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公开(公告)号:CN111095514B
公开(公告)日:2024-01-09
申请号:CN201880058133.0
申请日:2018-08-21
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供了用于处理基板的设备。在一些实施方式中,喷头组件包括:气体分配板,气体分配板具有多个孔;保持器,保持器具有壁、径向向内延伸的凸缘、和径向向外延伸的凸缘,所述径向向内延伸的凸缘从壁的下部延伸且耦接至气体分配板,所述径向向外延伸的凸缘从壁的上部延伸,其中壁具有在约0.015英寸与约0.2英寸之间的厚度;和加热设备,所述加热设备设置在气体分配板上方并且与气体分配板间隔开,其中加热设备包括加热器,加热器配置以加热气体分配(56)对比文件US 2011253044 A1,2011.10.20US 2015011096 A1,2015.01.08US 2001035127 A1,2001.11.01庄清平.外加电场气相法制备纳米无机氧化物.中国工程科学.2007,(02),全文.
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公开(公告)号:CN115004336A
公开(公告)日:2022-09-02
申请号:CN202180010141.X
申请日:2021-12-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/768 , H01L21/02 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/06
Abstract: 本公开内容的实施方式提供减少或消除选择性钨层的横向生长的方法。进一步实施方式提供整合的清洁和沉积方法,此方法改善在沟槽结构上选择性沉积的钨的选择性。另外的实施方式提供用于形成针对沟槽结构的更均匀和更有选择性的自底向上的间隙填充而具有改善的膜性质的方法。
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公开(公告)号:CN114930520A
公开(公告)日:2022-08-19
申请号:CN202180008907.0
申请日:2021-06-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , C23C16/02 , C23C16/04
Abstract: 描述用于预清洁基板的方法,所述基板具有金属和电介质表面。将包含冷却特征的基座的温度设定为小于或等于100℃,其中基板位在所述基座上。使基板暴露于等离子体处理,以从包括金属底部、电介质侧壁和/或电介质场的基板的特征去除化学残留物和/或杂质,和/或修复电介质侧壁和/或电介质场中的表面缺陷。等离子体处理可为氧等离子体,举例而言,直接氧等离子体。还描述用于实施所述方法的处理工具及计算机可读介质。
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公开(公告)号:CN104170068B
公开(公告)日:2019-05-10
申请号:CN201380014792.1
申请日:2013-04-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/312 , H01L21/203
Abstract: 本发明大体涉及掺杂的氮化铝硬模以及制造掺杂的氮化铝硬模的方法。在形成所述氮化铝硬模时通过添加少量掺杂剂,例如氧,可显著降低所述硬模的湿蚀刻速率。此外,与无掺杂的氮化铝硬模相比,硬模的颗粒尺寸由于掺杂剂的存在而缩小。缩小的颗粒尺寸使硬模中的特征更平滑,导致使用所述硬模时更加精确的下层蚀刻。
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公开(公告)号:CN104170068A
公开(公告)日:2014-11-26
申请号:CN201380014792.1
申请日:2013-04-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/312 , H01L21/203
CPC classification number: C04B35/581 , C23C14/0617 , H01L21/02178 , H01L21/02266 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/02631 , H01L21/0332 , H01L21/32139
Abstract: 本发明涉及掺杂的氮化铝硬模以及制造掺杂的氮化铝硬模的方法。在形成所述氮化铝硬模时通过添加少量掺杂剂,例如氧,可显著降低所述硬模的湿蚀刻速率。此外,与无掺杂的氮化铝硬模相比,硬模的颗粒尺寸由于掺杂剂的存在而缩小。缩小的颗粒尺寸使硬模中的特征更平滑,导致使用所述硬模时更加精确的下层蚀刻。
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公开(公告)号:CN116569028A
公开(公告)日:2023-08-08
申请号:CN202180082825.0
申请日:2021-11-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: G01N21/956
Abstract: 本文中所述实施方式提供测量系统的光引擎和使用这些光引擎的方法。该测量系统包括能操作以照射光学装置的第一光栅的光引擎。该光引擎通过来自光引擎的光投射图案。该光引擎向该第一光栅投射图案使得可从一个或多个影像提取计量度量,该一个或多个影像由该测量系统的检测器所捕捉。这些计量度量通过处理该影像而被提取。这些计量度量确定该光学装置是否符合影像质量标准。
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公开(公告)号:CN108538715B
公开(公告)日:2023-03-14
申请号:CN201810259666.7
申请日:2013-08-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/20
Abstract: 在此揭示一种在催化体CVD沉积期间选择性控制催化材料的沉积速率的方法。所述方法可包括以下步骤:将基板定位在处理腔室中,所述基板包括表面区域和间隙区域二者;将包含钨的第一成核层保形地沉积于所述基板的暴露表面上;用活化氮处理所述第一成核层的至少一部分,其中所述活化氮优先沉积于所述表面区域上;使包含钨卤化物的第一沉积气体与含氢气体反应,以优先沉积钨填充层于所述基板的间隙区域中;使包含钨卤化物的成核气体反应,以形成第二成核层;以及使包含钨卤化物的第二沉积气体与含氢气体反应,以沉积钨场层。
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公开(公告)号:CN115004329A
公开(公告)日:2022-09-02
申请号:CN202080094059.5
申请日:2020-11-23
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 描述了用于预清洁具有金属及介电表面的基板的方法。在处理腔室中将包括具有金属底部、介电侧壁和电介质的场的表面结构的基板暴露于双等离子体处理,以从该金属底部、所述介电侧壁、和/或该电介质的该场去除化学残留物和/或杂质,和/或修复所述介电侧壁和/或该电介质的该场中的表面缺陷。该双等离子体处理包括直接等离子体和远程等离子体。
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