公开(公告)号：CN113892184A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202080038918.9

申请日：2020-12-10

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吉田浩介 ,  吉村尚 ,  泷下博 ,  内田美佐稀 ,  根本道生 ,  菅沼奈央 ,  洼内源宜

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L27/088 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/265 ,  H01L21/331 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，其具有上表面和下表面，且包含氧；氢化学浓度的第一峰，其配置在半导体基板的下表面侧；以及平坦部，其配置于比第一峰更靠半导体基板的上表面侧的位置，并包含氢施主，且在半导体基板的深度方向上的施主浓度分布实质上(大致)为平坦，表示氧的氧化学浓度中有助于生成氢施主的氧化学浓度的比例的氧贡献率为1×10‑5以上且7×10‑4以下，在平坦部中，有助于生成氢施主的氧的浓度低于氢化学浓度，平坦部的氢施主浓度为2×1012/cm3以上且5×1014/cm3以下。

公开(公告)号：CN105552115B

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201510906782.X

申请日：2010-11-02

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 根本道生 ,  吉村尚

IPC: H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/885 ,  H01L21/263

Abstract: 在n‑漂移层(1)的一个主表面上形成p阳极层(2)。在n‑漂移层(1)的另一主表面上形成杂质浓度大于n‑漂移层(1)的n+阴极层(3)。在p阳极层(2)的表面上形成阳极电极(4)。在n+阴极层(3)的表面上形成阴极电极(5)。在n‑漂移层(1)中形成净掺杂浓度大于晶片的体杂质浓度且小于n+阴极层(3)的体杂质浓度的n型宽缓冲区(6)。n‑漂移层(1)的电阻率ρ0相对于额定电压V0满足0.12V0≤ρ0≤0.25V0。宽缓冲区(6)的净掺杂浓度总量大于或等于4.8×1011原子/cm2且小于或等于1.0×1012原子/cm2。

公开(公告)号：CN102687277B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201080049553.6

申请日：2010-11-02

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 根本道生 ,  吉村尚

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0611 ,  H01L21/263 ,  H01L21/268 ,  H01L21/3221 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/885

Abstract: 在n-漂移层(1)的一个主表面上形成p阳极层(2)。在n-漂移层(1)的另一主表面上形成杂质浓度大于n-漂移层(1)的n+阴极层(3)。在p阳极层(2)的表面上形成阳极电极(4)。在n+阴极层(3)的表面上形成阴极电极(5)。在n-漂移层(1)中形成净掺杂浓度大于晶片的体杂质浓度且小于n+阴极层(3)的体杂质浓度的n型宽缓冲区(6)。n-漂移层(1)的电阻率ρ0相对于额定电压V0满足0.12V0≤ρ0≤0.25V0。宽缓冲区(6)的净掺杂浓度总量大于或等于4.8×1011原子/cm2且小于或等于1.0×1012原子/cm2。

公开(公告)号：CN113169123B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202080005857.6

申请日：2020-05-15

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 泷下博 ,  吉村尚 ,  目黑美佐稀 ,  根本道生

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/40 ,  H10D84/83 ,  H10D62/10 ,  H10D30/60 ,  H10D30/01 ,  H10D12/00

Abstract: 提供一种半导体装置，其具备设置有N型区的半导体基板，N型区是包括半导体基板的深度方向上的中央位置的区域，N型区在中央位置包含浓度为载流子浓度的0.001倍以上的受主。半导体装置能够通过如下制造方法制造，该制造方法具备：准备P型的半导体基板的准备步骤、以及通过向P型的半导体基板注入N型的杂质并进行热处理，从而形成包括半导体基板的深度方向上的中央位置的N型区的第一反转步骤。

公开(公告)号：CN113632236B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202080024662.6

申请日：2020-09-15

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 阿形泰典 ,  吉村尚 ,  泷下博 ,  目黑美佐稀 ,  根本道生 ,  安喰彻 ,  小野泽勇一

IPC: H01L29/36 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/082 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备具有上表面和下表面并包含体施主的半导体基板，半导体基板的深度方向上的氢化学浓度分布除了设置有局部的氢浓度峰的部分以外，从下表面到上表面为止是平坦的、或单调地增加或单调地减小，半导体基板的施主浓度遍及从上表面到下表面为止的整个半导体基板而高于体施主浓度。可以以在深度方向上贯穿半导体基板的方式从半导体基板的上表面或下表面照射氢离子。

公开(公告)号：CN114467180A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202180005478.1

申请日：2021-04-01

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 洼内源宜 ,  吉村尚 ,  泷下博 ,  内田美佐稀 ,  根本道生

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L27/07 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置具备：半导体基板，其具有上表面和下表面，并包含体施主；第一导电型的缓冲区，其配置在半导体基板的下表面侧，并包含氢施主，并且半导体基板的深度方向上的掺杂浓度分布具有单个的第一掺杂浓度峰；第一导电型的高浓度区，其配置在缓冲区与半导体基板的上表面之间，并包含氢施主，并且施主浓度比体施主浓度高；第一导电型或第二导电型的下表面区，其配置在缓冲区与半导体基板的下表面之间，掺杂浓度比高浓度区的掺杂浓度高。

公开(公告)号：CN110462838A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201880021352.1

申请日：2018-10-12

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 田村隆博 ,  根本道生

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，其具有漂移区；晶体管部，其形成于半导体基板，且具有集电区；二极管部，其形成于半导体基板，且具有阴极区；以及边界部，其形成于半导体基板，在半导体基板的上表面配置于晶体管部与二极管部之间，且具有集电区，在晶体管部的台面部和边界部的台面部设置有掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高的发射区，在边界部的台面部的上表面，发射区与栅极沟槽部接触的部分即沟道部的在台面部的上表面处的密度比晶体管部的台面部的上表面处的沟道部的密度小。

公开(公告)号：CN104716174B

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201410809118.9

申请日：2010-11-02

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 根本道生 ,  吉村尚

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

Abstract: 在n‑漂移层(1)的一个主表面上形成p阳极层(2)。在n‑漂移层(1)的另一主表面上形成杂质浓度大于n‑漂移层(1)的n+阴极层(3)。在p阳极层(2)的表面上形成阳极电极(4)。在n+阴极层(3)的表面上形成阴极电极(5)。在n‑漂移层(1)中形成净掺杂浓度大于晶片的体杂质浓度且小于n+阴极层(3)的体杂质浓度的n型宽缓冲区(6)。n‑漂移层(1)的电阻率ρ0相对于额定电压V0满足0.12V0≤ρ0≤0.25V0。宽缓冲区(6)的净掺杂浓度总量大于或等于4.8×1011原子/cm2且小于或等于1.0×1012原子/cm2。

公开(公告)号：CN102687277A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201080049553.6

申请日：2010-11-02

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 根本道生 ,  吉村尚

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0611 ,  H01L21/263 ,  H01L21/268 ,  H01L21/3221 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/885

Abstract: 在n-漂移层(1)的一个主表面上形成p阳极层(2)。在n-漂移层(1)的另一主表面上形成杂质浓度大于n-漂移层(1)的n+阴极层(3)。在p阳极层(2)的表面上形成阳极电极(4)。在n+阴极层(3)的表面上形成阴极电极(5)。在n-漂移层(1)中形成净掺杂浓度大于晶片的体杂质浓度且小于n+阴极层(3)的体杂质浓度的n型宽缓冲区(6)。n-漂移层(1)的电阻率ρ0相对于额定电压V0满足0.12V0≤ρ0≤0.25V0。宽缓冲区(6)的净掺杂浓度总量大于或等于4.8×1011原子/cm2且小于或等于1.0×1012原子/cm2。