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公开(公告)号：CN109321890A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811141495.4
申请日：2016-07-01
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供处理配件及包含此处理配件的处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，处理配件包括沉积环，所述沉积环被配置而设置在基板支撑件上，所述基板支撑件被设计为用于支撑具有给定宽度的基板，所述沉积环包含：环形带，所述环形带被配置为搁置在所述基板支撑件的下突出部分上；内唇，所述内唇从所述环形带的内缘向上延伸，其中所述内唇的内表面与所述环形带的内表面一起形成具有小于所述给定宽度的宽度的中央开口，并且其中所述环形带的上表面与所述内唇的上表面之间的深度是介于约24mm与约38mm之间；通道，所述通道设置在所述环形带的径向外侧；及外唇，所述外唇向上延伸且设置在所述通道的径向外侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110036136A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201780075172.7
申请日：2017-11-16
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文中提供了工艺配件及并入所述工艺配件的工艺腔室的实施方式。在一些实施方式中，一种工艺配件包括：配接器，具有配接器主体及在所述配接器主体的径向内侧的屏蔽部；传热通道，形成于所述配接器主体中；遮蔽环，耦接到所述配接器，使得所述配接器的所述屏蔽部延伸于所述遮蔽环的一部分之上；及陶瓷绝缘体，设置在所述遮蔽环与所述配接器之间以将所述遮蔽环与所述配接器电隔离。
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公开(公告)号：CN107787377A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201680037325.4
申请日：2016-07-01
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C14/3407 , C23C14/564 , H01J37/32477 , H01J37/34 , H01J37/3488 , C23C14/50
Abstract: 本文提供处理配件及包含此处理配件的处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，处理配件包括沉积环，所述沉积环被配置而设置在基板支撑件上，所述基板支撑件被设计为用于支撑具有给定宽度的基板，所述沉积环包含：环形带，所述环形带被配置为搁置在所述基板支撑件的下突出部分上；内唇，所述内唇从所述环形带的内缘向上延伸，其中所述内唇的内表面与所述环形带的内表面一起形成具有小于所述给定宽度的宽度的中央开口，并且其中所述环形带的上表面与所述内唇的上表面之间的深度是介于约24mm与约38mm之间；通道，所述通道设置在所述环形带的径向外侧；及外唇，所述外唇向上延伸且设置在所述通道的径向外侧。
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公开(公告)号：CN117867462A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311689865.9
申请日：2016-07-01
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供处理配件及包含此处理配件的处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，处理配件包括沉积环，所述沉积环被配置而设置在基板支撑件上，所述基板支撑件被设计为用于支撑具有给定宽度的基板，所述沉积环包含：环形带，所述环形带被配置为搁置在所述基板支撑件的下突出部分上；内唇，所述内唇从所述环形带的内缘向上延伸，其中所述内唇的内表面与所述环形带的内表面一起形成具有小于所述给定宽度的宽度的中央开口，并且其中所述环形带的上表面与所述内唇的上表面之间的深度是介于约24mm与约38mm之间；通道，所述通道设置在所述环形带的径向外侧；及外唇，所述外唇向上延伸且设置在所述通道的径向外侧。
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公开(公告)号：CN110036136B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201780075172.7
申请日：2017-11-16
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文中提供了工艺配件及并入所述工艺配件的工艺腔室的实施方式。在一些实施方式中，一种工艺配件包括：配接器，具有配接器主体及在所述配接器主体的径向内侧的屏蔽部；传热通道，形成于所述配接器主体中；遮蔽环，耦接到所述配接器，使得所述配接器的所述屏蔽部延伸于所述遮蔽环的一部分之上；及陶瓷绝缘体，设置在所述遮蔽环与所述配接器之间以将所述遮蔽环与所述配接器电隔离。
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