垫中的接触电阻的基板处理的方法、装置及系统。在一些实施例中，一种用于降低接触垫的接触电阻的基板处理的方法包括：在底座的至少一个通道中循环冷却流体；以及将定位在所述底座上的所述基板的背侧暴露于冷却气体，以将定位在所述底座上的基板冷却到小于70摄氏度的温度。在根据本原理的一些实施例中，所述方法可以进一步包括：将氢气或氢气组合分布在所述基板之上。