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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114342038A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202080060675.9
申请日：2020-08-27
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 此处提供在工艺腔室中使用的工艺套件的实施例。在一些实施例中，一种用于在工艺腔室中使用的工艺套件，包括管状主体，所述管状主体具有配置成围绕基板支撑件的中心开口，其中管状主体的侧壁不包括任何通孔；以及顶板，所述顶板耦合至管状主体的上端，且实质上覆盖中心开口，其中顶板具有气体入口，且具有比管状主体的外直径要大的直径，且其中管状主体从顶板直向下延伸。
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公开(公告)号：CN114303226B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202080060234.9
申请日：2020-08-27
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供在处理腔室中使用的处理套件的实施例。在某些实施例中，一种在处理腔室中使用的处理套件，包括环状环，配置成围绕基板支撑件；及环状唇部，从环状环的上部表面延伸，其中环状环包括多个环狭槽，延伸通过环状环且以规则间隔沿着环状环布置，且其中环状唇部包括多个唇部狭槽，延伸通过环状唇部、以规则间隔沿着环状唇部布置。
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公开(公告)号：CN114342038B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202080060675.9
申请日：2020-08-27
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 此处提供在工艺腔室中使用的工艺套件的实施例。在一些实施例中，一种用于在工艺腔室中使用的工艺套件，包括管状主体，所述管状主体具有配置成围绕基板支撑件的中心开口，其中管状主体的侧壁不包括任何通孔；以及顶板，所述顶板耦合至管状主体的上端，且实质上覆盖中心开口，其中顶板具有气体入口，且具有比管状主体的外直径要大的直径，且其中管状主体从顶板直向下延伸。
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公开(公告)号：CN114641857A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202080077347.X
申请日：2020-10-19
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供用于处理基板的方法和设备。例如，用于处理基板的方法可包括：使用工艺气体离子和从PVD腔室的靶材形成的金属离子两者，从设置在PVD腔室中的基板选择性地蚀刻暴露的第一材料层，所述暴露的第一材料层覆盖下方的第二材料层且与暴露的第三材料层相邻，工艺气体离子和金属离子的量足以在将金属层沉积至第三材料层上的同时使第二材料层暴露；以及随后将来自靶材的金属沉积至第二材料层上。
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